用于MEMS器件中的气密密封的具有锥形侧壁的凹槽的制作方法

技术特征：

1.一种集成电路(IC)器件，包括：

第一衬底，具有前侧和背侧，其中，所述背侧包括延伸至所述第一衬底内的第一空腔；

介电层，设置在所述第一衬底的背侧上，其中，所述介电层包括对应于所述第一空腔的开口以及远离所述开口横向延伸并且终止于气体入口凹槽处的沟槽；

凹槽，位于所述第一衬底的前侧中，所述凹槽从所述前侧向下延伸至所述介电层，所述凹槽具有邻接下部侧壁的基本垂直的上部侧壁，所述下部侧壁从所述基本垂直的上部侧壁至所述介电层上的围绕所述气体入口凹槽的位置处向内锥形化；以及

共形密封剂层，位于所述第一衬底的前侧上方、沿着所述基本垂直的上部侧壁并且沿着所述下部侧壁、以及气密密封所述气体入口凹槽。

2.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述第一空腔保持第一压力，并且其中，所述第一衬底的背侧还包括：

第二空腔，延伸至所述第一衬底内，其中，所述第二空腔保持第二压力，所述第二压力与所述第一空腔中保持的第一压力不同，其中，所述第二空腔与所述第一空腔隔离，在所述第一衬底的前侧中没有便于接通所述第二空腔的气体入口凹槽。

3.根据权利要求1所述的IC器件，

其中，基本垂直的上部侧壁位于第一平面上，所述第一平面与所述第一衬底的前侧成介于87度和93度之间的范围内的第一角度；以及

其中，下部侧壁位于第二平面上，所述第二平面与所述第一衬底的前侧成介于60度和88度之间的范围内的第二角度。

4.根据权利要求1所述的IC器件，还包括：

上部锥形侧壁，从所述基本垂直的上部侧壁的最接近所述第一衬底的前侧的上部向外锥形化。

5.根据权利要求4所述的IC器件，

其中，基本垂直的上部侧壁位于第一平面上，所述第一平面与所述第一衬底的前侧成介于87度和93度之间的范围内的第一角度；

其中，下部侧壁位于第二平面上，所述第二平面与所述第一衬底的前侧成介于60度和88度之间的范围内的第二角度；以及

其中，上部锥形侧壁位于第三平面上，所述第三平面与所述第一衬底的前侧成介于60度和88度之间的范围内的第三角度。

6.根据权利要求5所述的IC器件，其中，所述第二角度和所述第三角度不同。

7.根据权利要求5所述的IC器件，其中，所述第二角度和所述第三角度相等。

8.一种器件，包括：

CMOS管芯，包括CMOS衬底；

MEMS管芯，包括MEMS衬底并且接合至所述CMOS管芯；

覆盖结构，包括覆盖衬底和位于所述覆盖结构的下侧上的介电层，其中，所述介电层包括第一空腔和第二空腔以及从所述第一空腔横向延伸的气体入口凹槽，所述覆盖结构的介电层接合至所述MEMS管芯的上表面；

凹槽，具有基本垂直的侧壁，所述基本垂直的侧壁从位于所述气体入口凹槽上方的覆盖结构的上表面向下延伸并且与下部侧壁相接，所述下部侧壁从所述基本垂直的侧壁向内锥形化，其中，所述下部侧壁向下延伸至所述介电层的上表面；以及

共形氧化物层，位于所述覆盖结构的上表面上方、沿着所述基本垂直的侧壁并且沿着所述下部侧壁，其中，所述共形氧化物层气密密封所述气体入口凹槽和所述第一空腔以及第一压力，所述第一压力与所述第二空腔中保持的第二压力不同。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述凹槽包括：

下部锥形侧壁，从所述基本垂直的侧壁的下部向内锥形化；以及

上部锥形侧壁，从所述基本垂直的侧壁的上部向外张开。

10.一种形成IC(集成电路)器件的方法，所述方法包括：

接收具有前侧和背侧的第一晶圆，其中，在所述第一晶圆的背侧上设 置介电层；

在所述介电层中形成气体入口凹槽；

形成第一空腔凹槽和第二空腔凹槽，所述第一空腔凹槽和所述第二空腔凹槽延伸穿过所述介电层并且延伸至所述第一晶圆内，其中，所述第一空腔凹槽形成为邻接所述气体入口凹槽，并且所述第二空腔凹槽与所述气体入口凹槽隔离；

接收具有前侧和背侧的第二晶圆；

将所述第二晶圆的前侧接合至所述第一晶圆的背侧，从而使得所述第二晶圆的第一MEMS器件区和第二MEMS器件区分别与所述第一空腔凹槽和所述第二空腔凹槽对准；

在所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起之后，对所述第一晶圆的前侧实施Bosch蚀刻以在所述气体入口凹槽上方形成凹槽，其中，所述凹槽展示出在所述气体入口凹槽上方的第一晶圆内终止的下表面并且展示出设置在所述气体入口凹槽的相对两侧上的基本垂直的侧壁；以及

实施锥形化蚀刻以增加所述凹槽的深度并且暴露所述气体入口凹槽，其中，所述锥形化蚀刻产生下部凹槽侧壁，所述下部凹槽侧壁从所述基本垂直的侧壁至所述介电层上的位于所述气体入口凹槽的相对两侧上的位置处向内锥形化。