技术特征：
1.一种坩埚，其特征在于，包括：料筒，所述料筒具备容腔以及与所述容腔连通的开口；盖体，所述盖体与所述料筒连接，所述盖体用于封闭所述开口；以及导流板，所述导流板容置于所述容腔内，所述导流板用于将所述容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室，所述容纳腔室用于容纳物料；所述导流板开设有多个导流通道，所述导流通道连通所述容纳腔室及沉积腔室；所述导流板用于使得所述容纳腔室内的气流在经多个所述导流通道进入所述沉积腔室后，在所述沉积腔室内形成旋转气流。2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述导流通道相对于所述料筒的中心轴线倾斜。3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：多个所述导流通道均绕所述导流板的中心轴线依次间隔设置。4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述料筒的内周面开设有用于与所述导流板抵接的环形台，所述环形台与所述料筒的底部间隔。5.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述盖体朝向所述容腔的一侧设置有安装台，所述安装台朝向所述容腔的方向凸出，所述安装台用于安装籽晶。6.根据权利要求1
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5中任意一项所述的坩埚，其特征在于：所述坩埚还包括容置于所述沉积腔室内的挡流板，所述挡流板开设有导流孔，所述挡流板与所述导流板共同形成混合腔室，所述导流孔及多个所述导流通道均与所述混合腔室连通；所述导流孔用于引导所述导流板输出的气流朝向所述盖体的方向流动。7.根据权利要求6所述的坩埚，其特征在于：所述挡流板与所述导流板抵接。8.根据权利要求7所述的坩埚，其特征在于：所述挡流板朝向所述导流板的一侧开设有导流槽，所述导流槽为弧形槽。9.根据权利要求6所述的坩埚，其特征在于：安装台的中心轴线与所述导流孔的中心轴线重合。10.一种碳化硅生长装置，其特征在于：所述碳化硅生长装置包括籽晶、加热装置以及如权利要求1
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9中任意一项所述的坩埚；所述籽晶容置于所述沉积腔室内并与所述盖体连接，所述加热装置用于加热所述料筒。
技术总结
本实用新型涉及碳化硅晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚和碳化硅生长装置。该坩埚包括料筒、盖体及导流板；其中，料筒具备容腔以及与容腔连通的开口；盖体与料筒连接，盖体用于封闭开口；导流板容置于容腔内，导流板将容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室，物料容纳于容纳腔室内；导流板开设有多个导流通道，导流通道连通容纳腔室及沉积腔室；导流板用于使得容纳腔室内的气流在经多个导流通道进入沉积腔室后，在沉积腔室内形成旋转气流。由此，当位于容腔中的物料为碳化硅原料及掺杂物质时，在料筒被加热后，碳化硅原料及掺杂物质开始升华成气态，该坩埚保证了碳化硅晶体掺杂的均匀性，进而保证了单片内电阻率的均匀性。进而保证了单片内电阻率的均匀性。进而保证了单片内电阻率的均匀性。
技术研发人员：汪良 张洁 王旻峰
受保护的技术使用者：湖南三安半导体有限责任公司
技术研发日：2020.12.29
技术公布日：2021/9/14
再多了解一些
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