一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器与流程

技术特征：
1.一种碳化硅化学气相沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供一个水平方向分布的化学气相沉积室；所述化学气相沉积室包括位于其一侧的还原气体入口，以及位于其另一侧的气流出口；（2）在化学气相沉积室外壁处设置若干加热器，从而将化学气相沉积室内部分割成若干相互连通的反应腔；且在每个反应腔的上方提供一个贯穿加热器的前驱体气体入口；（3）在化学气相沉积室内每个反应腔内分别放置基底；（4）从还原气体入口向反应腔注入含有氢气以及惰性气体的还原气体；从前驱体气体入口向反应腔注入含si以及c元素的前驱体气体；前驱体气体与还原气体在反应腔中混合，并分别调节各反应腔中加热器的加热温度，使得前驱体气体与氢气在基底表面发生反应，从而在基底的表面沉积碳化硅薄膜；（5）反应尾气沿化学气相沉积室从气流出口排出。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅化学气相沉积方法，其特征在于，所述前驱体气体入口与基底之间的距离大于化学气相沉积室的直径的1/2。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅化学气相沉积方法，其特征在于，所述前驱体气体入口与基底之间的距离为1/2-3/4化学气相沉积室的直径。4.根据权利要求1~3中任意一项所述的一种碳化硅化学气相沉积方法，其特征在于，所述前驱体气体入口与化学气相沉积室中心线的夹角为45
°‑ꢀ
90
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。5.根据权利要求4中任意一项所述的一种碳化硅化学气相沉积方法，其特征在于，所述相邻基底之间的间距大于基底的半径。6.根据权利要求1所述的一种碳化硅化学气相沉积方法，其特征在于，所述加热器为环绕化学气相沉积室一周的圆环形加热器。7.一种用于权利要求1~6中任意一项所述方法的多热源水平壁热式碳化硅沉积化学反应器，其特征在于，包括反应器本体（1），所述反应器本体（1）内部水平设置有一化学气相沉积室（2），所述化学气相沉积室（2）的一侧设置有一个用于通入还原气体的还原气体入口（3），所述化学气相沉积室（2）的另一侧设置有一个用于排出反应尾气的气流出口（4），所述反应器本体（1）外部设置有若干环绕反应器本体（1）周身且呈圆环形的加热器（5），从而将化学气相沉积室（2）内部分割成若干相互连通的反应腔（6），每个所述反应腔（6）的上方还设置有一个用于向反应腔（6）内部通入前驱体气体且贯穿加热器的前驱体气体入口（8）。8.根据权利要求7所述的一种多热源水平壁热式碳化硅沉积化学反应器，其特征在于，所述前驱体气体入口（8）内径小于还原气体入口（3）的内径。9.根据权利要求7或8所述的一种多热源水平壁热式碳化硅沉积化学反应器，其特征在于，所述前驱体气体入口（8）与化学气相沉积室（2）的中心线的夹角为45
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技术总结
本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器，所述方法包括以下步骤：（1）提供一个化学气相沉积室；（2）在化学气相沉积室外壁处设置若干加热器，以及贯穿加热器的前驱体气体入口；（3）在化学气相沉积室内内分别放置基底；（4）从化学气相沉积室一侧的还原气体入口通入还原气体；从前驱体气体入口通入前驱体气体，使得前驱体气体与还原气体在基底表面发生反应，沉积碳化硅薄膜；（5）反应尾气沿化学气相沉积室从气流出口排出。本发明在碳化硅沉积过程中通过改变反应气体的通入方式以及位置，能够有效调节基底表面的碳硅比，同时设置多组加热器能够有效提高控制基底生长温度的灵活性。热器能够有效提高控制基底生长温度的灵活性。热器能够有效提高控制基底生长温度的灵活性。


技术研发人员：高冰 叶宏亮 李俊
受保护的技术使用者：浙江晶越半导体有限公司
技术研发日：2022.12.01
技术公布日：2022/12/30