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玻璃板及其制造方法与流程

2021-09-29 03:10:00 来源:中国专利 TAG:玻璃板 方法 制造 电子器件 用作

技术特征:
1.一种玻璃板,其具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面,所述第二主表面为形成电子构件的一侧,其中,使用下述计算方法导出的、所述第一主表面的表面si

oh基团密度为0(个/cm2)以上且8.7
×
10
14
(个/cm2)以下,以氧化物基准的质量%表示,所述玻璃板的玻璃组成含有:sio2:35%~73%、al2o3:5%~35%、b2o3:0~30%、mgo:0~20%、cao:0~30%、sro:0~30%、bao:0~40%、并且mgo、cao、sro和bao的合计:1%~55%、且实质上不含有碱金属氧化物,<计算方法>(i)对于作为试样的玻璃板的所述第一主表面,使用将试样与检测器所成的检测角度设定为15
°
的x射线光电子能谱法,测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度(原子%),并通过下式(1)计算出以si的原子浓度进行了归一化的表面si

o

r键数(sior
surf
),r是指mg、ca、sr、ba、al和b,sior
surf
=2
×
(s
mg
s
ca
s
sr
s
ba
) 3
×
(s
al
s
b
)

(1)式中,s
mg
、s
ca
、s
sr
、s
ba
、s
al
和s
b
各自是指将mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值,(ii)接着,对于所述第一主表面,使用c
60
离子溅射沿深度方向切削所述玻璃板而使玻璃板内部露出,对于所述玻璃板内部,使用将检测角度设定为75
°
的x射线光电子能谱法,测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度(原子%),并通过下式(2)计算出以si的原子浓度进行了归一化的内部si

o

r键数(sior
bulk
),sior
bulk
=2
×
(b
mg
b
ca
b
sr
b
ba
) 3
×
(b
al
b
b
)

(2)式中,b
mg
、b
ca
、b
sr
、b
ba
、b
al
和b
b
各自是指将mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值,(iii)使用玻璃密度、玻璃板中的si浓度、在所述(i)中计算出的所述表面si

o

r键数(sior
surf
)和在所述(ii)中计算出的所述内部si

o

r键数(sior
bulk
),通过下式(3)~(5)计算出所述第一主表面的表面si

oh基团密度(sioh
surf
)(个/cm2),d
si
=(d
×
si
mass%
×
6.02
×
10
23
)/(100
×
28.09)

(3)d
si

surf
=(d
si
)
2/3

(4)sioh
surf
=(sior
bulk

sior
surf
)
×
d
si

surf

(5)式中,d
si
是指玻璃板中的si原子密度(个/cm3),d是指玻璃密度(g/cm3),si
mass%
是指玻璃板中的si浓度(质量%),d
si

surf
是指表面si原子密度(个/cm2)。2.如权利要求1所述的玻璃板,其中,所述表面si

oh基团密度为7.6
×
10
14
(个/cm2)以下。3.如权利要求1或2所述的玻璃板,其中,所述表面si

oh基团密度为6.1
×
10
14
(个/cm2)
以下。4.如权利要求1~3中任一项所述的玻璃板,其中,所述第一主表面的最大谷深rv的绝对值为3.0nm以下。5.如权利要求1~4中任一项所述的玻璃板,其中,所述玻璃板的板厚为0.1mm~1.0mm。6.如权利要求1~5中任一项所述的玻璃板,其中,所述玻璃板为至少一边的长度为2500mm以上的矩形。7.如权利要求1~6中任一项所述的玻璃板,其中,所述玻璃板用作电子器件用基板。8.如权利要求1~7中任一项所述的玻璃板,其中,所述玻璃板用作显示器用基板。9.如权利要求1~7中任一项所述的玻璃板,其中,所述玻璃板用作柔性显示器制造用载体基板。10.如权利要求1~7中任一项所述的玻璃板,其中,所述玻璃板用作半导体封装用载体基板。11.一种玻璃板的制造方法,其为制造权利要求1~10中任一项所述的玻璃板的方法,其中,所述玻璃板的制造方法包含:使用包含碳酸钙的浆料,将与作为形成电子构件的一侧的第二主表面相反的第一主表面研磨1nm以上的工序。12.如权利要求11所述的玻璃板的制造方法,其中,在所述研磨的工序之后,使用碱性溶液进行所述第一主表面的清洗。

技术总结
本发明涉及玻璃板及其制造方法。本发明涉及一种玻璃板,其具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面,所述第二主表面为形成电子构件的一侧,其中,使用特定的计算方法导出的、所述第一主表面的表面Si


技术研发人员:左高雅和 小林大介
受保护的技术使用者:AGC株式会社
技术研发日:2021.03.26
技术公布日:2021/9/28
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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