玻璃板及其制造方法与流程

1.本发明涉及玻璃板及其制造方法，特别涉及适合用作电子器件用基板的玻璃板及其制造方法。


背景技术：

2.在电子器件、半导体封装中，有时在玻璃板上形成金属布线、透明电极、半导体元件、发光元件等电子构件(電子部材)、聚酰亚胺等的柔性树脂基板、rdl(重分布层)等。作为这样的电子器件，例如可以列举：fpd(平板显示器)、应用了液晶技术的平板天线等。fpd例如为液晶显示器、有机el(电致发光)显示器、微型led显示器。另外，作为半导体封装，可以列举扇出型(fan
‑
out型)半导体封装。
3.作为具体例，在液晶显示器中，在玻璃板上形成透明电极、tft(薄膜晶体管)、彩色滤光片(color filter)等。
4.对于在玻璃板上形成电子构件，例如如图1所示，在通过真空吸附将玻璃板1的第一主表面1a固定于吸附台2的状态下，对第二主表面1b进行。但是，在将玻璃板从吸附台剥离时，玻璃板带电，有可能导致静电放电(esd：electro
‑
static discharge)引起的布线的静电破坏。在近年来的电子器件中，集成度的提高显著，因此，布线的宽度、间隔都微细化，esd引起的不良情况发生的可能性变得更高。特别是在fpd中，伴随tft的高集成化，发生tft的破坏、显示品质受损等这样的问题有可能变得更加明显。另外，无论是在玻璃板的第二主表面上直接形成tft、布线等的情况下，还是在第二主表面上涂布聚酰亚胺树脂等然后形成tft、布线等的情况下，上述esd引起的布线的静电破坏的可能性也是同等的。
5.对此，采用对粘贴在吸附台上的玻璃板的第一主表面进行粗糙化处理的方法。通过粗糙化处理，减小玻璃板与吸附台的接触面积，防止玻璃板发生剥离带电。
6.例如在专利文献1中公开了一种显示器用玻璃基板，其通过进行玻璃蚀刻处理的工序，第一面具有多个开口的孔，上述孔的平均开口面积为1.70
×
104(nm2)以下，上述孔的合计开口面积为6.00
×
106(nm2/25μm2)以上。另外，作为玻璃蚀刻处理，公开了利用含有氟化氢的气体的蚀刻方法。
7.另外，在专利文献2中公开了一种玻璃板，其通过使用作为研磨材料的氧化铈进行研磨，第一表面的最大谷深rv(jis b 0601：2013)为3.0nm<rv<5.0nm。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：国际公开第2017/065138号
11.专利文献2：日本特开2015
‑
131751号公报


技术实现要素：

12.发明所要解决的问题
13.但是，当对第一主表面进行粗糙化处理时，与其相反的第二主表面有可能也被同
样地进行粗糙化处理。具体而言，由于用于粗糙化处理的气体、磨粒绕到第二主表面的至少周缘部，因此该周缘部也被粗糙化。
14.上述第二主表面是要形成电子构件的一侧的表面。因此，由于第二主表面的至少一部分区域被进行了粗糙化处理，有可能对以电子构件为代表的器件的形成、工作带来不良影响。
15.因此，本发明的目的在于提供一种不对第一主表面进行粗糙化处理而抑制了剥离带电的发生的玻璃板、特别是适合用作电子器件用基板的玻璃基板以及上述玻璃板的制造方法。
16.用于解决问题的手段
17.即，本发明涉及下述[1]～[12]。
[0018]
[1]一种玻璃板，其具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，所述第二主表面为形成电子构件的一侧，其中，
[0019]
使用下述计算方法导出的、所述第一主表面的表面si
‑
oh基团密度为0(个/cm2)以上且8.7
×
10
14
(个/cm2)以下，
[0020]
以氧化物基准的质量％表示，所述玻璃板的玻璃组成含有：sio2：35％～73％、al2o3：5％～35％、b2o3：0～30％、mgo：0～20％、cao：0～30％、sro：0～30％、bao：0～40％、并且mgo、cao、sro和bao的合计：1％～55％、且实质上不含有碱金属氧化物。
[0021]
<计算方法>
[0022]
(i)对于作为试样的玻璃板的所述第一主表面，使用将试样与检测器所成的检测角度设定为15
°
的x射线光电子能谱法，测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度(原子％)，通过下式(1)计算出以si的原子浓度进行了归一化的表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)。r是指mg、ca、sr、ba、al和b。
[0023]
sior
surf
＝2
×
(s
mg
s
ca
s
sr
s
ba
) 3
×
(s
al
s
b
)
…
(1)
[0024]
式中，s
mg
、s
ca
、s
sr
、s
ba
、s
al
和s
b
各自是指将mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值。
[0025]
(ii)接着，对于所述第一主表面，使用c
60
离子溅射沿深度方向切削所述玻璃板而使玻璃板内部露出，对于所述玻璃板内部，使用将检测角度设定为75
°
的x射线光电子能谱法，测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度(原子％)，并通过下式(2)计算出以si的原子浓度进行了归一化的内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)。
[0026]
sior
bulk
＝2
×
(b
mg
b
ca
b
sr
b
ba
) 3
×
(b
al
b
b
)
…
(2)
[0027]
式中，b
mg
、b
ca
、b
sr
、b
ba
、b
al
和b
b
各自是指将mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值。
[0028]
(iii)使用玻璃密度、玻璃板中的si浓度、在所述(i)中计算出的所述表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)和在所述(ii)中计算出的所述内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)，通过下式(3)～(5)计算出所述第一主表面的表面si
‑
oh基团密度(sioh
surf
)(个/cm2)。
[0029]
d
si
＝(d
×
si
mass％
×
6.02
×
10
23
)/(100
×
28.09)
…
(3)
[0030]
d
si
‑
surf
＝(d
si
)
2/3
…
(4)
[0031]
sioh
surf
＝(sior
bulk
‑
sior
surf
)
×
d
si
‑
surf
…
(5)
[0032]
式中，d
si
是指玻璃板中的si原子密度(个/cm3)，d是指玻璃密度(g/cm3)，si
mass％
是
指玻璃板中的si浓度(质量％)，d
si
‑
surf
是指表面si原子密度(个/cm2)。
[0033]
[2]如上述[1]所述的玻璃板，其中，所述表面si
‑
oh基团密度为7.6
×
10
14
(个/cm2)以下。
[0034]
[3]如上述[1]或[2]所述的玻璃板，其中，所述表面si
‑
oh基团密度为6.1
×
10
14
(个/cm2)以下。
[0035]
[4]如上述[1]～[3]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第一主表面的最大谷深rv的绝对值为3.0nm以下。
[0036]
[5]如上述[1]～[4]中任一项所述的玻璃板，其中，所述玻璃板的板厚为0.1mm～1.0mm。
[0037]
[6]如上述[1]～[5]中任一项所述的玻璃板，其中，所述玻璃板为至少一边的长度为2500mm以上的矩形。
[0038]
[7]如上述[1]～[6]中任一项所述的玻璃板，其中，所述玻璃板用作电子器件用基板。
[0039]
[8]如上述[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述玻璃板用作显示器用基板。
[0040]
[9]如上述[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述玻璃板用作柔性显示器制造用载体基板。
[0041]
[10]如上述[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述玻璃板用作半导体封装用载体基板。
[0042]
[11]一种玻璃板的制造方法，其为制造上述[1]～[10]中任一项所述的玻璃板的方法，其中，
[0043]
所述玻璃板的制造方法包含：使用包含碳酸钙的浆料，将与作为形成电子构件的一侧的第二主表面相反的第一主表面研磨1nm以上的工序。
[0044]
[12]如上述[11]所述的玻璃板的制造方法，其中，在所述研磨的工序之后，使用碱性溶液进行所述第一主表面的清洗。
[0045]
发明效果
[0046]
根据本发明，可以在不进行粗糙化处理的情况下，得到在从吸附台剥离时不易发生剥离带电的玻璃板。因此，在将该玻璃板用于电子器件用基板的情况下，能够抑制静电破坏。另外，还可期待防止对以电子构件为代表的器件的形成、工作带来不良影响。
附图说明
[0047]
图1是表示在玻璃板上形成电子构件时的玻璃板与吸附台的位置关系的示意性截面图。
[0048]
图2是对于例1～例7的玻璃板示出表面si
‑
oh基团密度与
△
带电电位的关系的曲线图。
[0049]
标号说明
[0050]
1 玻璃板
[0051]
1a 第一主表面
[0052]
1b 第二主表面
[0053]
2 吸附台
具体实施方式
[0054]
以下，对本发明进行详细说明，但本发明并不限于以下的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以任意地变形实施。另外，表示数值范围的“～”以包含其前后记载的数值作为下限值和上限值的含义使用。
[0055]
只要没有特别说明，表示玻璃组成的各成分的含量以氧化物基准的质量％表示。
[0056]
[玻璃板]
[0057]
本实施方式的玻璃板具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，第一主表面的表面si
‑
oh基团密度为0(个/cm2)以上且8.7
×
10
14
(个/cm2)以下。
[0058]
在玻璃板为电子器件用基板的情况下，在使玻璃板的第一主表面侧与吸附台接触、吸附的状态下，在第二主表面上形成布线等电子构件。然后，将玻璃板从吸附台剥离，供于电子器件的下一个制造工序。即，在将玻璃板用于电子器件用基板的情况下，第一主表面是与吸附台接触的一侧，第二主表面是形成电子构件的一侧。在电子器件为液晶显示器的情况下，第一主表面是偏振片侧，第二主表面是tft侧。
[0059]
本发明对于抑制将玻璃板从吸附台剥离时的剥离带电进行了深入研究，结果发现，玻璃板的第一主表面的表面si
‑
oh基团(硅烷醇基)密度与第二主表面的带电电位相关。第一主表面的表面si
‑
oh基团密度低时，第二主表面的带电电位的绝对值小，能够抑制由esd引起的布线的静电破坏(静電破壊)。虽然其详细情况尚不清楚，但推测如下。需要说明的是，带电电位是带电难易程度的指标，越接近0则越不易带电。
[0060]
由于测定器的结构，将玻璃板从吸附台剥离时的第一主表面的带电电位的测定无法实施。但是，在本发明中，玻璃板的第二主表面带负(minus)电，因此推测第一主表面带正(plus)电。这以介电极化为根据。另外，从相同的观点推测：第一主表面的带电电位与第二主表面的带电电位相关联，如果第一主表面的正(plus)的带电电位大，则第二主表面的负(minus)的带电电位也大。
[0061]
此外，根据摩擦带电序列，玻璃板是极容易带正(plus)电的材料。因此，即使考虑摩擦带电序列，也推测第一主表面带正(plus)电，作为不锈钢(sus)制的吸附台带负(minus)电。
[0062]
在考虑不同种类的金属彼此的剥离带电的情况下，推测在使金属彼此接触时，电子从功函数小的金属向功函数大的金属移动是带电的原因。即，认为功函数小的金属带正(plus)电，功函数大的金属带负(minus)电，这些功函数之差越大，则两者的各带电电位越大。当考虑上述内容对玻璃板进行研究时，难以定义绝缘物的功函数。但是，至少可以推测：如果玻璃板的第一主表面的功函数大，则抑制电子从玻璃板向吸附台的移动、或者与其类似的力发挥作用，从而玻璃板的第一主表面不易带正(plus)电。
[0063]
为了增大玻璃板的第一主表面的功函数，本发明人着眼于吸附水量。这是因为据报道，对于tio2、cu(in,ga)se2而言，通过增加吸附水量，功函数减小。玻璃板的第一主表面的表面si
‑
oh基团密度越高，其越会与空气中的水分子结合，结果吸附水量增加。如果假设对于玻璃板而言也具有与tio2等同样的倾向，则通过增加吸附水量而使功函数减小。
[0064]
即，玻璃板的第一主表面的表面si
‑
oh基团密度越低，则吸附水量越减少，功函数
越增大。结果，在从吸附台剥离时，玻璃板的第一主表面不易带正(plus)电。而且，根据介电极化推测：第一主表面的带电电位与第二主表面的带电电位相关联，第二主表面不易带负(minus)电。
[0065]
如果玻璃板的第一主表面的表面si
‑
oh基团密度为8.7
×
10
14
(个/cm2)以下，则能够充分地抑制从吸附台剥离时的剥离带电，能够抑制在第二主表面上形成的电子构件的静电破坏。表面si
‑
oh基团密度优选为7.6
×
10
14
(个/cm2)以下，更优选为7.1
×
10
14
(个/cm2)以下，进一步优选为6.6
×
10
14
(个/cm2)以下，更进一步优选为6.1
×
10
14
(个/cm2)以下，特别优选为5.6
×
10
14
(个/cm2)以下。另外，表面si
‑
oh基团密度为0(个/cm2)以上，其值越低越优选，但考虑到使用包含碳酸钙的浆料进行研磨的工序的负荷，下限值例如为4.0
×
10
14
(个/cm2)以上。
[0066]
在本说明书中，玻璃板的主表面的表面si
‑
oh基团密度是利用使用了x射线光电子能谱法(xps)的分析结果通过如下所示的计算方法(i)～(iii)导出的值。
[0067]
<计算方法>
[0068]
(i)对于作为试样的玻璃板的第一主表面，使用将试样与检测器所成的检测角度设定为15
°
的x射线光电子能谱法，测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度(原子％)，并通过下式(1)计算出以si的原子浓度进行了归一化的表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)。r是指mg、ca、sr、ba、al和b。
[0069]
sior
surf
＝2
×
(s
mg
s
ca
s
sr
s
ba
) 3
×
(s
al
s
b
)
…
(1)
[0070]
式中，s
mg
、s
ca
、s
sr
、s
ba
、s
al
和s
b
各自是指将mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值。
[0071]
在x射线光电子能谱法中，可以通过改变检测角度来调节信息深度。检测角度越小，则信息深度越浅。即，在上述(i)中，通过将检测角度设定为15
°
，对玻璃板的第一主表面测定极浅的表层的各原子浓度。
[0072]
测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度，然后用mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度除以si的原子浓度，依次得到以s
mg
、s
ca
、s
sr
、s
ba
、s
al
和s
b
表示的、各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值。
[0073]
在式(1)中，将对各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值乘以2或3的系数而得到的值的总和作为表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)。该2或3的系数是相当于各元素的价数的值。以下对该系数进行说明。
[0074]
在上述元素中，例如，作为2价的mg在玻璃中的一个存在状态，可以列举
‑
si
‑
o
‑
mg
‑
o
‑
si
‑
等通过两个o与si结合的状态。同样地，ca、sr和ba也是2价，可以列举通过两个o与si结合的状态。另外，al和b是3价的，为了方便起见，作为通过三个o与si结合的状态进行处理。将这些价数分别与进行了归一化的各原子浓度相乘，它们的值的总和为通过式(1)计算出的表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)。
[0075]
(ii)接着，对于第一主表面，使用c
60
离子溅射沿深度方向切削玻璃板而使玻璃板内部露出，对于玻璃板内部，使用将检测角度设定为75
°
的x射线光电子能谱法，测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度(原子％)，并通过下式(2)计算出以si的原子浓度进行了归一化的内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)。
[0076]
sior
bulk
＝2
×
(b
mg
b
ca
b
sr
b
ba
) 3
×
(b
al
b
b
)
…
(2)
[0077]
式中，b
mg
、b
ca
、b
sr
、b
ba
、b
al
和b
b
各自是指将mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值。
[0078]
在c
60
离子溅射中，通过对玻璃板的主表面照射c
60
离子，会发生溅射蒸发这样的除去表面的原子的现象。结果，沿深度方向切削玻璃板而使玻璃板内部露出，从而能够测定玻璃板内部的各原子浓度。
[0079]
具体而言，在进行c
60
离子溅射的同时多次测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度。然后，确认所测定的各原子浓度的值对于深度方向而言是恒定的。
[0080]
通常，如果是实质上不含有碱金属氧化物的铝硅酸盐玻璃的组成，则在300nm以下(sio2换算深度)的深度区域内各原子浓度的值在深度方向上是恒定的。假设超过300nm从而各原子浓度的值在深度方向上不恒定的情况下，也可以将玻璃板研磨几μm，再次实施c
60
离子溅射。需要说明的是，sio2换算深度是基于c
60
离子溅射的sio2膜的溅射速率(nm/分钟)而计算出的深度，所述c
60
离子溅射的sio2膜的溅射速率(nm/分钟)使用在硅晶片上形成的膜厚已知的热氧化膜(sio2膜)而计算出。
[0081]
通过c
60
离子溅射切削玻璃板的主表面，测定玻璃板内部的si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度。在上述(ii)中，通过将检测角度设定为75
°
，加深信息深度，将在极浅的表层产生的c
60
离子溅射引起的组成变化的影响抑制到最小限度，高精度地求出玻璃板内部的各原子浓度。
[0082]
测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度后，用mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度除以si的原子浓度，由此依次得到以b
mg
、b
ca
、b
sr
、b
ba
、b
al
和b
b
表示的、各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值。
[0083]
然后，与上述(i)同样地，乘以各元素的价数，它们的值的总和为通过式(2)计算出的内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)。
[0084]
(iii)使用玻璃密度、玻璃板中的si浓度、在所述(i)中计算出的所述表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)和在所述(ii)中计算出的所述内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)，通过下述式(3)～(5)计算出第一主表面的表面si
‑
oh基团密度(sioh
surf
)(个/cm2)。
[0085]
d
si
＝(d
×
si
mass％
×
6.02
×
10
23
)/(100
×
28.09)
…
(3)
[0086]
d
si
‑
surf
＝(d
si
)
2/3
…
(4)
[0087]
sioh
surf
＝(sior
bulk
‑
sior
surf
)
×
d
si
‑
surf
…
(5)
[0088]
式中，d
si
是指玻璃板中的si原子密度(个/cm3)，d是指玻璃密度(g/cm3)，si
mass％
是指玻璃板中的si浓度(质量％)，d
si
‑
surf
是指表面si原子密度(个/cm2)。需要说明的是，玻璃板中的si浓度是指以原子基准的质量％表示的值。
[0089]
玻璃密度(d)(g/cm3)是根据jis z 8807：2012求出的值。另外，玻璃板中的si浓度(si
mass％
)(质量％)是根据jis r 3105：1995求出的值。
[0090]
在上式(3)中，通过将玻璃密度(d)乘以玻璃板中的si浓度/100(si
mass％
/100)和阿伏伽德罗常数，并除以si的原子量28.09(g/mol)，由此计算出玻璃板中的si原子密度(d
si
)(个/cm3)。
[0091]
在上式(4)中，将通过式(3)计算出的玻璃板中的si原子密度(d
si
)(个/cm3)的值进行2/3次方，使维度从三维降为二维，变换为玻璃板的表面si原子密度(d
si
‑
surf
)(个/cm2)。
[0092]
然后，在式(5)中，取通过上式(2)和式(1)计算出的内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)与
表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)之差。以mg、ca、sr、ba、al和b元素中的mg为例，如下进行说明。
[0093]
相当于求出：通过一个mg
2
和两个h

发生离子交换反应而从在玻璃板的主表面中的
‑
si
‑
o
‑
mg
‑
o
‑
si
‑
状态变为
‑
si
‑
oh mg
2
ho
‑
si
‑
时生成的表面si
‑
oh基团的个数。另外，该表面si
‑
oh基团的个数以相对于si原子的个数的值的形式给出。
[0094]
对于各元素的上述个数的总和，通过乘以表面si原子密度(d
si
‑
surf
)(个/cm2)，从而计算出玻璃板的主表面中的、每单位面积的si
‑
oh基团的个数、即表面si
‑
oh基团密度(个/cm2)。
[0095]
本实施方式的玻璃板通过表面si
‑
oh基团密度低而能够抑制剥离带电的发生。因此，不需要粗糙化处理，第一主表面为没有凹凸的平滑的表面。
[0096]
第一主表面的最大谷深rv的绝对值优选为3.0nm以下，更优选为小于2.0nm。另外，绝对值的下限没有特别限制，通常为0.5nm以上。需要说明的是，本说明书中的最大谷深rv是指根据jis b 0601：2013测定的值。
[0097]
在第一主表面中不存在开口的小孔，或者即使存在开口的小孔，其数量也少。具体而言，如果不通过使用了气体的玻璃蚀刻进行粗糙化处理，则孔的平均开口面积至少大于1.70
×
104(nm2)，通常为2.00
×
104(nm2)以上。另外，如果同样地不通过使用了气体的玻璃蚀刻进行粗糙化处理，则合计开口面积至少小于6.00
×
106(nm2/25μm2)，通常为4.00
×
106(nm2/25μm2)以下。
[0098]
孔的平均开口面积的上限和合计开口面积的下限没有特别限制，分别通常为1.00
×
103(nm2)以下、1.00
×
106(nm2/25μm2)以上。需要说明的是，本说明书中的孔的平均开口面积和合计开口面积是指利用原子力显微镜获得第一主表面的形状图像，然后使用纳米级三维图像处理软件(image metrology公司制造的spip)实施斜率修正处理、滤波处理和粒子/孔分析而计算出的值。
[0099]
对于玻璃板的第二主表面的形状、性状，没有特别限制，可以是与以往电子器件用基板的形成电子构件一侧相同的形状、性状。
[0100]
鉴于优选用作电子器件用基板，本实施方式的玻璃板的玻璃组成优选为碱离子的迁移引起的短路的可能性极低的无碱玻璃。无碱玻璃是指实质上不含有碱金属氧化物(li2o、na2o和k2o)的玻璃。实质上不含有碱金属氧化物是指li2o、na2o和k2o的合计含量为0.1质量％以下的玻璃。
[0101]
另外，在以钠钙玻璃为代表的含有碱金属氧化物的玻璃板的情况下，h

与存在于第一主表面的碱金属元素的离子容易发生离子交换反应。因此，在含有碱金属氧化物的玻璃板的制造中，即使包含使用包含碳酸钙的浆料进行研磨1nm以上的工序，也难以降低表面si
‑
oh基团密度。
[0102]
以氧化物基准的质量％表示，本实施方式的玻璃组成含有：sio2：35％～73％、al2o3：5％～35％、b2o3：0～30％、mgo：0～20％、cao：0～30％、sro：0～30％、bao：0～40％、以及mgo、cao、sro和bao的合计：1％～55％，并且实质上不含有碱金属氧化物。
[0103]
在应变点高且考虑熔化性的情况下，以氧化物基准的质量％表示，玻璃组成更优选含有：sio2：58％～66％、al2o3：15％～22％、b2o3：5％～12％、mgo：0～8％、cao：0～9％、sro：3％～12.5％、bao：0～2％、以及mgo、cao、sro和bao的合计：9％～18％，并且实质上不含有碱金属氧化物。
[0104]
在这样的目的的情况下，以氧化物基准的质量％表示，更优选含有：sio2：56％～62％、al2o3：15％～20％、b2o3：6％～10％、mgo：2％～5％、cao：3％～7％、sro：4％～10％、bao：0～1％、以及mgo、cao、sro和bao的合计：12％～17％，并且实质上不含有碱金属氧化物。进一步优选实质上不含有bao。
[0105]
在考虑高应变点的情况下，以氧化物基准的质量％表示，玻璃组成更优选含有：sio2：54％～73％、al2o3：10.5％～22.5％、b2o3：0～7％、mgo：0～10％、cao：0～10％、sro：0～16％、bao：0～10％、以及mgo、cao、sro和bao的合计：8％～26％，并且实质上不含有碱金属氧化物。
[0106]
在考虑更高的应变点的情况下，以氧化物基准的质量％表示，玻璃组成进一步优选含有：sio2：54％～73％、al2o3：10.5％～22.5％、b2o3：0～5.5％、mgo：0～10％、cao：0～10％、sro：0～10％、bao：0～10％、以及mgo、cao、sro和bao的合计：8％～20％，并且实质上不含有碱金属氧化物。
[0107]
在考虑低介电常数、低介质损耗角正切性等电特性的情况下，以氧化物基准的质量％表示，玻璃组成更优选含有：sio2：54％～73％、al2o3：5％～22.5％、b2o3：15％～30％、mgo：0～10％、cao：0～9％、sro：0～16％、bao：0～20％、以及mgo、cao、sro和bao的合计：1％～26％，并且实质上不含有碱金属氧化物。
[0108]
在想要提高膨胀率的控制性、特别是想要得到高膨胀率的基板的情况下，以氧化物基准的质量％表示，玻璃组成更优选含有：sio2：40％～73％、al2o3：5％～23％、b2o3：0～15％、mgo：0～20％、cao：0～20％、sro：0～20％、bao：0～40％、以及mgo、cao、sro和bao的合计：10％～55％，并且实质上不含有碱金属氧化物。
[0109]
玻璃板的板厚优选为0.1mm以上，更优选为0.2mm以上，进一步优选为0.3mm以上。另一方面，板厚优选为2.0mm以下，更优选为1.5mm以下，进一步优选为1.0mm以下，更进一步优选为0.7mm以下，特别优选为0.5mm以下。
[0110]
玻璃板的形状没有特别限制，在用作显示器用基板的情况下，优选为矩形。
[0111]
玻璃板的大小也没有特别限制，在玻璃板为矩形的情况下，优选至少一边的长度为1000mm以上，更优选为1400mm以上，进一步优选为2500mm以上。上限也没有特别限制，通常一边的长度为5000mm以下。
[0112]
另外，在用作载体基板的情况下，玻璃板的形状优选为矩形或圆形。
[0113]
在玻璃板为圆形的情况下，优选为具有槽口等定位部的形状。直径优选为200mm以上，更优选为300mm以上。上限也没有特别限制，通常直径为450mm以下。
[0114]
在玻璃板为矩形的情况下，至少一边的长度优选为500mm以上，更优选为1200mm以上，进一步优选为1400mm以上。上限也没有特别限制，通常一边的长度为3300mm以下，优选为2800mm以下，更优选为2000mm以下。
[0115]
本实施方式的玻璃板也可以在面积大的状态下在第二主表面上形成布线等电子构件，然后根据产品的大小切割成所期望的尺寸。本来，带电量根据面积而变大，因此，越是大面积则剥离时的带电量也越大，静电破坏的可能性越高。但是，本实施方式的玻璃板由于表面si
‑
oh基团密度低，从吸附台剥离时的带电量也被抑制得小。因此，即使在玻璃板的面积大的情况下，也能够抑制电子构件的静电破坏。
[0116]
[玻璃板的制造方法]
[0117]
以下示出本实施方式的玻璃板的制造方法的一例，只要第一主表面的表面si
‑
oh基团密度低，就没有特别限制。
[0118]
玻璃板的制造方法包含：使用包含碳酸钙的浆料，将玻璃板的与作为形成电子构件的一侧的第二主表面相反的第一主表面研磨1nm以上的工序。
[0119]
另外，优选在对第一主表面进行上述研磨的工序之后，使用碱性溶液进行第一主表面的清洗。这是因为，使用酸性溶液时，有可能酸性溶液的h

与第一主表面的mg
2
、ca
2
、sr
2
、ba
2
、al
3
和b
3
发生离子交换反应，使得表面si
‑
oh基团密度增加。
[0120]
以下，对各工序进行详细说明。
[0121]
(研磨工序)
[0122]
在研磨工序中，对玻璃板的第一主表面在供给包含碳酸钙的浆料(以下，有时称为碳酸钙浆料)的同时将第一主表面研磨1nm以上。研磨可以通过满足上述条件的方法适当地进行，没有特别限制，但从容易使通过研磨除去玻璃板表层的厚度充分的观点考虑，优选使用了研磨垫的研磨。
[0123]
与玻璃的研磨中通常使用的氧化铈相比，碳酸钙的硬度非常低。因此，与以往的研磨不同，在玻璃板的主表面上不会产生深的研磨损伤。因此，例如，第一主表面的最大谷深rv的绝对值为3.0nm以下。第一主表面的最大谷深rv的绝对值优选为3.0nm以下，更优选小于2.0mm。
[0124]
对于以往的使用包含氧化铈的浆料的研磨，除了上述硬度的差异以外，由于化学作用，有可能使表面si
‑
oh基团密度增加。因此，从表面si
‑
oh基团密度的观点考虑，也优选使用碳酸钙。
[0125]
另外，当不使用磨粒而仅供给纯水进行研磨时，研磨速度极慢，有可能纯水的h

与玻璃表面的mg
2
、ca
2
、sr
2
、ba
2
、al
3
和b
3
发生离子交换反应，使得表面si
‑
oh基团密度增加。
[0126]
与此相对，当使用含有碳酸钙的浆料进行研磨时，只有机械作用，研磨速度比纯水的h

与玻璃表面的mg
2
、ca
2
、sr
2
、ba
2
、al
3
和b
3
发生离子交换反应的速度快，推测能够降低表面si
‑
oh基团密度。
[0127]
使碳酸钙分散而形成浆料的分散介质例如可以使用纯水、工业水等。
[0128]
浆料中的碳酸钙浓度优选为1质量％以上，更优选为3质量％以上。另外，碳酸钙浓度优选为40质量％以下，更优选为20质量％以下。
[0129]
在浆料中，除了碳酸钙和分散介质以外，在不损害本发明效果的范围内可以含有其它的任选成分。作为其它的任选成分，例如可以列举分散剂等。
[0130]
对于第一主表面的表面si
‑
oh基团密度，除了上述碳酸钙的浓度等以外，也可以利用研磨条件来控制。研磨条件可以进行适当调节，没有特别限制，例如在使用研磨垫进行研磨的情况下，研磨压力优选为0.05mpa～0.5mpa，玻璃运送速度优选为0.1～20(m/分钟)，研磨垫转速(公转数)优选为30rpm～1000rpm。另外，后述的实施例中的研磨次数没有特别限制，如果考虑研磨工序的负荷，则优选为1次～20次，更优选为1次～10次，最优选为1次～7次。
[0131]
(清洗工序)
[0132]
使用上述包含碳酸钙的浆料对第一主表面进行研磨，然后进行第一主表面的清洗。清洗使用选自由高压喷淋、碳酸钙浆料、洗涤剂和纯水构成的组中的至少一种进行。在
使用了碳酸钙浆料、洗涤剂、纯水的清洗的情况下，优选使用圆盘刷(
ディスクブラシ
)、辊刷对第一主表面进行洗刷。
[0133]
优选使用碱性溶液作为洗涤剂进行清洗，以使得通过研磨工序控制的表面si
‑
oh基团密度不会变高。碱性溶液只要ph大于7即可，优选ph为9以上。另外，上限没有特别限制，优选ph为13.5以下。
[0134]
为了防止附着物的再附着，清洗中使用的碱性溶液优选含有表面活性剂。另外，为了防止金属成分的溶出，优选不含有螯合材料。
[0135]
需要说明的是，如上所述，也可以利用包含碳酸钙的浆料进行清洗，但仅通过利用圆盘刷、辊刷的浆料清洗，不能如上述研磨工序那样有效地降低第一主表面的表面si
‑
oh基团密度。
[0136]
(干燥工序)
[0137]
在清洗工序后，优选经过利用纯水的漂洗并进行干燥的工序。干燥工序可以应用以往公知的方法。例如，从操作性、设备的简易性的观点考虑，优选喷吹通过了过滤器的压缩空气、即使用气刀的方法。
[0138]
另外，除了利用压缩空气的干燥以外，也可以进行使用ipa(异丙醇)的清洗、干燥、旋转干燥、马兰葛尼干燥。
[0139]
除了上述各工序以外，在不损害本发明效果的范围内，也可以进一步经过倒角加工等任选的工序。
[0140]
在通过本实施方式的玻璃板的制造方法得到的玻璃板用作电子器件用基板的情况下，如图1所示，以玻璃板1的第一主表面1a与吸附台2接触的方式放置，在第二主表面1b上形成电子构件。然后，将玻璃板1从吸附台2剥离，由于此时的剥离带电被抑制，因此能够防止所形成的电子构件发生静电破坏。
[0141]
另外，在使用了包含碳酸钙的浆料和研磨垫的研磨中，主表面没有粗糙化。因此，即使在对第一主表面进行研磨时第二主表面的周缘部也一起被研磨，第二主表面的周缘部也不会被粗糙化。因此，不需要担心由于第二主表面被粗糙化而对器件形成、工作带来不良影响。
[0142]
[电子器件]
[0143]
本实施方式的玻璃板优选用作电子器件用基板，其中更优选用作显示器用基板，进一步优选用作液晶显示器的基板，最优选用作a
‑
si(非晶硅)tft的基板。
[0144]
另外，更优选用作柔性显示器制造用载体基板、半导体封装用载体基板。其中，进一步优选用作柔性显示器制造用载体基板。
[0145]
另外，本实施方式的电子器件具有上述玻璃板，例如，即使在至少一边为2500mm以上的矩形的大型电子器件中，也能够适当地应用该玻璃板作为基板。另外，在至少一边为1400mm以上的矩形或直径为500mm以上的圆形的载体基板中也能够适当地应用该玻璃板。在载体基板用途的情况下，特别能够适合用于柔性显示器的制造、半导体封装。
[0146]
需要说明的是，电子器件中的玻璃板的优选方式与上述[玻璃板]中记载的优选方式相同。另外，除玻璃板以外的构成可以使用以往公知的构成。
[0147]
实施例
[0148]
以下列举试验例，对本发明具体地进行说明，但本发明不限于此。需要说明的是，例1～例5为实施例，例6和例7为比较例。
[0149]
[例1]
[0150]
使用520mm
×
410mm且厚度为0.5mm的电子器件用无碱玻璃板(玻璃a)，对成为第一主表面的一个主表面供给将碳酸钙分散在纯水中而得到浆料，同时使用聚氨酯发泡体制研磨垫进行研磨。浆料中的碳酸钙浓度设定为8质量％。将在玻璃运送速度为130(cm/分钟)、转速为386rpm、研磨压力为0.204mpa的条件下研磨约30秒的工序计数为研磨次数1次，进行1次研磨。
[0151]
接着，使用调节至ph12的碱性溶液(parker corporation公司制造，pk
‑
lcg213(产品名))，在处理速度为330(cm/分钟)、转速为300rpm的条件下，利用作为单片式清洗装置的圆盘刷进行化学溶液清洗。进行化学溶液清洗后，利用气刀进行干燥，从而得到玻璃板。通过进行研磨的工序之前和利用气刀干燥后的重量测定估算出的玻璃板表层的除去厚度为约2nm。
[0152]
需要说明的是，以氧化物基准的质量％表示，玻璃a的组成示于表1中。
[0153]
[例2]
[0154]
将研磨次数设定为2次，除此以外与例1同样地得到玻璃板。玻璃板表层的除去厚度为约4nm。
[0155]
[例3]
[0156]
将研磨次数设定为5次，除此以外与例1同样地得到玻璃板。玻璃板表层的除去厚度为约10nm。
[0157]
[例4]
[0158]
将电子器件用无碱玻璃板变更为玻璃b，除此以外与例3同样地得到玻璃板。玻璃板表层的除去厚度为约10nm。
[0159]
需要说明的是，以氧化物基准的质量％表示，玻璃b的组成示于表1中。
[0160]
[例5]
[0161]
将电子器件用无碱玻璃板变更为玻璃c，并且将研磨次数设定为7次，除此以外与例1同样地得到玻璃板。玻璃板表层的除去厚度为约14nm。
[0162]
需要说明的是，以氧化物基准的质量％表示，玻璃c的组成示于表1中。
[0163]
[例6]
[0164]
不进行研磨，只进行使用碱性溶液的化学溶液清洗和利用气刀的干燥，除此以外与例1同样地得到玻璃板。在使用碱性溶液的化学溶液清洗前和利用气刀的干燥后实施了重量测定，但没有确认到明显的重量减少。即，仅通过使用碱性溶液的化学溶液清洗的玻璃板表层的除去厚度视为0nm。
[0165]
[例7]
[0166]
使用与例1相同的浆料进行浆料清洗来代替研磨，除此以外与例1同样地得到玻璃板。浆料清洗以如下方式进行：喷出将碳酸钙分散在纯水中而得到的浆料，在转速为300rpm、玻璃运送速度为330(cm/分钟)的条件下，利用作为单片式清洗装置的圆盘刷进行。通过浆料清洗前和利用气刀干燥后的重量测定估算出的通过浆料清洗的玻璃板表层除去厚度为约0.2nm。
[0167]
根据例6，通过使用碱性溶液的化学溶液清洗的除去厚度视为0nm，因此，例1～例5中的玻璃板表层的除去厚度全部取决于进行研磨的工序，确认均为1nm以上。另外，例7的除
去厚度取决于使用碳酸钙的浆料清洗，例7的除去厚度小于1nm。如例7的结果所示，利用圆盘刷难以使玻璃板表层除去1nm以上。为了使玻璃板表层的除去厚度为1nm以上，例如优选使用研磨垫等。
[0168]
需要说明的是，例1的玻璃板共制作2张，例7的玻璃板共制作3张，例2～6的玻璃板各制作1张，供于之后的各评价。
[0169]
表1 (质量％)
[0170] 玻璃a玻璃b玻璃csio2606262al2o3172020b2o3812mgo356cao456sro874bao000其它＜0.1＜0.1＜0.1合计100100100
[0171]
[评价方法]
[0172]
(表面si
‑
oh基团密度)
[0173]
对于玻璃板的第一主表面，通过下述方法进行表面si
‑
oh基团密度的计算。
[0174]
(i)对于玻璃板的第一主表面，使用下述测定条件的x射线光电子能谱法，测定si、mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度。用所得到的mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度除以si的原子浓度，由此计算出以s
mg
、s
ca
、s
sr
、s
ba
、s
al
和s
b
表示的以si的原子浓度进行了归一化的各原子浓度。使用它们通过下式(1)计算出以si的原子浓度进行了归一化的表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)。
[0175]
需要说明的是，即使在玻璃板的基本组成中包含ba，也是x射线光电子能谱法的检测极限以下的微量，因此不进行监测。另外，各原子浓度的计算中使用的各峰的相对灵敏度系数(rsf)使用了分析软件所提供的默认的修正相对灵敏度系数(corrected rsf)。各峰的corrected rsf各自为19.327(b1s)、30.796(mg2s)、23.675(al2p)、34.619(si2p)、62.711(ca2s)、123.306(sr3p
3/2
)。
[0176]
sior
surf
＝2
×
(s
mg
s
ca
s
sr
s
ba
) 3
×
(s
al
s
b
)
…
(1)
[0177]
(测定条件)
[0178]
装置：ulvac
‑
phi公司制造，esca5500
[0179]
x射线：单色化alkα射线
[0180]
通能：117.4(ev)
[0181]
能量步长：0.5(ev/步)
[0182]
监测峰：b1s、mg2s、al2p、si2p、ca2s、sr3p
3/2
[0183]
检测角度(试样表面与检测器所成的角度)：15
°
[0184]
分析软件：multipak version9.3.0.3
[0185]
峰底去除法：shirley法
[0186]
(ii)接着，对于第一主表面，使用c
60
离子溅射沿深度方向切削玻璃板而使玻璃板内部露出。对于玻璃板内部，将检测角度设定为75
°
，除此以外与所述(i)同样，测定以si的原子浓度进行了归一化的mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度。使用它们通过下式(2)计算出以si的原子浓度进行了归一化的内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)。需要说明的是，所测定的玻璃板内部是指从玻璃板表面起以sio2换算深度计为约200nm的深度。需要说明的是，sio2换算深度是指基于使用在硅晶片上形成的膜厚已知的热氧化膜(sio2膜)计算出的c
60
离子溅射的sio2膜的溅射速率(nm/分钟)而计算出的深度。
[0187]
sior
bulk
＝2
×
(b
mg
b
ca
b
sr
b
ba
) 3
×
(b
al
b
b
)
…
(2)
[0188]
式中，b
mg
、b
ca
、b
sr
、b
ba
、b
al
和b
b
各自是指将mg、ca、sr、ba、al和b的各原子浓度以si的原子浓度进行归一化而得到的值。
[0189]
(iii)使用玻璃密度、玻璃板中的si浓度、在所述(i)中计算出的所述表面si
‑
o
‑
r键数(sior
surf
)和在所述(ii)中计算出的所述内部si
‑
o
‑
r键数(sior
bulk
)，通过下式(3)～(5)计算出第一主表面的表面si
‑
oh基团密度(sioh
surf
)(个/cm2)。
[0190]
玻璃密度根据jis z 8807：2012(在液体中进行称量的测定方法)进行测定。玻璃板中的si浓度(si
mass％
)(质量％)根据jis r 3105：1995(凝集、重量及吸光光度并用法)进行测定。
[0191]
d
si
＝(d
×
si
mass％
×
6.02
×
10
23
)/(100
×
28.09)
…
(3)
[0192]
d
si
‑
surf
＝(d
si
)
2/3
…
(4)
[0193]
sioh
surf
＝(sior
bulk
‑
sior
surf
)
×
d
si
‑
surf
…
(5)
[0194]
式中，d
si
是指玻璃板中的si原子密度(个/cm3)，d是指玻璃密度(g/cm3)，si
mass％
是指玻璃板中的si浓度(质量％)，d
si
‑
surf
是指表面si原子密度(个/cm2)。
[0195]
(带电电位、
△
带电电位)
[0196]
在不锈钢(sus)304制的吸附台上，以第一主表面与吸附台接触的方式放置玻璃板，通过真空吸附固定。在玻璃板的第二主表面的上方设置表面电位计(trek japan制造，model 542a(产品名))。
[0197]
从真空状态释放，使用吸附台所具有的升降销，将玻璃板从吸附台剥离。利用表面电位计测定玻璃板离开吸附台上升80mm为止的表面电位的变化。在测定结果中，将绝对值最大的表面电位作为剥离时的第二主表面的带电电位(v)。
[0198]
对制作的所有玻璃板分三天实施带电电位测定。第一天测定例1、2、6、7的玻璃板，第二天测定例4、5、7的玻璃板，第三天测定例1、3、7的玻璃板。在每个测定日，求出作为比较例的例7的玻璃板的带电电位与各玻璃板的带电电位之差，将其作为
△
带电电位(v)。计算
△
带电电位(v)是为了尽可能地排除测定时的温度、湿度等环境差异引起的带电电位变动的影响。对于例1～例7中的任意一个玻璃板而言，表面电位计的表面电位都显示负(minus)值，第二主表面带负(minus)电。因此，如果例1～例6的各玻璃板的带电电位比作为比较例的例7更接近0，则
△
带电电位显示负(minus)值。另一方面，如果带电电位比作为比较例的例7更远离0，则
△
带电电位显示正(plus)值。因此，
△
带电电位(v)的负值越大，可以判断为越能够抑制剥离带电发生的玻璃板。
[0199]
(最大谷深rv)
[0200]
使用利用了光干涉的非接触表面形状测定装置(三菱化学系统公司制造，
vertscan r5500hml
‑
a150(产品名))，根据jis b 0601：2013测定玻璃板的第一主表面的最大谷深rv的绝对值。这是利用低相干干涉的原理以非接触的方式精密地测定玻璃板的表面粗糙度的装置。具体而言，将从低相干光源发出的光谱波长宽的白色光分割为测定光和参照光，对玻璃板的表面照射测定光，使反射的测定光与参照光干涉，由此测定玻璃板的表面的粗糙度。
[0201]
对于第一主表面，针对至少相隔10mm以上的任选的5个位置测定最大谷深rv，除去其中的最大值和最小值后，将3个位置的最大谷深rv的平均值作为玻璃板的第一主表面的最大谷深rv。
[0202]
(孔的平均开口面积和合计开口面积)
[0203]
利用原子力显微镜(afm)，获得玻璃板的第一主表面的形状图像。然后，通过使用纳米级三维图像处理软件(image metrology公司制造的spip6.7.8)的颗粒分析，计算出孔的平均开口面积和合计开口面积。
[0204]
利用afm的形状图像的测定条件如下。
[0205]
原子力显微镜：digital instruments公司制造，nanoscopeiii
[0206]
测定模式：轻敲(tapping)模式
[0207]
探针：nch10
[0208]
样品/线路：256
[0209]
扫描速率：1.0hz
[0210]
观察视野：5μm
×
5μm
[0211]
另外，根据颗粒分析的孔的平均开口面积和合计开口面积的计算通过以下操作步骤(手順)1～操作步骤4进行。
[0212]
操作步骤1：作为斜率修正处理，进行下述操作。
[0213]
执行“每条线的调平(
レベリング
)”和“整个面的调平”。然后，使图像旋转90
°
，再次执行“每条线的调平”和“整个面的调平”。
[0214]
操作步骤2：作为滤波处理1，进行下述操作。
[0215]
在滤波工具中，在中值(中位数)窗口选择或输入非定向干扰、高低值、进行置换的比例：2、窗口尺寸：5，启用“包含边界”并应用。
[0216]
操作步骤3：作为滤波处理2，进行下述操作。
[0217]
在滤波工具中，从卷积窗口选择或输入平滑、高斯分布、标准偏差：1，启用“x＝y”和“自动尺寸”并应用。
[0218]
操作步骤4：作为粒子、孔分析，进行下述操作。
[0219]
首先，从检测窗口选择或输入分支线
‑
分散的形状、孔检测、分类的平台范围：
±
0.50、最小形状宽度：2.00像素。接着，从后处理窗口，启用“形状完全保存”、“抑制像素干扰”、“包括图像端的形状”。最后点击检测，求出孔的平均表面积和合计表面积。
[0220]
将孔的平均表面积(nm2)作为孔的平均开口面积(nm2)。另外，将孔的合计表面积(nm2)相对于每个afm的观察视野即25(μm2)的值作为孔的合计开口面积(nm2/25μm2)。
[0221]
将所得到的玻璃板的种类、研磨次数、清洗工序和各评价结果示于表2中。表中，ncw表示未测定。
[0222]
另外，对于例1～例7的玻璃板，将表面si
‑
oh基团密度与
△
带电电位的关系示于图
2的曲线图中。需要说明的是，图2中，例1
‑
1表示例1的第一天的结果，例1
‑
2表示例1的第三天的结果。另外，例7
‑
1～例7
‑
3分别表示例7的第一～三天的结果。
[0223]
[0224]
根据表2和图2的结果确认：在第一主表面中，通过控制表面si
‑
oh基团密度，能够控制带电电位。即，表面si
‑
oh基团密度越低，则
△
带电电位的负(minus)值越大，带电电位越接近于0。
[0225]
根据例1～例6的结果可知，通过使用包含碳酸钙的浆料的研磨能够降低表面si
‑
oh基团密度。另一方面，根据例6和例7的结果可知，如果不进行研磨，而是仅通过使用包含碳酸钙的浆料的圆盘刷进行浆料清洗，降低表面si
‑
oh基团密度的效果极低。
[0226]
根据图2的结果，确认表面si
‑
oh基团密度与
△
带电电位的相关关系的理由还不确定，但是，如上所述，认为随着玻璃板的第一主表面的功函数增大，抑制带电。即，通过将玻璃板的第一主表面的表面si
‑
oh基团密度控制得低，吸附水量也减少，功函数增大。结果，在与吸附台剥离时，抑制电子从玻璃板的第一主表面向吸附台的移动、或者与其类似的力发挥作用，玻璃板的第一主表面不易带正(plus)电。推测其与第二主表面的带电电位相关联，第二主表面不易带负(minus)电。
[0227]
根据例1、例6、例7的结果，即使研磨次数为1次，使用包含碳酸钙的浆料和研磨垫的研磨带来的带电抑制效果也是明显的。在使用包含碳酸钙的浆料的研磨垫进行的研磨的次数为1次的例1的情况下，与仅通过使用包含碳酸钙的浆料的圆盘刷进行浆料清洗的例7相比，表面si
‑
oh基团密度低，带电抑制效果为500v以上。由此可知，与以往的使用碳酸钙的浆料清洗相比，使用包含碳酸钙的浆料的研磨对于降低表面si
‑
oh基团密度、抑制带电是非常有用的。
[0228]
在将表面si
‑
oh基团密度低的玻璃板用作电子器件用基板的情况下，抑制从吸附片剥离时的剥离带电。因此，暗示了能够防止电子构件的静电破坏。
[0229]
另外，由于第一主表面的最大谷深rv浅，因此即使假设研磨中使用的浆料绕到第二主表面的至少周缘部，也不会失去第二主表面的平滑性。因此，关于在第二主表面上形成的以电子构件为代表的器件形成、工作，暗示能够防止对第一主表面的研磨引起的不良影响。
[0230]
本技术基于2020年3月27日提出的日本专利申请2020
‑
058106和2020年12月16日提出的日本专利申请2020
‑
208670，并将其内容以引用的形式并入本文中。