用于集成MEMS‑CMOS装置的方法和结构与流程

技术特征：

1.一种用于制造集成的MEMS-CMOS装置的方法，包括：

提供具有表面区的基板；

形成上覆盖所述表面区的CMOS IC层，所述CMOS IC层具有至少一个CMOS电极；

形成上覆盖所述CMOS IC层的机械结构层；

形成至少一个MEMS装置，所述至少一个MEMS装置从所述机械结构层的第一部分上覆盖所述CMOS IC层，所述至少一个MEMS装置具有至少一个MEMS电极；以及

从所述机械结构层的第二部分形成保护结构，所述保护结构包括一个或多个接地柱、跳线和ESD二极管，其中，所述保护结构耦合至所述至少一个MEMS电极和所述至少一个CMOS电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述ESD二极管耦合至所述至少一个CMOS电极。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述跳线耦合所述至少一个MEMS电极和所述至少一个CMOS电极。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个MEMS电极和所述至少一个CMOS电极在形成所述至少一个MEMS装置之后经由所述跳线电耦合。

5.如权利要求1的方法，还包括形成上覆盖至少一个CMOS装置的电极接地环结构，所述电极接地环结构耦合至地和所述至少一个CMOS装置。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述电极接地环结构配置为将来自等离子体蚀刻处理的等离子体感生电荷引导至地。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述机械结构层、所述形成所述至少一个MEMS装置和所述形成所述保护结构包括等离子体蚀刻处理。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述保护结构配置为将来自等离子体蚀刻处理的等离子体感生电荷引导至地。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个MEMS装置包括惯性传感器、加速计、陀螺仪、磁场传感器、压力传感器、湿度传感器、温度传感器、化学传感器或生物传感器。