单晶硅生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质与流程

技术特征：
1.一种单晶硅生长控制方法，其特征在于，所述单晶硅生长控制方法包括：在放肩过程且进入转肩判断流程后，判断是否达到t
i 1
时刻；若达到t
i 1
时刻，获取晶体直径d i 1
；根据所述晶体直径d i 1
、t
i
时刻获取的晶体直径d i
、以及t
i
时刻与t
i 1
时刻之间的时间间隔，计算晶体直径生长速率v
i
；在所述晶体直径生长速率v
i
等于预定生长速率阈值时，判断所述晶体直径d
i 1
是否达到第一预定直径；若所述晶体直径d i 1
达到第一预定直径，则启动转肩控制程序。2.根据权利要求1所述的单晶硅生长控制方法，其特征在于，在所述判断所述晶体直径d i 1
是否达到第一预定直径之后，所述方法还包括：若所述晶体直径d i 1
未达到第一预定直径，则继续等待晶体生长，直至所述晶体直径达到所述第一预定直径后启动转肩控制程序。3.根据权利要求1所述的单晶硅生长控制方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述晶体直径生长速率v
i
大于或小于预定生长速率阈值时，将i 1，继续执行所述判断是否达到t
i 1
时刻。4.根据权利要求1所述的单晶硅生长控制方法，其特征在于，在所述判断是否达到t
i 1
时刻之前，所述单晶硅生长控制方法还包括：在放肩程序启动后，启动所述转肩判断流程；或者，在放肩程序启动后，对放肩时长进行计时，在放肩时长达到预定时长时，启动所述转肩判断流程；或者，在放肩程序启动后，对晶体直径进行测量，在晶体直径达到第二预定直径时，启动所述转肩判断流程。5.根据权利要求1所述的单晶硅生长控制方法，其特征在于，根据所述晶体直径d i 1
、t
i
时刻获取的晶体直径d i
、以及t
i
时刻与t
i 1
时刻之间的时间间隔，计算晶体直径生长速率v
i
，包括：将d i 1
减去d i
，得到晶体直径差值δd
i
；将t
i 1
减去t
i
，得到时间间隔δt
i
；将所述晶体直径差值δd
i
除以所述时间间隔δt
i
，得到所述晶体直径生长速率v
i
。6.根据权利要求5所述的单晶硅生长控制方法，其特征在于，随着放肩过程，t
i
时刻与t
i 1
时刻之间的时间间隔δt
i
与i的取值成反向相关性；或者，所述t
i
时刻与t
i 1
时刻之间的时间间隔δt
i
为固定值。7.根据权利要求1所述的单晶硅生长控制方法，其特征在于，所述获取晶体直径d
i 1
，包括：利用直径测量装置对晶体当前的生长直径进行测量，得到晶体直径d
i 1
。8.一种单晶硅生长控制装置，其特征在于，所述单晶硅生长控制装置包括：判断模块，用于在放肩过程且进入转肩判断流程后，判断是否达到t
i 1
时刻；获取模块，用于在所述判断模块判定达到t
i 1
时刻时，获取晶体直径d i 1
；计算模块，用于根据所述获取模块获取到的晶体直径d i 1
、t
i
时刻获取的晶体直径d i
、以及t
i
时刻与t
i 1
时刻之间的时间间隔，计算晶体直径生长速率v
i
；
转肩启动模块，用于在所述计算模块计算得到的晶体直径生长速率v
i
小于预定生长速率阈值时，启动转肩控制程序；所述判断模块，还用于在所述计算模块计算得到的晶体直径生长速率v
i
大于或等于预定生长速率阈值时，将i 1，继续执行所述判断是否达到t
i 1
时刻。9.一种单晶硅生长控制设备，其特征在于，所述单晶硅生长控制设备包括存储器和处理器，所述存储器和所述处理器电性连接，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述方法的步骤。10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被计算机执行时实现权利要求1至7中任一项所述方法的步骤。

技术总结
本发明涉及一种单晶硅生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质。单晶硅生长控制方法包括：在放肩过程且进入转肩判断流程后，判断是否达到t


技术研发人员：华焱
受保护的技术使用者：无锡松瓷机电有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/9/28