硅烯复合薄膜及其制备方法、电极及锂离子电池与流程

技术特征：
1.一种硅烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供碳基底层；在所述碳基底层上重复多次制备硅烯层的步骤和重复多次制备碳引导层的步骤；其中，制备所述硅烯层的步骤和制备所述碳引导层的步骤交替进行；制备所述硅烯层的步骤包括：通过磁控溅射的方式溅射硅原子以形成所述硅烯层，制备所述碳引导层的步骤包括：通过磁控溅射的方式溅射碳原子以形成所述碳引导层。2.根据权利要求1所述的硅烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，提供碳基底层的步骤包括：在衬底上制备催化层，以及，通过磁控溅射的方式在所述催化层上溅射碳原子，以形成所述碳基底层。3.根据权利要求1所述的硅烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，制备所述硅烯层的步骤和制备所述碳引导层的步骤在同一个沉积腔室中进行。4.根据权利要求3所述的硅烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，在制备所述硅烯层的步骤和制备所述碳引导层的步骤中，控制所述沉积腔室内的环境温度为20℃~100℃。5.根据权利要求1~4任一项所述的硅烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，在制备所述硅烯层的步骤中，控制所述硅烯层的厚度为1nm~10nm；和/或，在制备所述碳引导层的步骤中，控制所述碳引导层的厚度为1nm~10nm。6.根据权利要求1~4任一项所述的硅烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，制备的所述硅烯层的层数≥50层，制备的所述碳引导层的层数≥50层。7.根据权利要求1~4任一项所述的硅烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，在交替沉积硅烯层和碳引导层的步骤中，控制沉积的所述硅烯层和所述碳引导层的总厚度为500nm~5μm。8.一种硅烯复合薄膜，其特征在于，包括：碳基底层、多层硅烯层和多层碳引导层，所述硅烯层和所述碳引导层交替层叠设置于所述碳基底层上。9.一种电极，其特征在于，包括集流体和硅烯复合薄膜，所述硅烯复合薄膜设置于所述集流体上，所述硅烯复合薄膜为根据权利要求1~7任一项所述的硅烯复合薄膜的制备方法制备得到的硅烯复合薄膜，或所述硅烯复合薄膜为权利要求8所述的硅烯复合薄膜。10.一种锂离子电池，其特征在于，包括正极、负极和电解质，所述正极和所述负极相对设置，所述电解质设置于所述正极和所述负极之间，所述负极为根据权利要求9所述的电极。

技术总结
本公开提供了一种硅烯复合薄膜及其制备方法、电极及锂离子电池。该硅烯复合薄膜的制备方法包括如下步骤：提供碳基底层；在碳基底层上重复多次制备硅烯层的步骤和重复多次制备碳引导层的步骤；其中，制备硅烯层的步骤和制备碳引导层的步骤交替进行；制备硅烯层的步骤包括：通过磁控溅射的方式溅射硅原子以形成硅烯层，制备碳引导层的步骤包括：通过磁控溅射的方式溅射碳原子以形成碳引导层。磁控溅射的方式适合于在工业上大规模制备硅烯薄膜，相较于传统技术中的分子束外延法、化学气相沉积法等能够显著提高制备效率、降低制备成本。降低制备成本。降低制备成本。


技术研发人员：易典 王荣福
受保护的技术使用者：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
技术研发日：2022.12.02
技术公布日：2022/12/30