具有应力去耦结构的MEMS构件和具有这种MEMS构件的元器件的制作方法

技术特征：

1.MEMS构件(110)，具有至少一个可偏转的功能元件(14)，该功能元件以层结构(12)在MEMS衬底(11)上实现，使得在所述层结构(12)与所述MEMS衬底(11)之间至少在所述功能元件(14)区域中产生中间空间(15)，所述MEMS构件还具有应力去耦结构(17)，该应力去耦结构在所述MEMS衬底(11)中构造，其特征在于，所述应力去耦结构(17)以盲孔式的沟道结构(171)的形式在所述MEMS衬底(11)中实现，该沟道结构向着所述层结构(12)与所述MEMS衬底(11)之间的中间空间(15)敞开并且向MEMS衬底(11)中只延伸到预给定深度，使得所述MEMS衬底(11)至少在沟道结构(171)区域中在背面封闭。

2.根据权利要求1所述的MEMS构件(110)，其特征在于，所述沟道结构(171)布置在可偏转的功能元件(14)的边缘区域下面或者相对于该功能元件向外错开地布置。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS构件(110)，其特征在于，所述沟道结构(171)相对于可偏转的功能元件(14)环绕地构造。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的MEMS构件(110)，其特征在于，所述沟道结构(171)的走向由直线的、弧形的和/或圆形的区段组成。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的MEMS构件(110)，其特征在于，所述沟道结构(217)包括多个至少区段地基本平行地延伸的沟道(217)，该沟道通过所述MEMS衬底(11)的隔片(218)中相互分开。

6.元器件(100)，所述元器件具有至少一个根据权利要求1到5中任一项所述的MEMS构件(110)并且具有用于所述MEMS构件(110)的载体(20)，其中，所述MEMS构件(110)面朝下地装配在所述载体(20)上，从而保证所述功能元件(14)的可偏转性，其特征在于，所述MEMS层结构(12)与所述载体(20)之间的机械连接部(31)完全包围所述可偏转的功能元件(14)，使得所述功能元件气密密封地包围在所述MEMS衬底(11)与所述载体(20)之间。

7.根据权利要求6所述的元器件(300)，其特征在于，所述MEMS层结构(12)与所述载体(20)之间的机械连接部(31)相对于所述MENS衬底(11)中的所述应力去耦结构(317、318)向外错开地构造。

8.根据权利要求6或7所述的垂直混合集成元器件(100)，

·其中，ASIC构件(20)作为载体起作用，该ASIC构件具有集成到所述ASIC衬底(21)中的电路功能部(23)和在ASIC衬底(21)上的层结构(22)，该层结构包括至少一个用于所述电路功能部(23)的布线平面(24)，

·其中，所述MEMS构件(110)面朝下地装配在所述ASIC层结构(22)上，使得所述功能元件(14)的可偏转性得到保证，并且

·其中，在所述可偏转的功能元件(14)与至少一个ASIC布线平面(24)之间存在电连接。