技术特征：
1.一种用于形成半导体膜的设备，所述设备包括：水平流反应器，所述水平流反应器包括上部和下部，所述上部和所述下部可移动地耦接到彼此，以在打开位置中彼此分离并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室；中央注入器柱，所述中央注入器柱穿透所述水平流反应器的上部进入到所述反应器腔室中，所述中央注入器柱被配置成在所述闭合位置中允许金属有机前体进入到所述反应器腔室中；加热的金属有机前体管线，所述加热的金属有机前体管线耦接至所述中央注入器柱，并且被配置成将包含在所述中央注入器柱的上游的所述加热的金属有机前体管线中的低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至200摄氏度的温度范围；以及处理器电路，所述处理器电路可操作地耦接至所述加热的金属有机前体管线并且被配置成将所述低蒸气压金属有机前体蒸气的温度维持在所述温度范围内。2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：行星式晶片输送器，所述行星式晶片输送器耦接至所述水平流反应器的所述下部，所述行星式晶片输送器，其中，所述行星式晶片输送器在所述反应器腔室内部旋转；以及在所述行星式晶片输送器上的多个晶片站，所述多个晶片站中的每个晶片站被配置为接纳用于在其上形成所述半导体膜的相应晶片，其中，所述多个晶片站中的每个晶片站相对于所述行星式晶片输送器旋转。3.根据权利要求2所述的设备，进一步包括：基座，所述基座在所述反应器腔室内并且被配置成在所述反应器腔室内旋转以产生经由中央注入器柱接纳的所述低蒸气压金属有机前体蒸气的水平层流。4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热的金属有机前体管线被配置成将所述低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约100摄氏度至120摄氏度的温度范围。5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热的金属有机前体管线被配置成将所述低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约120摄氏度至150摄氏度的温度范围。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热的金属有机前体管线耦接至所述中央注入器柱中的入口，而不穿过所述水平流反应器的所述下部。7.根据权利要求1所述的设备，其中，当所述水平流反应器处于所述打开位置时，所述加热的金属有机前体管线保持整体结构。8.根据权利要求1所述的设备，其中，当所述水平流反应器处于所述打开位置时，所述加热的金属有机前体管线从运行/排气阀至所述中央注入器柱中的入口保持整体结构。9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热的金属有机前体管线包括柔性管线。10.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：通过所述加热的金属有机前体管线耦接到所述中央注入器柱的加热的金属有机前体源容器，所述加热的金属有机前体源容器被配置成将所述低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至约180摄氏度的温度范围。11.根据权利要求10所述的设备，进一步包括：质量流量控制器，所述质量流量控制器位于所述加热的金属有机前体源容器和载气源之间，所述质量流量控制器被配置为控制提供给所述加热的金属有机前体源容器的载气的量；以及
高温压力控制器，所述高温压力控制器与在所述加热的金属有机前体源容器与所述中央注入器柱之间的所述加热的金属有机前体管线共线，所述高温压力控制器被配置成在所述温度范围内与所述处理器电路协作将所述加热的金属有机前体管线中的所述低蒸气压金属有机前体蒸气的压力调节到200mbar至1500mbar。12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热的金属有机前体管线包括：金属有机前体管线，所述金属有机前体管线被配置为在所述温度范围中选定的温度下将所述低蒸气压金属有机前体蒸气引导至所述中央注入器柱；以及加热器，所述加热器被热耦接到所述金属有机前体管线，所述加热器可操作地耦接到所述处理器电路以将所述金属有机前体管线中的所述低蒸气压金属有机前体蒸气维持在所述选定温度。13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述加热的金属有机前体管线与将氢化物和/或非低蒸气压金属有机前体运送至所述中央注入器柱的管线热隔离。14.根据权利要求10所述的设备，进一步包括：压力控制器，所述压力控制器在所述加热的金属有机前体源容器和载气源之间，所述压力控制器被配置成调节向所述加热的金属有机前体源容器提供载气的压力；以及高温质量流量控制器，所述高温质量流量控制器与在所述加热的金属有机前体源容器和所述中央注入器柱之间的所述加热的金属有机前体管线共线，所述高温质量流量控制器被配置为在所述温度范围内与所述处理器电路协作将所述加热的金属有机前体管线中的所述低蒸气压金属有机前体蒸气的量控制在1sccm至10slpm。15.一种用于形成半导体膜的设备，所述设备包括：水平流反应器，所述水平流反应器包括上部和下部，所述上部和所述下部可移动地耦接到彼此以在打开位置中彼此分离并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室；中央注入器柱，所述中央注入器柱穿透所述水平流反应器的上部进入到所述反应器腔室中，所述中央注入器柱被配置成在所述闭合位置中允许低蒸气压金属有机前体蒸气进入到所述反应器腔室中；有源加热的金属有机前体管线，所述有源加热的金属有机前体管线耦接至所述中央注入器柱；加热的金属有机前体源容器，所述加热的金属有机前体源容器通过所述有源加热的金属有机前体管线耦接到所述中央注入器柱；质量流量控制器，所述质量流量控制器在所述加热的金属有机前体源容器和载气源之间；高温压力控制器，所述高温压力控制器与在所述加热的金属有机前体源容器与所述中央注入器柱之间的所述有源加热的金属有机前体管线共线；以及至少一个处理器电路，所述至少一个处理器电路可操作地耦接至所述有源加热的金属有机前体管线、所述质量流量控制器、所述高温压力控制器以及所述加热的金属有机前体源容器。16.根据权利要求15所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线与将氢化物和/或非低蒸气压金属有机前体运送至所述中央注入器柱的管线热隔离。17.根据权利要求15所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线被配置为将
所述低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约100摄氏度至200摄氏度的温度范围。18.根据权利要求15所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线被配置为将所述低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约120摄氏度至150摄氏度之间的温度范围。19.根据权利要求15所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线耦接至所述中央注入器柱中的入口，而不穿过所述水平流反应器的所述下部。20.根据权利要求15所述的设备，其中，当所述水平流反应器处于所述打开位置时，所述有源加热的金属有机前体管线保持整体结构。21.根据权利要求15所述的设备，其中，当所述水平流反应器处于所述打开位置时，所述有源加热的金属有机前体管线从运行/排气阀至所述中央注入器柱中的入口保持整体结构。22.根据权利要求15所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线包括至少一个波纹管膨胀接头。23.一种用于形成半导体膜的设备，所述设备包括：水平流反应器，所述水平流反应器包括上部和下部，所述上部和所述下部可移动地耦接到彼此以在打开位置中彼此分离并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室；中央注入器柱，所述中央注入器柱穿透所述水平流反应器的上部进入到所述反应器腔室中，所述中央注入器柱被配置成在所述闭合位置中允许低蒸气压金属有机前体蒸气进入到所述反应器腔室中；有源加热的金属有机前体管线，所述有源加热的金属有机前体管线耦接至所述中央注入器柱；加热的金属有机前体源容器，所述加热的金属有机前体源容器通过所述有源加热的金属有机前体管线耦接到所述中央注入器柱；压力控制器，所述压力控制器在所述加热的金属有机前体源容器和载气源之间；高温质量流量控制器压力控制器，所述高温质量流量控制器压力控制器与在所述加热的金属有机前体源容器和所述中央注入器柱之间的所述有源加热的金属有机前体管线共线；以及至少一个处理器电路，所述至少一个处理器电路可操作地耦接至所述有源加热的金属有机前体管线、所述高温质量流量控制器、所述压力控制器以及所述加热的金属有机前体源容器。24.根据权利要求23所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线与将氢化物和/或非低蒸气压金属有机前体运送至所述中央注入器柱的管线热隔离。25.根据权利要求23所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线被配置为将所述低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约100摄氏度至200摄氏度的温度范围。26.根据权利要求23所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线被配置为将所述低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约120摄氏度至150摄氏度的温度范围。27.根据权利要求23所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线耦接至所述中央注入器柱中的入口，而不穿过所述水平流反应器的所述下部。28.根据权利要求23所述的设备，其中，当所述水平流反应器处于所述打开位置时，所述有源加热的金属有机前体管线保持整体结构。
29.根据权利要求23所述的设备，其中，当所述水平流反应器处于所述打开位置时，所述有源加热的金属有机前体管线从运行/排气阀至所述中央注入器柱中的入口保持整体结构。30.根据权利要求23所述的设备，其中，所述有源加热的金属有机前体管线包括至少一个波纹管膨胀接头。31.一种形成压电膜的方法，所述方法包括：加热水平流反应器腔室，所述水平流反应器腔室包括上部和下部，所述上部和所述下部可移动地彼此耦接，以在打开位置中彼此分离并且以在闭合位置中配合在一起；以及将在加热的金属有机前体管线中引导的低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至200摄氏度的温度范围，所述加热的金属有机前体管线耦接到穿透所述水平流反应器腔室的上部的中央注入器柱，以允许所述低蒸气压金属有机前体蒸气在所述闭合位置中进入到水平流反应器腔室中。32.根据权利要求31所述的方法，进一步包括：致动保持在行星式晶片输送器中的晶片，所述行星式晶片输送器耦接至所述水平流反应器腔室的所述下部；以及将所述低蒸气压金属有机前体蒸气通过基座引导到水平流反应器腔室中，以在所述晶片上方产生所述低蒸气压金属有机前体蒸气的水平层流。33.根据权利要求32所述的方法，进一步包括：加热金属有机前体源容器到所述温度范围以在所述加热的金属有机前体管线中产生所述低蒸气压金属有机前体蒸气。34.根据权利要求33所述的方法，还包括：使用质量流量控制器来控制从载气源流向所述金属有机前体源容器的载气的量；以及使用与所述加热的金属有机前体管线共线的高温压力控制器来调节所述金属有机前体源容器与所述中央注入器柱之间的所述加热的金属有机前体管线中的压力。35.根据权利要求33所述的方法，进一步包括：使用压力控制器来调节从载气源流向所述金属有机前体源容器的载气的压力；以及使用与所述加热的金属有机前体管线共线的高温质量流量控制器来控制在所述金属有机前体源容器与所述中央注入器柱之间的所述加热的金属有机前体管线中的所述低蒸气压金属有机前体蒸气的量。
技术总结
一种用于形成半导体膜的设备包括水平流反应器，该水平流反应器包括上部和下部，该上部和下部可移动地彼此耦接以在打开位置中彼此分离，并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室。中央注入器柱可以穿透水平流反应器的上部进入到反应器腔室中，中央注入器柱被配置成在闭合位置中允许金属有机前体进入到反应器腔室中。加热的金属有机前体管线可以耦接到中央注入器柱并且被配置成将包含在中央注入器柱上游的加热的金属有机前体管线中的低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至200摄氏度的温度范围。至200摄氏度的温度范围。至200摄氏度的温度范围。
技术研发人员：克雷格
受保护的技术使用者：阿库斯蒂斯有限公司
技术研发日：2021.02.04
技术公布日：2022/8/12
再多了解一些
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