底部与线圈主体内圆1
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1下边缘1
‑
3之间设置上下斜面8；在线圈主体内圆1
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1下边缘1
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3处，设置一圈圆弧凸起7；在线圈主体内圆1
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1处开有四个贯通上下表面1
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5的十字狭缝，分别为狭缝ⅰ2
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1、狭缝ⅱ2
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2、狭缝ⅲ2
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3和狭缝ⅳ2
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4，在线圈主体1外圆沿狭缝ⅰ2
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1方向的一侧设置连接电极的法兰3，在法兰3与狭缝ⅰ2
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1间设置一条主缝4，主缝4宽度逐渐减小延伸至法兰3处。
10.使用时，如图3所示，将本实用新型的加热线圈11法兰3与区熔炉正负电极连接，调整加热线圈功率为15～50kw。该结构使用于区熔法制备单晶硅的加热线圈11中心处产生的电磁场分布更加均匀，即熔区12处温度梯度更小，同时降低固液界面（熔区12与多晶硅棒区3之间、熔区12与多晶硅原料区14之间）温度梯度，更利于稳定成晶；台阶5使得台阶正上方电磁场增强，避免较大直径多晶硅料边缘出现毛刺现象；上斜面6可以使斜面上方电磁场向内聚拢，使多晶硅料熔化界面平坦且向中心倾斜，有利于熔硅流向中心；下斜面8可以使斜面下方电磁场向内聚拢，降低结晶界面温度梯度，降低单晶硅内部的应力，降低断裂的风险。
技术特征：
1.一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，其特征在于：包括线圈主体（1）和线圈冷却水管（9），所述线圈冷却水管（9）嵌入所述线圈主体（1）内，线圈主体（1）为平板单匝结构，线圈主体（1）的上表面（1
‑
4）设有向线圈内部凹陷的台阶ⅰ（5
‑
1），在所述台阶ⅰ（5
‑
1）底部与线圈主体内圆（1
‑
1）上边缘（1
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2）之间设置上斜面（6）；在线圈主体（1）下表面（1
‑
5）设置向线圈内部凹陷的台阶ⅱ（5
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2）；在所述台阶ⅱ（5
‑
2）底部与线圈主体内圆（1
‑
1）下边缘（1
‑
3）之间设置下斜面（8）；在所述线圈主体内圆（1
‑
1）下边缘1
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3）处，设置一圈圆弧凸起（7）；在线圈主体内圆（1
‑
1）处开有四个贯通上下表面（1
‑
5）的十字狭缝，分别为狭缝ⅰ（2
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1）、狭缝ⅱ（2
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2）、狭缝ⅲ（2
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3）和狭缝ⅳ（2
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4），在线圈主体（1）外圆沿狭缝ⅰ（2
‑
1）方向的一侧设置连接电极的法兰（3），在所述法兰（3）与狭缝ⅰ（2
‑
1）间设置一条主缝（4），所述主缝（4）宽度逐渐减小延伸至法兰（3）处。
技术总结
本实用新型涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，包括线圈主体和线圈冷却水管，线圈冷却水管嵌入线圈主体内，线圈主体为平板单匝结构，线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ，在台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面；在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ；在台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置下斜面；在线圈主体内圆下边缘处，设置一圈圆弧凸起；在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝，在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰，在法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝，主缝宽度逐渐减小延伸至法兰处。本实用新型可以使熔区热场均匀、熔区温度梯度小、成晶率高。成晶率高。成晶率高。
技术研发人员：李聪 庞炳远 杨洪星 张伟才 郑万超 杨静 索开南 陈晨 王雄龙
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
技术研发日：2020.12.09
技术公布日：2021/10/8
再多了解一些
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