一种微型无线圈磁通门传感器及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种微型无线圈磁通门传感器，其特征在于：包括NiFe线、NiFe线引线焊盘、Cu导线和Cu导线引线焊盘；所述NiFe线由上层NiFe线和下层NiFe线两部分构成；所述NiFe线引线焊盘包括上层NiFe线引线焊盘和下层NiFe线引线焊盘；上层NiFe线位于Cu导线的上面；下层NiFe线位于Cu导线的下面；上层NiFe线和下层NiFe线为不同的排布方向；上层NiFe线和下层NiFe线在首尾处依次交替相连；上层NiFe线由上层NiFe线引线焊盘引出；下层NiFe线由下层NiFe线引线焊盘引出；上层NiFe线与下层NiFe线将Cu导线包围在中间，Cu导线由两端的Cu导线引线焊盘引出。

2.如权利要求1所述的微型无线圈磁通门传感器，其特征在于：NiFe线与Cu导线之间没有绝缘层和保护层。

3.如权利要求1所述的微型无线圈磁通门传感器，其特征在于：上层NiFe线为逆时针方向旋转，下层NiFe线为顺时针方向旋转，它们具有相同的旋转角度。

4.如权利要求3所述的微型无线圈磁通门传感器，其特征在于：上层NiFe线沿逆时针旋转角度为15°、30°、45°或60°四种方式；下层NiFe线沿顺时针旋转角度为-15°、-30°、-45°或-60°四种方式。

5.如权利要求1至4任一所述的微型无线圈磁通门传感器，其特征在于：微型无线圈磁通门传感器位于衬底上，衬底是带有SiO2绝缘层的Si衬底。

6.一种微型无线圈磁通门传感器制备方法，包括以下步骤：

步骤1：Si衬底上生长SiO2绝缘层；

步骤2：生长Cu种子层；

步骤3：制备下层NiFe层；

步骤4：制备Cu层；

步骤5：制备上层NiFe层；

步骤6：去除Cu电镀种子层；

步骤7：旋涂聚酰亚胺保护层。

7.如权利要求6所述的微型无线圈磁通门传感器制备方法，其特征在于：所述步骤1具体为通过热氧化在Si衬底上生长SiO2绝缘层。

8.如权利要求6所述的微型无线圈磁通门传感器制备方法，其特征在于：所 述步骤2具体为采用磁控溅射溅射生成Cu种子层。

9.如权利要求6所述的微型无线圈磁通门传感器制备方法，其特征在于：所述步骤3具体为利用电镀工艺，结合下层NiFe掩膜板通过紫外光刻工艺制备下层NiFe层。

10.如权利要求6所述的微型无线圈磁通门传感器制备方法，其特征在于：所述步骤5具体为利用电镀工艺，结合上层NiFe掩膜板通过紫外光刻工艺制备上层NiFe层。