例2:参见图5至7，与实施例1的主要区别在于:所述肋条11a的个数为8，分别设置在方盒状封装腔体底面4个顶角的两侧，每根肋条分别向底面和侧面延伸;所述吸气剂是留有缺口的四周环绕式结构，沿着MEMS器件打线区域外围一周放置于8根肋条上，吸气剂通过缺口形成的两端上引出的加热激活金属丝焊接至封装基底上的焊盘上。
[0040]实施例3:参见图8，与实施例2的主要区别在于:将实施例2中所述的8根肋条11a用多个凸点lib替代，使其与吸气剂保持点接触。所述凸点还可以设置在底面或者是底面和侧面上。在本实施例中，封装基底的底面是平整的，因此所述凸点的高度保持一致，用来保证吸气剂的平稳放置。
[0041]实施例4:参见图9，与实施例2的主要区别在于:所述支撑装置还可以是肋条和凸点的组合，例如在底面上设置肋条，在侧面上选择一个或多个凸点，用来辅助吸气剂的平稳放置又或者是在底面上设置凸点，而在侧面上选择设置肋条。很明显地，相对于肋条，凸点在封装腔体内表面上占据的面积更少，其产生的热传递会更少。
[0042]从上述实施例可以看出，在实际生产应用中，所述肋条和凸点的个数和设置方式还可以有其他若干种方式，本说明书实施例不能穷举。需要注意的是，在保证吸气剂的稳定放置的前提下，所述肋条或凸点在腔体内表面上占据的面积越少则热传递会减少的更多。
[0043]实施例5:参见图10和11，所述支撑装置设置在封装盖板40上，是从封装盖板40向腔体内延伸的U型挂钩41。所述U型挂钩用于支撑吸气剂，其形状和尺寸与吸气剂相配合，个数可根据需要进行设定。
[0044]进一步地，所述支撑装置，例如肋条或凸点可与封装基底一体化形成，U型挂钩可与封装盖板一体化形成，一体化的制作方法可以有效减少生产工艺的复杂性，使支撑装置对生产成本的增加变得微乎其微。所述肋条、凸点和封装基底优选采用陶瓷或硅材料制作
ntj D
[0045]本实用新型创新性的在封装基底或封装盖板上设置支撑装置，使吸气剂悬置在腔体内部，不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体，在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递，一方面可以避免其产生的热量通过封装基底或封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上，对IC/MEMS器件造成不利影响；另一方面可以提高吸气剂的激活效率和成功率，减少由于吸气剂激活失败引起的MEMS封装结构的报废，进一步提高成品率。
[0046]另外，在本实用新型中采用的吸气剂是留有缺口的四周环绕式结构，相比于传统吸气剂一侧放置，在减少封装体积的前提下显著增大吸气剂表面积，使腔体内真空度保持更持久，延长MEMS高真空封装结构的使用寿命。
[0047]实施例6:参见图12和图13，所述MEMS高真空封装结构是红外热成像传感器，其中的MEMS器件是红外焦平面阵列，封装盖板由可伐金属41和光学窗口 42组成。所述光学窗口可以为锗窗，用于投射红外信号。在这种类型的传感器中，优选在封装基底上设置支撑装置。
[0048]实施例7:参见图14，在上述实施例中的吸气剂均为带状吸气剂20a，也就是中间部分为加热激活金属丝21a的方形带状吸气剂20a，因此可以直接将激活金属丝21a引出焊接至焊盘12上。但本实用新型的吸气剂还可以是薄膜状吸气剂20b，即是在加热激活金属板21b上溅射沉积的吸气剂薄膜20b，参见图15。吸气剂薄膜的加热激活可以通过在加热激活金属板两端引出一段加热激活金属丝，将其焊接至焊盘上来实现。所述加热激活金属丝优选为钼丝，钼丝具有优良的热传导性能和较好的硬度，可以帮助吸气剂更好的固定在肋条上。所述吸气剂优选为错、钥^、铁、钛金属的合金。
[0049]在上述实施例中我们采用的封装基底是方盒状的封装基底，但本实用新型还可以应用于其他形状的封装基底上，例如当封装基底是平面状时可以仅在底面上设置三角形横截面的肋条或者凸点来实现，当封装基底的底面不是平面的时候，例如呈凹面或凸面时还可以通过调整肋条或凸点的高度和大小来确保吸气剂的稳定放置。
[0050]为了保证四周环绕式吸气剂的稳定放置，我们选择的肋条个数为4或者8，凸点也设置在方盒状封装基底的每个顶角附近。但是当我们选择其他形状的吸气剂时可以将肋条和凸点的位置和个数进行适应性的调整。因此，本实用新型并不局限于四周环绕放置的吸气剂。
[0051]总之，以上仅为本实用新型较佳的实施例，并非用于限定本实用新型的保护范围，在本实用新型的精神范围之内，对本实用新型所做的等同变换或修改均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂，所述封装腔体包括封装基底和封装盖板，其特征在于:在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置，使吸气剂悬置在腔体内部，不与封装腔体内表面接触。2.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装基底上，是与吸气剂保持线接触的肋条。3.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装基底上，是与吸气剂保持点接触的凸点。4.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装基底上，是肋条和凸点的组合，其中，所述肋条与吸气剂线接触，所述凸点与吸气剂点接触。5.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装盖板上，是从封装盖板向腔体内延伸的U型挂钩。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述封装基底是方盒状，具有底面和侧面，与封装盖板结合形成一个立方形的封装腔体;所述吸气剂是留有缺口的四周环绕式结构，其形状与封装腔体相配合，沿着MEMS器件打线区域外围一周放置于支撑装置上，吸气剂通过缺口形成的两端上引出的加热激活金属丝焊接至封装基底上的焊盘上。7.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置与封装基底或封装盖板一体化形成。8.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述吸气剂为带状或薄膜状，所述带状吸气剂是指中间部分为加热激活金属丝的方形带状吸气剂，所述薄膜状吸气剂是指在加热激活金属板上溅射沉积的吸气剂薄膜。9.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述MEMS高真空封装结构是红外热成像传感器，所述MEMS器件是红外焦平面阵列，所述封装盖板由可伐金属和光学窗口组成。
【专利摘要】本实用新型提供一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂，所述封装腔体包括封装基底和封装盖板，在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置，使吸气剂悬置在腔体内部，不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体，在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递，避免其产生的热量通过封装基底或者封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上，对IC/MEMS器件造成不利影响，更重要的是可以提高吸气剂的激活效率和成功率，减少吸气剂激活失败引起的封装结构的报废。
【IPC分类】B81B7/00
【公开号】CN205133146
【申请号】CN201520913888
【发明人】赵照
【申请人】合肥芯福传感器技术有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月17日
[0040]实施例3:参见图8，与实施例2的主要区别在于:将实施例2中所述的8根肋条11a用多个凸点lib替代，使其与吸气剂保持点接触。所述凸点还可以设置在底面或者是底面和侧面上。在本实施例中，封装基底的底面是平整的，因此所述凸点的高度保持一致，用来保证吸气剂的平稳放置。
[0041]实施例4:参见图9，与实施例2的主要区别在于:所述支撑装置还可以是肋条和凸点的组合，例如在底面上设置肋条，在侧面上选择一个或多个凸点，用来辅助吸气剂的平稳放置又或者是在底面上设置凸点，而在侧面上选择设置肋条。很明显地，相对于肋条，凸点在封装腔体内表面上占据的面积更少，其产生的热传递会更少。
[0042]从上述实施例可以看出，在实际生产应用中，所述肋条和凸点的个数和设置方式还可以有其他若干种方式，本说明书实施例不能穷举。需要注意的是，在保证吸气剂的稳定放置的前提下，所述肋条或凸点在腔体内表面上占据的面积越少则热传递会减少的更多。
[0043]实施例5:参见图10和11，所述支撑装置设置在封装盖板40上，是从封装盖板40向腔体内延伸的U型挂钩41。所述U型挂钩用于支撑吸气剂，其形状和尺寸与吸气剂相配合，个数可根据需要进行设定。
[0044]进一步地，所述支撑装置，例如肋条或凸点可与封装基底一体化形成，U型挂钩可与封装盖板一体化形成，一体化的制作方法可以有效减少生产工艺的复杂性，使支撑装置对生产成本的增加变得微乎其微。所述肋条、凸点和封装基底优选采用陶瓷或硅材料制作
ntj D
[0045]本实用新型创新性的在封装基底或封装盖板上设置支撑装置，使吸气剂悬置在腔体内部，不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体，在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递，一方面可以避免其产生的热量通过封装基底或封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上，对IC/MEMS器件造成不利影响；另一方面可以提高吸气剂的激活效率和成功率，减少由于吸气剂激活失败引起的MEMS封装结构的报废，进一步提高成品率。
[0046]另外，在本实用新型中采用的吸气剂是留有缺口的四周环绕式结构，相比于传统吸气剂一侧放置，在减少封装体积的前提下显著增大吸气剂表面积，使腔体内真空度保持更持久，延长MEMS高真空封装结构的使用寿命。
[0047]实施例6:参见图12和图13，所述MEMS高真空封装结构是红外热成像传感器，其中的MEMS器件是红外焦平面阵列，封装盖板由可伐金属41和光学窗口 42组成。所述光学窗口可以为锗窗，用于投射红外信号。在这种类型的传感器中，优选在封装基底上设置支撑装置。
[0048]实施例7:参见图14，在上述实施例中的吸气剂均为带状吸气剂20a，也就是中间部分为加热激活金属丝21a的方形带状吸气剂20a，因此可以直接将激活金属丝21a引出焊接至焊盘12上。但本实用新型的吸气剂还可以是薄膜状吸气剂20b，即是在加热激活金属板21b上溅射沉积的吸气剂薄膜20b，参见图15。吸气剂薄膜的加热激活可以通过在加热激活金属板两端引出一段加热激活金属丝，将其焊接至焊盘上来实现。所述加热激活金属丝优选为钼丝，钼丝具有优良的热传导性能和较好的硬度，可以帮助吸气剂更好的固定在肋条上。所述吸气剂优选为错、钥^、铁、钛金属的合金。
[0049]在上述实施例中我们采用的封装基底是方盒状的封装基底，但本实用新型还可以应用于其他形状的封装基底上，例如当封装基底是平面状时可以仅在底面上设置三角形横截面的肋条或者凸点来实现，当封装基底的底面不是平面的时候，例如呈凹面或凸面时还可以通过调整肋条或凸点的高度和大小来确保吸气剂的稳定放置。
[0050]为了保证四周环绕式吸气剂的稳定放置，我们选择的肋条个数为4或者8，凸点也设置在方盒状封装基底的每个顶角附近。但是当我们选择其他形状的吸气剂时可以将肋条和凸点的位置和个数进行适应性的调整。因此，本实用新型并不局限于四周环绕放置的吸气剂。
[0051]总之，以上仅为本实用新型较佳的实施例，并非用于限定本实用新型的保护范围，在本实用新型的精神范围之内，对本实用新型所做的等同变换或修改均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂，所述封装腔体包括封装基底和封装盖板，其特征在于:在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置，使吸气剂悬置在腔体内部，不与封装腔体内表面接触。2.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装基底上，是与吸气剂保持线接触的肋条。3.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装基底上，是与吸气剂保持点接触的凸点。4.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装基底上，是肋条和凸点的组合，其中，所述肋条与吸气剂线接触，所述凸点与吸气剂点接触。5.根据权利要求1所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置设置在封装盖板上，是从封装盖板向腔体内延伸的U型挂钩。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述封装基底是方盒状，具有底面和侧面，与封装盖板结合形成一个立方形的封装腔体;所述吸气剂是留有缺口的四周环绕式结构，其形状与封装腔体相配合，沿着MEMS器件打线区域外围一周放置于支撑装置上，吸气剂通过缺口形成的两端上引出的加热激活金属丝焊接至封装基底上的焊盘上。7.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述支撑装置与封装基底或封装盖板一体化形成。8.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述吸气剂为带状或薄膜状，所述带状吸气剂是指中间部分为加热激活金属丝的方形带状吸气剂，所述薄膜状吸气剂是指在加热激活金属板上溅射沉积的吸气剂薄膜。9.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，其特征在于:所述MEMS高真空封装结构是红外热成像传感器，所述MEMS器件是红外焦平面阵列，所述封装盖板由可伐金属和光学窗口组成。
【专利摘要】本实用新型提供一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构，包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂，所述封装腔体包括封装基底和封装盖板，在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置，使吸气剂悬置在腔体内部，不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体，在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递，避免其产生的热量通过封装基底或者封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上，对IC/MEMS器件造成不利影响，更重要的是可以提高吸气剂的激活效率和成功率，减少吸气剂激活失败引起的封装结构的报废。
【IPC分类】B81B7/00
【公开号】CN205133146
【申请号】CN201520913888
【发明人】赵照
【申请人】合肥芯福传感器技术有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月17日
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