技术总结
一种用于制造集成MEMS‑CMOS装置的方法,该方法使用微制造处理,该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻(DRIE)的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层,在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构(MEMS)。在蚀刻机械层的过程中,直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏,且称为等离子体诱发损坏(PID)。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路,直到MEMS层完全被蚀刻。
技术研发人员:桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希;提-希斯·特伦斯·李;阿里·J·拉斯特加尔;姆谷拉尔·斯唐库;肖·查理斯·杨
受保护的技术使用者:矽立科技有限公司
文档号码:201611139921
技术研发日:2013.03.11
技术公布日:2017.05.24
一种用于制造集成MEMS‑CMOS装置的方法,该方法使用微制造处理,该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻(DRIE)的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层,在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构(MEMS)。在蚀刻机械层的过程中,直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏,且称为等离子体诱发损坏(PID)。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路,直到MEMS层完全被蚀刻。
技术研发人员:桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希;提-希斯·特伦斯·李;阿里·J·拉斯特加尔;姆谷拉尔·斯唐库;肖·查理斯·杨
受保护的技术使用者:矽立科技有限公司
文档号码:201611139921
技术研发日:2013.03.11
技术公布日:2017.05.24
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。