一种碳化硅粉料的合成方法与流程

技术特征：
1.一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：将高纯碳粉和高纯硅粉进行混合，并装入石墨坩埚内，其中所述石墨坩埚内设有氟化石墨内衬，将所述石墨坩埚放置炉腔内；将所述炉腔升温，并在升温过程中，向所述炉腔内通入氢气与惰性气体的混合气体，且所述氟化石墨内衬分解释放含氟气体；抽出所述炉腔内的气体，使所述高纯碳粉和所述高纯硅粉反应，得到中间相产物；将所述炉腔升温，使所述中间相产物反应生成碳化硅粉料。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述高纯碳粉和所述高纯硅粉的摩尔比为1:1～1:1.2。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述氟化石墨内衬的厚度为2～10mm。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，还包括如下步骤：将所述炉腔内温度从室温升至第一温度，其中，所述第一温度为400～600℃，且在升温过程中多次对炉腔进行充惰性气体及抽真空。5.根据权利要求4所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，将所述炉腔温度从所述第一温度升至第二温度，且在此期间向所述炉腔内通入氢气与惰性气体的混合气体，所述第二温度为1050～1150℃。6.根据权利要求5所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述氢气与所述惰性气体的体积比为3:1～5:1。7.根据权利要求5所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，在第二温度时，所述炉腔内的气体包括氢气、氮气、氟气及反应生产的氟化氢、气态氟化硅、氨气。8.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述高纯碳粉和所述高纯硅粉在炉腔真空度小于6
╳
10
‑6mbar时，且在第三温度下反应6～10h，制得所述中间相产物，其中，所述第三温度为1150～1300℃。9.根据权利要求8所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述中间相产物在第四温度下反应20～30h，制得碳化硅粉料，且所述第四温度为2000～2200℃。10.一种碳化硅粉料的合成装置，其特征在于，所述碳化硅粉料的合成装置用于执行权利要求1至权利要求9任一项所述碳化硅粉料的合成方法，且所述碳化硅粉料的合成装置包括：所述石墨坩埚，内设有所述氟化石墨内衬；以及石墨盖，连接所述石墨坩埚上，以形成反应腔。

技术总结
本发明公开了一种碳化硅粉料的合成方法，包括：通过将高纯碳粉和高纯硅粉进行混合，并装入石墨坩埚内，其中石墨坩埚内设有氟化石墨内衬，将所述石墨坩埚放置炉腔内；将所述炉腔升温，并在升温过程中，向所述炉腔内通入氢气与惰性气体的混合气体，且所述氟化石墨内衬分解释放含氟气体；抽出所述炉腔内的气体，使所述高纯碳粉和所述高纯硅粉反应，得到中间相产物；将所述炉腔升温，使所述中间相产物反应生成碳化硅粉料。通过本发明提供的一种碳化硅粉料合成方法，能够得到高纯度的碳化硅粉料。能够得到高纯度的碳化硅粉料。能够得到高纯度的碳化硅粉料。


技术研发人员：陈豆 关承浩 周玉洁 潘尧波
受保护的技术使用者：中电化合物半导体有限公司
技术研发日：2021.08.20
技术公布日：2021/10/8