技术特征：
1.一种微机电结构的制作方法，包含：
提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区；
形成一逻辑元件于该逻辑元件区；
全面形成一含氮材料层覆盖该逻辑元件区和该微机电元件区；
移除位于该微机电元件区内的部分的该含氮材料层以在该含氮材料层上定义出至少一退缩区域；
在形成该退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖该逻辑元件区和该微机电元件区，并且该介电层填入该退缩区域；
蚀刻位于该微机电元件区的部分的该介电层以形成至少一孔洞穿透该介电层，其中该退缩区域环绕该孔洞；以及
蚀刻该基底以形成一腔室，该腔室和该孔洞构成该微机电结构的一共振腔室。
2.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法，其中该含氮材料层为氮化硅，该含氮材料层为一蚀刻停止层。
3.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法，其中该逻辑元件为一晶体管，该晶体管具有一多晶硅栅极电极。
4.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法，其中该孔洞具有一末端位于填入该退缩区域的该介电层中，该末端完全位于该退缩区域中。
5.如权利要求4所述的微机电结构的制作方法，其中部分该退缩区域重叠该末端，并且部分该退缩区域环绕该末端。
6.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法，其中该基底为硅基底，并且该腔室是利用深反应式离子蚀刻制作工艺蚀刻该基底而形成。
7.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法，在形成该孔洞之前，还包含：
形成至少一金属层间介电层和至少一金属电路于该逻辑元件区和该微机电元件区之后，蚀刻位于该微机电元件区的该金属层间介电层、该金属电路和该介电层以形成该孔洞。
8.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法，其中在该共振腔室中没有固体材料。
9.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法，其中在该微机电元件区内的该基底上设置有一浅沟槽隔离。
10.一种微机电结构，包含：
基底，包含一逻辑元件区和一微机电元件区；
逻辑元件，设置于该逻辑元件区；
含氮材料层，覆盖该逻辑元件、该逻辑元件区和该微机电元件区，其中位于该微机电元件区内的该含氮材料层定义出至少一退缩区域，该退缩区域内没有该含氮材料层；
介电层，覆盖该逻辑元件区和该微机电元件区，并且该介电层填入该退缩区域；
至少一孔洞，位于该微机电元件区内的该介电层中，其中该退缩区域环绕该孔洞；以及
腔室，位于该基底的该微机电元件区内，该腔室和该孔洞构成该微机电结构的一共振腔室。
11.如权利要求10所述的微机电结构，其中该含氮材料层为氮化硅。
12.如权利要求10所述的微机电结构，其中该逻辑元件为一晶体管，该晶体管具有一多晶硅栅极电极。
13.如权利要求10所述的微机电结构，其中该孔洞具有一末端位于填入该退缩区域的该介电层中，该末端完全位于该退缩区域中。
14.如权利要求13所述的微机电结构，其中部分该退缩区域重叠该末端，并且部分该退缩区域环绕该末端。
15.如权利要求10所述的微机电结构，其中该基底为硅基底。
16.如权利要求10所述的微机电结构，还包含：
至少一金属层间介电层和至少一金属电路设置于该逻辑元件区和该微机电元件区内，并且该孔洞延伸至该金属层间介电层和该金属电路中。
17.如权利要求10所述的微机电结构，其中在该微机电元件区内的该基底和该介电层之间，设置有一浅沟槽隔离。
18.如权利要求10所述的微机电结构，其中在该共振腔室中没有固体材料。
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