半导体结构及其形成方法与流程

2021-10-26 12:27:53 来源：中国专利 TAG：半导体特别结构方法

技术总结
一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述衬底的第一表面上形成第一器件；形成覆盖衬底第一表面和第一器件的缓冲层；在所述缓冲层表面粘贴保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞。上述半导体结构的形成方法可以避免缓冲层与保护膜之间形成气体鼓包，提高保护膜的保护性能以及后续工艺机台抓取衬底时的可靠性。

技术研发人员：郑超;马军德;王伟
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510225523
技术研发日：2015.05.05
技术公布日：2016.12.07

再多了解一些