一种用于背面深反应离子蚀刻的器件的制作方法

技术特征：

1.一种用于背面深反应离子蚀刻的器件，其特征在于，所述器件具有第一沟槽，其中：

所述第一沟槽位于所述器件的正面；

所述器件的背面是用于进行背面深反应离子蚀刻工艺的一面；

所述第一沟槽的形状是与背面的形状相对应的，所述背面的形状是根据微机电结构设计要求在所述器件背面进行背面深反应离子蚀刻的形状。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件进一步具有第二沟槽，所述第二沟槽的形状是根据第一沟槽的形状确定的、用于实现锚功能的沟槽。

3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述锚功能是用于支撑和/或固定所述蚀刻出的第一沟槽的。

4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述实现锚功能的第二沟槽是拖尾结构向外围延伸后的沟槽。

5.如权利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述第一沟槽和/或第二沟槽内沉积有与硅蚀刻相比而言的高蚀刻选择比材料。

6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，所述高蚀刻选择比材料是氧化层材料或金属层材料。

7.如权利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述第一沟槽和/或第二沟槽的形状是由线型构成的。

8.如权利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述第一沟槽和/或第二沟槽是垂直于所述器件的正面的具有所需深度的沟槽。

9.如权利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述第一沟槽和/或第二沟槽是进行背面深反应离子蚀刻时的终止层。

10.如权利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述器件是为实现悬空结构的微机电结构设计的器件。