MEMS器件的形成方法与流程

技术特征：
1.一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成含碳的牺牲层；在所述牺牲层上以及牺牲层的侧壁覆盖材料层；刻蚀部分所述材料层，以在所述材料层中形成露出部分牺牲层的孔洞；通过所述孔洞进行刻蚀以去除所述牺牲层，形成由所述材料层与所述衬底构成的空腔；其中，形成牺牲层的步骤包括：在所述衬底上形成含碳的第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成有机物材料的第二牺牲层。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为无定形碳或者含氟碳。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一牺牲层的步骤包括：采用化学气相沉积的方式形成所述第一牺牲层，并采用四氟化碳和氧气作为化学气相沉积的反应气体。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料为聚酰亚胺。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，第一牺牲层的厚度范围在300～2000纳米的范围内；第二牺牲层的厚度范围在1×104～5×104纳米的范围内。6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，第二牺牲层的厚度大于第一牺牲层的厚度。7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成材料层的步骤之前，所述形成方法还包括：在所述牺牲层的表面形成吸气剂层；形成材料层的步骤包括：...