在CVD系统中使用低蒸气压金属有机前体形成单晶压电层的设备和使用该设备形成单晶压电层的方法与流程

在cvd系统中使用低蒸气压金属有机前体形成单晶压电层的设备和使用该设备形成单晶压电层的方法
技术领域
1.本发明总体上涉及电子装置。更具体地，本发明提供与用于体声波谐振器装置、单晶体声波谐振器装置、单晶滤波器和谐振器装置等的制造方法和结构相关的技术。仅仅作为示例，本发明已经被应用于用于通信装置、移动装置、计算装置等的单晶谐振器装置。


背景技术：

2.无线数据通信可以利用在约5ghz和更高频率下运行的射频(rf)滤波器。已知在一些应用中使用结合了多晶压电薄膜的体声波谐振器(bawr)。虽然一些多晶基压电薄膜bawr对于工作在约1ghz至3ghz的频率的滤波器来说是足够的，但是由于与这些薄的多晶基膜相关的结晶度降低，因此在大约5ghz及5ghz以上的频率的应用可能存在障碍。


技术实现要素：

3.根据本发明的实施例可以提供一种用于在cvd系统中使用低蒸气压金属有机前体形成单晶压电层的设备和使用该设备形成单晶压电层的方法。根据这些实施例，一种用于形成半导体膜的设备可以包括水平流反应器，该水平流反应器包括上部和下部，该上部和下部可移动地彼此耦接，以在打开位置中彼此分离，并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室。中央注入器柱可以穿透水平流反应器的上部进入到反应器腔室中，中央注入器柱被配置成在闭合位置中允许金属有机前体进入到反应器腔室中。加热的金属有机前体管线可以耦接到中央注入器柱，并且被配置成将包含在中央注入器柱上游的加热的金属有机前体管线中的低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至200摄氏度的温度范围。处理器电路能够可操作地耦接至加热的金属有机前体管线并且被配置成用于将低蒸气压金属有机前体蒸气的温度维持在该温度范围内。
附图说明
4.图1是根据本发明的一些实施例中的cvd系统的示意图，该cvd系统包括被供应有加热的低蒸气压mo前体蒸气的水平流cvd反应器，该加热的低蒸气压mo前体蒸气经由加热管线被路由到cvd反应器，该加热的低蒸气压mo前体蒸气与被递送到cvd反应器中的其他前体热隔离。
5.图2是根据本发明的一些实施例中的cvd系统的示意图，该cvd系统包括被供应有加热的低蒸气压mo前体蒸气的水平流cvd反应器，该加热的低蒸气压mo前体蒸气经由加热管线被路由到cvd反应器，该加热的低蒸气压mo前体蒸气与被递送到cvd反应器的其他前体热隔离。
6.图3是根据本发明的一些实施例中的cvd系统的示意图，该cvd系统包括被供应有加热的低蒸气压mo前体蒸气水平流cvd反应器，该加热的低蒸气压mo前体蒸气经由加热管线被路由到cvd反应器，该加热的低蒸气压mo前体蒸气与被递送到cvd反应器中的其他前体
热隔离。
7.图4是根据本发明的一些实施例中的行星式晶片输送器和在其上的多个晶片站的示意图，该行星式晶片输送器在晶片上方的低蒸气压mo前体蒸气的层流期间在水平流cvd反应器中旋转，该多个晶片站在行星式晶片输送器上旋转。
8.图5是根据本发明的一些实施例中的高温压力控制器的示意图，该高温压力控制器与加热的低蒸气压mo前体源容器下游的加热的低蒸气压mo前体管线共线。
9.图6是根据本发明的一些实施例中的高温质量流量控制器的示意图，该高温质量流量控制器与加热的低蒸气压mo前体源容器下游的加热的低蒸气压mo前体管线共线。
10.图7展示了可以用于实现根据本发明的实施例的计算系统的示例。
11.图8展示了可以用于实现根据本发明的实施例的多核处理器单元的示例。
具体实施方式
12.根据本发明，提供了通常与电子装置相关的技术。更具体地，本发明提供与例如体声波谐振器装置、单晶谐振器装置、单晶滤波器和谐振器装置等的制造方法和结构相关的技术。这些类型的装置已经被应用于用于通信装置、移动装置和计算装置等的单晶谐振器装置。
13.根据本发明的实施例可以通过将低蒸气压mo前体加热到相对高的温度(诸如大于150摄氏度)来利用低蒸气压金属有机(mo)前体用于以相对高的浓度结合掺杂剂(诸如钪sc和钇y)的单晶压电层的cvd形成。例如，在根据本发明的一些实施例中，cvd系统可以将低蒸气压mo前体(诸如三(环戊二烯基)sc(即，(cp)3sc)和(mecp)3sc或cp3y和(mecp)3y)加热到至少150摄氏度。在根据本发明的实施例中也可以使用其他低蒸气压mo前体。
14.在一些实施例中，可以将容纳低蒸气压金属有机(mo)前体源的源容器以及将低蒸气压mo前体蒸气递送到cvd反应器腔室的管线加热至至少150摄氏度。在一些实施例中，cvd反应器是水平流反应器，其可以在反应器中的晶片上方产生低蒸气压mo前体蒸气的层流。在根据本发明的一些实施例中，水平流反应器可以包括行星式设备，其在沉积过程期间旋转并且旋转保持每个晶片的晶片站。在根据本发明的一些实施例中，低蒸气压mo前体可以是在室温下具有4.0pa或更小的蒸气压的任何金属有机材料。在根据本发明的一些实施例中，低蒸气压mo前体可以是在室温下具有约4.0pa至约0.004pa的蒸气压的任何金属有机材料。
15.在根据本发明的又另一实施例中，将低蒸气压mo前体蒸气引导到cvd反应器腔室中的加热管线是与其他mo前体和氢化物热隔离的。例如，在一些实施例中，将低蒸气压mo前体蒸气引导到cvd反应器腔室的加热管线经由与用于提供其他前体的路径不同的路径(诸如通过连接到移动的cvd反应器的一部分的柔性加热管线)提供到中央注入器柱。特别地，其他前体可通过cvd反应器的下部提供至中央注入器柱，当通过例如提升cvd反应器的上部以打开cvd反应器腔室而打开cvd反应器时，cvd反应器的下部保持静止。因而，例如当cvd反应器腔室处于打开位置时，cvd反应器的上部和下部彼此分离以暴露本文所述的行星布置。
16.如由本发明人所理解的，通过与其他前体不同的路径将低蒸气压mo前体蒸气提供至中央注入器柱可以允许低蒸气压mo前体蒸气被加热至相对高的温度，而不会不利地影响(例如，加热)例如室温以上的其他前体。因而，虽然可以经由通过下部路由的其他前体管线
来提供其他前体，该其他前体管线被配置成当cvd反应器闭合/打开时配合/不配合，但到中央注入器柱的加热的低蒸气压mo前体管线可以保持整体的柔性件，该整体的柔性件允许上部在打开/闭合时移动，但仍与其他前体/前体管线热隔离。
17.在一些实施例中，低蒸气压mo前体蒸气的摩尔流量是由在加热的低蒸气压mo前体源容器下游的高温质量流量控制器(mfc)提供的。在根据本发明的一些实施例中，mfc位于加热的低蒸气压mo前体源容器的上游，高温压力控制器位于加热的低蒸气压mo前体源容器的下游，该加热的低蒸气压mo前体源容器与将低蒸气压mo前体蒸气引导到cvd反应器腔室的管线共线。因此，在装置(诸如高温mfc或高温压力控制器)位于与将低蒸气压mo前体蒸气引导到加热的低蒸气压mo前体源容器下游的cvd反应器腔室的管线共线的实施例中，对应的装置被配置为在相对高的温度(诸如大于150摄氏度)下操作。
18.将理解的是，根据本发明的实施例可以在处理器电路的控制下操作，从而使得在如本文所描述的形成单晶压电层所需要的温度、压力、量和其他操作参数下提供低蒸气mo前体蒸气的加热和递送。尽管本文所描述的操作可以指代由处理器电路执行的操作，但是将理解，在一些实施例中，可以完全或部分地由多个处理器电路和/或处理系统来执行单独的操作(或相同操作的单独部分)，该多个处理器电路和/或处理系统可操作地耦接在一起以根据本发明的一些实施例中执行本文所描述的形成方法，如例如图7和图8中所示。
19.图1是根据本发明的一些实施例中的cvd系统300的示意图，cvd系统300包括水平流cvd反应器305，水平流cvd反应器305被供应有加热的低蒸气压mo前体蒸气310，加热的低蒸气压mo前体蒸气310经由加热管线315被路由到cvd反应器305，加热的低蒸气压mo前体蒸气310与被递送到cvd反应器305的其他前体320热隔离。如图1所示，cvd反应器305包括可移动地耦接在一起的上部350和下部355。在操作中，上部350可以与下部355分离以暴露行星式晶片输送器系统，使得晶片可以被装载到多个晶片站中。
20.中央注入器柱345穿透反应器305的上部350并且被耦接到被配置成携带不同前体的分离的管线。特别地，中央注入器柱345耦接到加热的低蒸气压mo前体管线315，加热的低蒸气压mo前体管线315携带低蒸气压mo前体蒸气310。加热的低蒸气压mo前体管线315是由加热器330加热的，加热器330在处理器电路101的控制下运行以维持管线315的温度，使得在约120摄氏度至约200摄氏度范围内的温度下将前体蒸气310提供到反应器腔室。在一些实施例中，处理器电路101控制加热管线315，使得在大于150摄氏度至约200摄氏度范围内的温度下将前体蒸气310提供至反应器腔室。
21.如图1中进一步所示，其他前体320也可经由与管线315分离的路径360来被提供至中央注入器柱345。在一些实施例中，其他前体可包括其他金属有机前体以及氢化物。将理解的是，路径360和管线315被定位为彼此热隔离，使得加热的前体蒸气310可以被递送到中央注入器柱345，而基本上不影响其他前体320的温度。换言之，在根据本发明的一些实施例中，加热管线315定位成使得蒸气310可在基本上不加热其他前体320的情况下被加热。
22.如由本发明人所理解的，在一些常规系统中，低蒸气压mo前体蒸气可以被递送到紧邻其他前体的注入器。因此，如果不采取将加热的低蒸气压金属有机前体蒸气与递送到中央注入器柱的其他前体热隔离的步骤，则可能不利地影响其他前体，这可能导致其他前体在被递送到反应器腔室之前反应。因而，例如加热管线315可通过路由相应的管线以彼此间隔开而与其他前体热隔离。在一些实施例中，加热的前体管线315与携带其他前体的管线
360间隔开，以避免非故意地用加热管线315加热其他前体。
23.根据图1，加热管线315被连接到中央注入器柱345而不穿过下部355，下部355在上部350被升高以打开cvd反应器305时可以保持固定。相反，在一些实施例中，加热管线315是耦接到上部350上的中央注入器柱345的柔性管线。因而，当cvd反应器305打开时，上部350升高，而下部355保持固定。然而，柔性加热管线315允许cvd反应器305打开，而柔性加热管线315保持耦接至中央注入器柱345。相反，携带其他前体320的管线360可路由穿过下部355和上部。因此，其他管线360可以包括共线接头，该共线接头被配置成在cvd反应器305打开时不配合，并且在cvd反应器305闭合时再次配合在一起。然而，热柔性管线315在cvd反应器305打开或闭合时保持整体结构。
24.如图1进一步所示，加热器330热耦接到加热管线315并由处理器电路101控制以经由反馈回路将加热的低蒸气压金属有机前体蒸气310的温度维持在期望的温度范围内，如图所示。加热器335还热耦接到低蒸气压前体源容器325，低蒸气压前体源容器325可以容纳产生低蒸气压mo前体蒸气310的材料。处理器电路101还可监视加热器335的操作且基于反馈来调节温度，如上所述。将理解的是，加热器330可包括各自热耦接到加热管线315的不同区段，这些区段可全部由处理器电路101作为集成单元来控制。将理解的是，处理器电路可以将低蒸气压mo前体蒸气310的温度调节为大于目标值以允许在传送期间的热损耗，使得蒸气在期望的温度范围内被递送到反应器腔室。
25.图2是根据本发明的一些实施例中的cvd系统301的示意图，cvd系统301包括水平流cvd反应器305，水平流cvd反应器被供应有加热的低蒸气压mo前体蒸气310，加热的低蒸气压mo前体蒸气310经由加热管线315和共线的高温质量流量控制器370被路由到cvd反应器，与被递送到cvd反应器305的其他前体320热隔离。根据图2，反应器305示出为处于打开位置，使得上部350与下部355分离以暴露晶片输送器和晶片站。如图2进一步所示，当cvd反应器305处于打开位置时，加热管线315保持连接至中央注入器柱345。因此，即使当cvd反应器305处于打开位置时，低蒸气压金属有机前体源容器325至中央注入器柱245之间的耦接仍保持完好。
26.更进一步地，图2示出了高温质量流量控制器370，高温质量流量控制器与在中央注入器柱345与容器325之间的加热的低蒸气压金属有机前体管线315共线。高温质量流量控制器(mfc)370在处理器电路101的控制下操作，以在cvd反应器305的操作期间检测并维持蒸气310从容器325流入到中央注入器柱345中。高温质量流量控制器370被配置成在蒸气315被加热的范围内的温度下操作。例如，在一些实施例中，处理器电路101控制mfc370的操作，使得在所期望的温度下将所期望的摩尔量的低蒸气压mo前体蒸气310从容器325提供到cvd反应器305。系统301还包括压力控制器375，压力控制器375在处理器电路101的控制下操作以将来自载气源340的载气提供到容器325中。
27.图3是根据本发明的一些实施例中的cvd系统302的示意图，cvd系统302包括水平流cvd反应器305，水平流cvd反应器305被供应有加热的低蒸气压mo前体蒸气310，加热的低蒸气压mo前体蒸气310经由加热管线315和共线的高温压力控制器380被路由至cvd反应器305，与递送至cvd反应器305的其他前体320热隔离。根据图3，cvd反应器305示出为处于打开位置，使得上部350与下部355分离，以暴露晶片输送器和晶片站。如图2进一步所示，当cvd反应器305处于打开位置时，加热管线315保持连接至中央注入器柱345。因此，即使当
cvd反应器305处于打开位置时，低蒸气压金属有机前体源容器325至中央注入器柱245之间的耦接仍保持完好。
28.更进一步地，图3示出了高温压力控制器380，高温压力控制器380与在中央注入器柱345与容器325之间的加热的低蒸气压金属有机前体管线315共线。高温质量流量控制器380在处理器电路101的控制下操作，以在cvd反应器305操作期间在期望温度下检测和维持从容器325进入到中央注入器柱345的蒸气310的压力。高温压力控制器380被配置为在加热蒸气315的范围内的温度下操作。例如，在一些实施例中，处理器电路101控制高温压力控制器380的操作，使得在期望的温度和压力下将期望的摩尔量的低蒸气压mo前体蒸气310从容器325提供到cvd反应器305。系统302还包括质量流量转换器385，质量流量转换器385在处理器电路101的控制下操作，以将适当量的载气从载气源340提供到容器325中。
29.图4是根据本发明的一些实施例中的行星式晶片输送器410和其上的多个晶片站420的示意图，行星式晶片输送器在晶片上方的低蒸气压mo前体蒸气310的层流421期间在水平流cvd反应器305中旋转，多个晶片站420在行星式晶片输送器上旋转。如图4所示，cvd反应器305包括在反应器的下部355上的行星式晶片输送器410，其在第一方向上旋转。在根据本发明的一些实施例中，行星式晶片输送器410包括多个晶片站420，多个晶片站420中的每个晶片站可容纳晶片，单晶压电层可形成在晶片上。多个晶片站420中的每个晶片站可以在与第一方向相反的第二方向上旋转。
30.当行星式晶片输送器410及晶片站420在其各自的方向上旋转时，中央注入器柱345穿透上部350，以提供横跨晶片表面的前体的层流。如图所示，层流横跨晶片表面是水平的。在根据本发明的一些实施例中，加热的低蒸气压mo前体蒸气310可以被引入到中央注入器柱345，以在到达反应器腔室之前不与未加热的mo前体或氢化物反应。在根据本发明的一些实施例中，用于加热的低蒸气压mo前体蒸气310以及未加热的mo前体和氢化物的导管在中央注入器柱345中彼此间隔开，以彼此热绝缘。
31.图5是根据本发明的一些实施例中的高温压力控制器380与加热的低蒸气压mo前体源容器325下游的加热的低蒸气压mo前体管线315共线的示意图。如图5所示，高温压力控制器380可以包括压力传感器430和与加热的低蒸气压mo前体管线315共线的压力阀435，压力阀435和压力传感器430两者都可以在蒸气310将被加热至的温度范围内操作，诸如大于150摄氏度至约200摄氏度。此外，高温压力控制器380可以包括可操作地耦接至压力阀435并且被配置为调节压力阀435以改变加热管线315中的压力的本地电子器件440。还将理解的是，高温压力控制器380可以包括处理器电路101，在一些实施例中，处理器电路101可以被配置成执行本文描述的操作。
32.图6是根据本发明的一些实施例中的高温质量流量控制器370的示意图，高温质量流量控制器370与加热的低蒸气压mo前体源容器325下游的加热的低蒸气压mo前体管线315共线。如图6所示，高质量流量控制器(mfc)370可以包括与加热的低蒸气压mo前体管线315共线的mfc435，mfc435可以在蒸气310将被加热至的温度范围(诸如大于150摄氏度至约200摄氏度)内操作。此外，高温mfc370可包括本地电子器件455，其可操作地耦接至高温mfc450且被配置为调节加热管线315中的蒸气310的摩尔量。还应了解，高温mfc370可包括处理器电路101，在一些实施例中，处理器电路101可被配置为执行本文中所描述的操作。
33.所公开的技术的各种实施例的执行可以使用由一个或更多个可编程计算装置执
行的计算机可执行软件指令来实现。因为所公开的技术的这些实施例可以使用软件指令来实现，所以将首先描述可以采用所公开的技术的各种实施例的通用可编程计算机系统的组件和操作。进一步，由于根据本发明的实施例的方法和设备的操作的实时性质的复杂性，如本文所描述的，本文所描述的处理器电路或计算系统能够同时运行多个处理线程。
34.图7展示了可以用于实现根据本发明的实施例的计算系统的示例，计算系统包括处理器电路101的部件和操作，处理器电路101具有主机或主计算机以及一个或更多个远程或伺服计算机。然而，这个操作环境仅是合适的操作环境的一个示例，并且不旨在对所公开的技术的使用范围或功能提出任何限制。
35.在图7中，处理器电路101包括主计算机103。在所展示的示例中，主计算机103是包括多个输入和输出装置105和存储器107的多处理器计算机。输入和输出装置105可以包括用于从用户接收输入数据或向用户提供输出数据的任何装置。例如输入装置可包括用于接收来自用户的输入的键盘、麦克风、扫描仪或指向装置。然后输出装置可以包括显示监视器、扬声器、打印机或触觉反馈装置。这些装置以及它们的连接在本领域中是众所周知的，并且因此在此将不再详细讨论。
36.存储器107可以类似地使用可以由主计算机103访问的计算机可读介质的任何组合来实现。例如计算机可读介质可包括微电路存储器装置，诸如读写存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除和可编程只读存储器(eeprom)或闪存微电路装置、cd-rom盘、数字视频盘(dvd)、或其他光学存储装置。计算机可读介质还可包括磁带盒、磁带、磁盘或其他磁存储装置、穿孔介质、全息存储装置或可用于存储所需信息的任何其他介质。
37.如以下将详细讨论的，主计算机103运行用于执行根据所公开技术的各种示例的操作的软件应用。因此，存储器107存储软件指令109a，软件指令109a在被执行时将实现用于执行一个或更多个操作的软件应用。存储器107还存储待与软件应用一起使用的数据109b。在所展示的实施例中，数据109b包含软件应用用来执行操作的过程数据，其中的至少一些可以是并行的。
38.主计算机103还包括多个处理器单元111和接口装置113。处理器单元111可以是可被编程以执行软件指令109a的任何类型的处理器装置，但通常将是微处理器装置。例如，处理器单元111中的一个或更多个可以是商业上通用的可编程微处理器，诸如intel.pentium.或xeon微处理器、advanced micro devices athlon.tm.微处理器或motorola 68k/coldfire.微处理器。替代地或附加地，处理器单元111中的一个或更多个可为定制制造处理器，诸如经设计以最佳地执行特定类型的数学运算的微处理器。接口装置113、处理器单元111、存储器107以及输入/输出装置105通过总线115连接在一起。
39.通过所公开的技术的一些实现方式，主计算装置103可以采用具有多于一个处理器核的一个或更多个处理单元111。图8展示了可以与所公开的技术的各种实施例一起使用的多核处理器单元111的示例。如图8所示，处理器单元111包括多个处理器核201。每个处理器核201包括计算引擎203和存储器高速缓存205。如所属领域的普通技术人员已知，计算引擎包含用于执行各种计算功能(诸如，获取软件指令，且接着执行在所获取指令中指定的动作)的逻辑装置。例如这些动作可以包括加、减、乘和比较数字、执行诸如and、or、nor和xor的逻辑运算、以及检索数据。然后，每个计算引擎203可以使用其对应的存储器高速缓存205来快速存储和检索数据和/或用于执行的指令。
40.每个处理器核201连接至互连器207。互连器207的特定构造可以根据处理器单元111的架构而变化。对于一些处理器核201，诸如由索尼公司、东芝公司和ibm公司创建的cell微处理器，互连器207可以被实现为互连总线。然而，利用其他处理器单元111，诸如可从加利福尼亚州桑尼维尔(sunnyvale,calif.)的advanced micro devices公司获得的opteron.tm.和athlon.tm.双核处理器，互连器207可以被实现为系统请求接口装置。在任何情况下，处理器核201通过互连器207与输入/输出接口209和存储器控制器210进行通信。输入/输出接口209提供处理器单元111和总线115之间的通信接口。类似地，存储器控制器210控制处理器单元111与系统存储器107之间的信息交换。通过所公开的技术的一些实现方式，处理器单元111可以包括附加组件，诸如处理器核201可共享访问的高级快速缓存存储器。
41.虽然图8示出了可以被所公开的技术的一些实施例采用的处理器单元111的一个图示，但应了解的是，这个图示仅是代表性的，并且不旨在是限制性的。此外，利用某些实现方式，多核处理器单元111可用于代替多个单独的处理器单元111。例如，并非采用六个单独的处理器单元111，所公开的技术的替代实现方式可以采用具有六个核的单个处理器单元111、各自具有三个核的两个多核处理器单元、具有四个核的多核处理器单元111连同两个单独的单核处理器单元111等。
42.现在返回图7，接口装置113允许主计算机103通过通信接口与伺服计算机117a、117b、117c
……
117x通信。通信接口可以是任何合适类型的接口，包括例如常规有线网络连接或光传输有线网络连接。通信接口还可以是无线连接，诸如无线光学连接、射频连接、红外连接或甚至声学连接。接口装置113根据一个或更多个通信协议(诸如传输控制协议(tcp)、用户数据报协议(udp)和互联网协议(ip))将来自主计算机103和每个伺服计算机117的数据和控制信号转换成网络消息。这些和其他常规通信协议在本领域中是众所周知的，并且因此在此将不更详细地讨论。
43.每个伺服计算机117可以包括存储器119、处理器单元121、接口装置123、以及可选地通过系统总线127连接在一起的一个或更多个输入/输出装置125。如同主计算机103，用于伺服计算机117的可选输入/输出装置125可以包括任何常规的输入或输出装置，诸如键盘、指向装置、麦克风、显示监视器、扬声器以及打印机。类似地，处理器单元121可以是任何类型的常规或定制制造的可编程处理器装置。例如，处理器单元121中的一个或更多个可以是商业上通用的可编程微处理器，诸如intel.rtm.pentium.rtm.或xeon.tm.微处理器、advanced micro devices athlon.tm.微处理器或motorola 68k/coldfire.rtm.微处理器。可替代地，处理器单元121中的一个或更多个可以是定制制造的处理器，诸如被设计为最佳地执行特定类型的数学运算的微处理器。更进一步地，处理器单元121中的一个或更多个可以具有多于一个核，如参考以上图2所描述的。例如，通过所公开的技术的一些实现方式，处理器单元121中的一个或更多个可以是单元处理器。然后存储器119可以使用以上讨论的计算机可读介质的任何组合来实现。与接口装置113类似，接口装置123允许伺服计算机117通过通信接口与主计算机103通信。
44.在所展示的示例中，主计算机103是具有多个处理器单元111的多处理器单元计算机，而每个伺服计算机117具有单个处理器单元121。然而，应当注意，所公开的技术的替代实现方式可以采用具有单个处理器单元111的主计算机。进一步，一个或更多个伺服计算机
117可以具有多个处理器单元121，这取决于它们的预期用途，如之前所讨论的。而且，虽然仅针对主计算机103和伺服计算机二者展示了单一的接口装置113或123，但是应注意的是，在所公开的技术的替代实施例中，计算机103、一个或更多个伺服计算机117、或计算机103和伺服计算机117两者的某种组合可以使用两个或更多个不同的接口装置113或123以通过多个通信接口进行通信。
45.通过所公开的技术的各种示例，主计算机103可以连接到一个或更多个外部数据存储装置。这些外部数据存储装置可以使用可以由主计算机103访问的计算机可读介质的任何组合来实现。例如计算机可读介质可包括微电路存储器装置，诸如读写存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除和可编程只读存储器(eeprom)或闪存微电路装置、cd-rom盘、数字视频盘(dvd)、或其他光学存储装置。计算机可读介质还可包括磁带盒、磁带、磁盘或其他磁存储装置、穿孔介质、全息存储装置或可用于存储所需信息的任何其他介质。根据本公开的技术的一些实现方式，伺服计算机117中的一个或更多个可以替代地或附加地连接到一个或更多个外部数据存储装置。通常，这些外部数据存储装置将包括也连接到主计算机103的数据存储装置，但是它们也可以不同于主计算机103可访问的任何数据存储装置。
46.还应当理解的是，图7和图8中所展示的处理器电路101的描述仅作为示例提供，并且不旨在对所公开的技术的替代性实施例的使用范围或功能提出任何限制。
47.将理解，虽然在本文中可使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不脱离本文所描述的各种实施例的保护范围。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任何和所有组合。
48.本文使用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，并且不旨在限于其他实施例。如本文中使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”(a)、“一个”(an)和“该”(the)旨在也包括复数形式。将进一步理解的是，当在本文中使用时，术语“包括”(comprises)、“包括”(comprising)、“包括”(includes)和/或“包括”(including)、“具有”(have)和/或“具有”(having)指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。被描述为“用于”(to)执行功能、动作和/或操作的元件可以被配置为或被构造成这样做。
49.除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本文描述的各种实施例所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。应进一步理解的是，本文中使用的术语应被解释为具有与它们在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且不得以理想化或过于正式的意义进行解释，除非本文中明确如此定义。
50.如本领域技术人员将认识到的，本文描述的各种实施例可以被实施为方法、数据处理系统和/或计算机程序产品。此外，实施例可以采取有形计算机可读存储介质上的计算机程序产品的形式，该有形计算机可读存储介质具有在介质中体现的、可以由计算机执行的计算机程序代码。
51.可以利用一个或更多个计算机可读介质的任何组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或计算机可读存储介质。计算机可读存储介质可以是，例如但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外线的或半导体系统、设备或装置，或者上述的任意合适的
组合。计算机可读存储介质的更具体的示例(非穷尽列表)将包括以下：便携式计算机软盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、便携式光盘只读存储器(cd-rom)、光学存储装置、磁存储装置、或者上述的任意合适的组合。在本文件的上下文中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序以供指令执行系统、设备或装置使用或者与其结合使用的有形介质。
52.例如，计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波的一部分传播的数据信号，该传播的数据信号具有在其中实施的计算机可读程序代码。这种传播信号可采取多种形式中的任一种，包括但不限于电磁、光或其任何合适的组合。计算机可读信号介质可以是任何计算机可读介质，计算机可读介质不是计算机可读存储介质并且可以通信、传播或传输由指令执行系统、设备或装置使用或者与其结合使用的程序。体现在计算机可读信号介质上的程序代码可以使用任何合适的介质传输，包括但不限于无线、有线、光纤电缆、rf等，或者上述的任何合适的组合。
53.用于执行本公开的方面的操作的计算机程序代码可以用一种或更多种编程语言的任何组合来编写，包括面向对象的编程语言(诸如java、scala、smalltalk、eiffel、jade、emerald、c 、c#、vb.net、python等)、常规过程编程语言(诸如“c”编程语言、visual basic、fortran 2003、perl、cobol 2002、php、abap)、动态编程语言(诸如python、ruby和groovy)、或其他编程语言(诸如fpga、verilog、system verilog、硬件描述语言(hdl)和vhdl的编程语言)。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分在用户计算机上执行、作为独立软件包执行、部分在用户计算机上和部分在远程计算机上执行或者完全在远程计算机或服务器上执行。在后一情形中，远程计算机可通过任何类型的网络(包括局域网(lan)或广域网(wan))连接到用户计算机，或者可连接到外部计算机(例如，使用互联网服务提供商来通过互联网)或在云计算机环境中或作为服务来提供，诸如软件即服务(saas)。
54.本文参照根据实施例的方法、系统和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了一些实施例。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中方框的组合，都可以由计算机程序指令实现。这些计算机程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理设备的处理器，从而生产出一种机器，使得这些指令在经由计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行时，产生了实现流程图和/或框图方框或多个方框中规定的功能/动作的机制。
55.这些计算机程序指令还可以存储在计算机可读介质中，当被执行时，这些计算机程序指令可以引导计算机、其他可编程数据处理设备、或其他装置以特定方式起作用，从而使得当被存储在计算机可读介质中时，指令产生包括指令的制品，当被执行时，这些指令引起计算机实现流程图和/或框图方框或多个方框中所指定的功能/动作。计算机程序指令还可以被加载到计算机、其他可编程指令执行设备、或其他装置上，以引起在计算机、其他可编程设备或其他装置上执行一系列操作步骤从而产生计算机实现的过程，使得在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图和/或框图方框或多个方框中指定的功能/动作的过程。
56.应当理解的是，方框中指出的功能/动作可以不按照操作说明中指出的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能/动作，连续示出的两个方框实际上可以基本上同时执行或者这些方框有时可以以相反的顺序执行。尽管一些示图包括在通信路径上的箭头以示出通信的
主要方向，但应当理解，通信可在与所描绘的箭头相反的方向上发生。
57.结合以上描述和附图，本文已经公开了许多不同的实施例。应当理解，在字面上描述和说明这些实施例的每种组合和子组合将过度重复和混淆。因此，可以以任何方式和/或组合来组合所有实施例，并且本说明书(包括附图)将支持任何这样的组合或子组合的权利要求。