MEMS器件的制作方法

2021-10-26 12:31:01 来源：中国专利 TAG：微电子器件集成机械系统

技术总结
本申请公开了MEMS器件。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述MEMS传感器包括在衬底上形成的空腔以及位于空腔上的结构层；以及位于MEMS传感器上的晶体管，其中，所述晶体管的至少一部分形成在所述MEMS传感器的结构层中。该MEMS器件将MEMS传感器和晶体管堆叠形成垂直结构，从而减小芯片尺寸、提高芯片性能以及降低器件成本。

技术研发人员：孙伟;闻永祥;季锋;刘琛
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
文档号码：201621075882
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2017.05.31

再多了解一些