一种晶圆片清洗装置的制作方法

1.本实用新型属于半导体硅片制造辅助设备技术领域，尤其是涉及一种晶圆片清洗装置。


背景技术：

2.随着大规模集成电路的不断发展，对于晶圆片抛光后的表面洁净度要求也越来越高，晶圆片的清洗质量直接影响几何参数和后续的理化测试分析。目前晶圆片的清洗方式，尤其是在清洗晶圆片背面即靠近放置台一侧的晶圆片表面时，由于清洗放置装置结构设计的不合理，导致晶圆片表面清洗不净的技术问题。


技术实现要素：

3.本实用新型提供一种晶圆片清洗装置，解决了现有技术中晶圆片清洗不干净的技术问题。
4.为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
5.一种晶圆片清洗装置，包括放置台，在所述放置台上设有用于固定晶圆片的支撑组件一和支撑组件二；所述支撑组件一和所述支撑组件二均沿所述放置台高度方向交替伸缩设置；所述支撑组件一具有若干支杆一，所述支撑组件二具有若干支杆二；连接所述支杆一和所述支杆二所围成图形的外接圆均与所述晶圆片同心设置。
6.优选地，连接所述支杆一和所述支杆二所围成图形的外接圆为同一个圆，且所述支杆一和所述支杆二沿其外接圆错位设置。
7.进一步的，所述支杆一和所述支杆二伸缩的高度相同且均朝靠近晶圆片一侧的方向设置。
8.进一步的，所有所述支杆一和所有所述支杆二分别同步移动，且均与所述晶圆片外边缘卡接设置。
9.进一步的，所述支杆一的数量与所述支杆二的数量相同或不相同。
10.优选地，所述支杆一的数量至少为3个；所述支杆二的数量至少为3个。
11.进一步的，所述支杆一和所述支杆二均沿其外接圆的圆周均匀且间隔设置。
12.进一步的，还包括在所述放置台上设有用于喷淋药液的喷管组一和喷管组二，所述喷管组一和所述喷管组二对称设置在所述晶圆片两侧；所述喷管组件一被置于所述晶圆片上方，所述喷管组件二被置于所述晶圆片下方。
13.进一步的，所述喷管组一和所述喷管组二均被配置于朝所述晶圆片中心设置。
14.进一步的，还包括分别向所述晶圆片两侧喷射氮气的氮气管一和氮气管二，所述氮气管一和所述氮气管二被配置于所述晶圆片侧面，并距离所述晶圆片一定距离；且置于所述放置台上方；所述氮气管一朝所述晶圆片上端面喷气，所述氮气管二朝所述晶圆片下端面喷气。
15.采用本实用新型设计的清洗装置，尤其是对于清洗晶圆片的上下双侧两面，比传
统的清洗控制方式有明显改善作用，清洗效果从现有下端面颗粒约50ea降低至20ea以下，不仅结构设计简单，而且易于控制。
16.通过交替设置的支撑组件一和支撑组件二可稳定控制晶圆片水平设置并使其稳定放置，同时亦可确保晶圆片在旋转的同时双侧两面全部被药液覆盖住，尤其是对与晶圆片卡接固定接触的支撑组件一和支撑组件二所在的位置，可完全清洗干净；同时稳定放置的晶圆片亦有利于上下对称设置的喷管组一和喷管组二、以及氮气管一和氮气管二药液的喷淋，最终达到双面清洗干净的目的。
附图说明
17.图1是本实用新型一实施例的清洗装置的结构示意图；
18.图2是本实用新型一实施例的清洗装置的俯视图。
19.图中：
20.10、放置台
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20、支撑组件一
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30、支撑组件二
21.40、喷管组一
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50、喷管组二
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60、氮气管一
22.70、氮气管二
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80、晶圆片
具体实施方式
23.下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
24.本实施例提出一种晶圆片清洗装置，如图1
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2所示，包括可旋转设置的放置台10，在放置台10上设有用于固定晶圆片80的支撑组件一20和支撑组件二20；支撑组件一20和支撑组件二30均与晶圆片70的外边缘接触并使晶圆片70水平稳定放置，且支撑组件一20和支撑组件二30均沿放置台10高度方向交替伸缩设置；支撑组件一20包括若干支杆一，支撑组件二30包括若干支杆二；连接支杆一和支杆二所围成图形的外接圆均与晶圆片80同心设置。通过交替设置的支撑组件一20和支撑组件二30可稳定控制晶圆片80水平设置并使其稳定放置，同时亦可确保晶圆片80在放置台10上旋转的同时，使晶圆片80的双侧两面全部被药液覆盖住，尤其是对与晶圆片80卡接固定接触的支撑组件一20和支撑组件二30所在的位置，可完全清洗干净。
25.优选地，连接支杆一和支杆二所围成的图形的外接圆为同一个圆，且支杆一和支杆二沿其外接圆错位设置。支杆一和支杆二伸缩的高度相同且均朝靠近晶圆片80一侧的方向设置。
26.进一步的，所有支杆一和所有支杆二分别同步移动，且均与晶圆片80的外边缘卡接设置，并其交替卡固的时间都相同，且伸缩速度都相同。所有支杆一和所有支杆二均贯穿放置台10设置，随放置台10旋转而旋转，晶圆片80被机械手吸盘水平放置时，支撑组件一20中的支杆一同步上升并与晶圆片80接触，并使晶圆片80稳定卡固，旋转一定时间；再控制支撑组件二30中的支杆二同步上升与晶圆片80接触，并将晶圆片80卡固，支撑组件一20再回撤，旋转同样的时间；再控制支撑组件一20上升卡固晶圆片80，替换支撑组件二30；如此交替与晶圆片80接触。
27.进一步的，支撑组件一20中的支杆一的数量与支撑组件二30中的支杆二的数量相同或不相同。
28.优选地，支杆一的数量至少为3个；支杆二的数量至少为3个。3个支杆一或3个支杆二均可保证晶圆片80被稳定支撑固定。在本实施例中，旋转支杆一的数量为3个，支杆二的数量也为3个，选择最低数量的支杆一和支杆二与晶圆片80接触，在保证每一组的支撑组件使晶圆片80稳定地水平放置的条件下，并且使其与晶圆片80的接触点的数量最少，以提高晶圆片80表面清洗的效果。
29.进一步的，支杆一和支杆二均沿其外接圆的圆周均匀且间隔设置。在本实施例中，支杆一和支杆二的结构相同，其与晶圆片80接触的可为u型结构的卡头或其它任一结构的卡接结构，此为本领域常用配合方式，在此省略。
30.进一步的，还包括在放置台10上设有用于喷淋药液的喷管组一40和喷管组二50，喷管组一40和喷管组二50对称设置在晶圆片80的上下两侧，即喷管组一40被架体固定且可伸缩地固定设置在晶圆片80的上方，当没有无需喷液或没有放置晶圆片80时，架体带动喷管组一40远离放置台10设置，并回撤到其初始位置；避免当需要放置晶圆片80时，架体和喷管组一40妨碍晶圆片80的放置。喷管组二50贯穿放置台10设置并位于晶圆片80的下方，喷管组二50可沿晶圆片80的厚度方向竖直向上移动或向下回撤，以调整喷淋药液对晶圆片80喷淋的效果。
31.进一步的，喷管组一40和喷管组二50均被配置于朝晶圆片80的中心设置，即喷管组一40和喷管组二50都是向晶圆片80的中心喷淋药液。在本实施例中，喷管组一40和喷管组二50都包括三个喷管，分别是水管、喷臭氧水管和氢氟酸管，三个喷管紧贴设置，臭氧水将晶圆片80表面上含有金属颗粒的硅表层氧化，形成载有金属颗粒的二氧化硅氧化物，带有金属颗粒的二氧化硅氧化物再被氢氟酸去除，从而将金属颗粒物从硅片表面去除，流动的水再将晶圆片80的表面清洗干净，从而完成对晶圆片80表面金属颗粒的清洗。
32.进一步的，为了加速清洗后晶圆片80表面的干燥，还包括分别向晶圆片80两侧喷射氮气的氮气管一60和氮气管二70，以快速吹干晶圆片80的双侧表面，同时还不会与晶圆片80表面反应，保证晶圆片80的表面质量。
33.在本实施例中，氮气管一60和氮气管二70被配置于晶圆片80侧面，并距离晶圆片80一定距离；且均置于放置台10的上方，在本实施例中，氮气管一60朝晶圆片80的上端面喷气，氮气管二70朝晶圆片80的下端面喷气。氮气管的设置可进一步加速清洗后湿的晶圆片80表面的干燥，节约清洗时间。
34.采用本实用新型设计的清洗装置，尤其是对于清洗晶圆片的上下双侧两面，比传统的清洗控制方式有明显改善作用，清洗效果从现有下端面颗粒约50ea降低至20ea以下，不仅结构设计简单，而且易于控制。
35.通过交替设置的支撑组件一和支撑组件二可稳定控制晶圆片水平设置并使其稳定放置，同时亦可确保晶圆片在旋转的同时双侧两面全部被药液覆盖住，尤其是对与晶圆片卡接固定接触的支撑组件一和支撑组件二所在的位置，可完全清洗干净；同时稳定放置的晶圆片亦有利于上下对称设置的喷管组一和喷管组二、以及氮气管一和氮气管二药液的喷淋，最终达到双面清洗干净的目的。
36.以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。