MEMS器件的形成方法与流程

2021-10-26 12:19:48 来源：中国专利 TAG：半导体器件方法制造 MEMS

技术总结
本发明提供一种MEMS器件的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成含碳的牺牲层；在所述牺牲层上以及牺牲层的侧壁覆盖材料层；刻蚀部分所述材料层，以在所述材料层中形成露出部分牺牲层的孔洞；通过所述孔洞进行刻蚀以去除所述牺牲层，形成由所述材料层与所述衬底构成的空腔。本发明的有益效果在于，形成的空腔整体性更好，并且可以降低去除牺牲层之后，在空腔中留有残留物的几率，进而有利于增加形成的MEMS器件的整体性能。

技术研发人员：伏广才;张校平
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201410736247
技术研发日：2014.12.04
技术公布日：2017.09.22

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