半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

在所述衬底的第一表面上形成第一器件；

形成覆盖衬底第一表面和第一器件的缓冲层；

在所述缓冲层表面粘贴保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述缓冲层表面粘贴保护膜的方法包括：提供薄膜；对所述薄膜进行打孔，形成具有孔洞结构的薄膜；将所述薄膜粘贴在缓冲层表面，形成保护膜。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述孔洞的形状为圆形、椭圆形、方形或三角形。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述孔洞为圆形时，孔洞的直径为1mm～5mm。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，相邻孔洞之间的间距为10mm～20mm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护膜为蓝膜或UV膜。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为光刻胶或有机抗反射层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述缓冲层表面粘贴保护膜的方法包括：在所述缓冲层表面粘贴薄膜；扫描薄膜表面的缺陷，获取薄膜与缓冲层之间的气体鼓包位置；刺破气体鼓包，使薄 膜恢复平整，形成具有孔洞结构的保护膜。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过缺陷扫描机台扫描薄膜表面的缺陷。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，缺陷扫描机台获取薄膜表面图形之后，与没有缺陷的薄膜图形进行比较，获取薄膜与缓冲层之间的气体鼓包位置信息。

13.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过芯片探针测试机台刺破气体鼓包，使薄膜恢复平整。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，缺陷扫描机台将获取的薄膜表面图形以及气体鼓包位置信息传输到芯片探针测试机台，所述芯片探针测试机台根据薄膜表面图形上的气体鼓包位置信息，通过探针将气体鼓包刺破，使薄膜恢复平整。

15.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件为微机电器件。

16.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述保护膜之后，在所述衬底的第二表面上形成第二器件。

17.根据权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二器件为微机电器件。

18.一种根据权利要求1至17中任一形成方法所形成的半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

位于所述衬底的第一表面上的第一器件；

覆盖衬底第一表面和第一器件的缓冲层；

位于所述缓冲层表面的保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞。