掩膜版的制作方法

技术特征：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括至少一个沿第一预设方向的倾斜阶梯状图案；其中，所述倾斜阶梯状图案包括分别位于所述倾斜阶梯状图案沿所述第一预设方向的两侧的第一阶梯状轮廓和第二阶梯状轮廓；所述第一阶梯状轮廓包括多个第一直角拐点，所述第二阶梯状轮廓包括多个第二直角拐点；所述倾斜阶梯状图案中，所述第一直角拐点和所述第二直角拐点交错设置。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述倾斜阶梯状图案中，任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第一直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同；所述倾斜阶梯状图案中，任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第二直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第二阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一阶梯状轮廓的台阶高度与所述第二阶梯状轮廓的台阶高度相同。6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版中，所述倾斜阶梯状图案的数量为多个，且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行；相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓对齐设置。7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版中，所述倾斜阶梯状图案的数量为多个，且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行；相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓交错设置。8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，各个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓沿第二预设方向依次交错设置，且相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓沿所述第二预设方向的交错距离相同。

技术总结
本公开提供一种掩膜版，该掩膜版包括至少一个沿预设方向的倾斜阶梯状图案；其中，所述倾斜阶梯状图案包括分别位于所述倾斜阶梯状图案沿所述预设方向的两侧的第一阶梯状轮廓和第二阶梯状轮廓；所述第一阶梯状轮廓包括多个第一直角拐点，所述第二阶梯状轮廓包括多个第二直角拐点；所述倾斜阶梯状图案中，所述第一直角拐点和所述第二直角拐点交错设置。这种掩膜版的图案线宽易于控制，不仅可以提高光学邻近修正的一致性，而且可提高掩膜工艺的均一性和芯片图案的均一性。性和芯片图案的均一性。性和芯片图案的均一性。


技术研发人员：吴维维 谢翔宇
受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2021.01.19
技术公布日：2021/10/18