一种室温键合ITO纳米线的装置和方法与流程

技术总结
本发明给出一种室温键合氧化铟锡纳米线的方法，将待焊接的纳米结构A和作为焊接材料的纳米线B设置于探针尖端正对样品台的一侧表面，探针尖端制备电子束辐照敏感的高分子固化材料；利用大尺度位移装置和小尺度位移装置控制探针往作为焊接材料的纳米线B移动，使探针和纳米线B顶端接触；利用探针尖端粘合并固化纳米线B；控制探针移动，使用探针折断纳米线B并将其移动到待焊接的A表面并接触，进行冷焊接，通过电学测试单元监测纳米线的焊接过程，当纳米线之间的接触电阻率与纳米线本身的电阻率相当时，即表示通路导电。利用电子束或者离子束刻蚀并切断纳米线B与探针的连接，并使纳米线B保持与纳米线A相连接，实现纳米线结构在室温下的键合。

技术研发人员：万能
受保护的技术使用者：东南大学
文档号码：201610105967
技术研发日：2016.02.26
技术公布日：2017.05.31