LED显示面板及其制备方法和LED显示装置与流程

led显示面板及其制备方法和led显示装置
技术领域
1.本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及led显示面板及其制备方法和led显示装置。


背景技术：

2.micro-led是指将传统led阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距led，将毫米级别的led长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。
3.由于受制于ltps技术和转印技术，led大尺寸显示面板需小屏拼接而成。显示面板的周边如goa信号线、vdd、vss等走线需要占用面积面板边框，使拼接屏之间具有较大缝隙，影响观感。因此无边框拼接面板亟待开发。目前的无边框走线方案有侧边走线和背部走线两种，在背部走线方案中，fanout无法避免的要经过led像素电路，如此，fanout的电信号会影响像素电路tft，使之不受控的正偏或负偏，进而导致显示亮度不均。
4.因此，关于led显示面板的研究有待深入。


技术实现要素：

5.本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种led显示面板，led显示面板可以实现无边框设计，或可以屏蔽导电层产生的干扰电场，保证led显示面板的显示亮度均匀。
6.在本发明的一方面，本发明提供了一种led显示面板。根据本发明的实施例，该led显示面板包括：衬底基板；导电层，所述导电层设置在所述衬底基板的一侧；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述底基板的一侧，且覆盖所述导电层；第一栅极，所述第一栅极设置在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层远离衬底基板的一侧，且覆盖所述第一栅极；有源层，所述有源层设置在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一栅极用于屏蔽所述导电层产生的干扰电场。由此，在不增加额外电容、走线的情况下，可以利用led显示面板中tft本身结构中的第一栅极产生的电场屏蔽导电层产生的干扰电场，进而有效保证led显示面板亮度显示均匀；而且，该led显示面板可以实现无边框设计，提高显示装置的观感。
7.根据本发明的实施例，led显示面板还包括：第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述有源层；第二栅极，所述第二栅极设置在所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且所述第二栅极通过贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第一过孔与所述第一栅极电连接，其中，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极的宽度大于所述第二栅极的宽度。
8.根据本发明的实施例，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极的单边宽度大于所述第二栅极的单边宽度。
9.根据本发明的实施例，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极
的单边宽度与所述第二栅极的单边宽度的差值大于等于1.5微米。
10.根据本发明的实施例，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极的单边宽度比所述第二栅极的单边宽度的差值小于等于5微米。
11.根据本发明的实施例，所述led显示面板还包括：存储电容的第一电极板和第二电极板，其中，所述第一电极板与所述第一栅极同层设置，所述第二电极板与所述第二栅极同层设置。
12.根据本发明的实施例，所述led显示面板还包括：第四绝缘层，所述第四绝缘层设置在所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述第二栅极；源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接，所述源极通过第三过孔与所述有源层电连接，且所述源极通过通孔与所述导电层电连接。
13.根据本发明的实施例，所述led显示面板还包括：第一导电结构，所述第一导电结构与所述第一栅极同层设置；第二导电结构，所述第二导电结构与所述第二栅极同层设置，其中，所述源极通过贯穿所述第四绝缘层的第四过孔与所述第二导电结构电连接，所述第二导电结构通过贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第五过孔与所述第一导电结构电连接，所述第一导电结构通过贯穿所述第一绝缘层的第六过孔与所述导电层电连接。
14.根据本发明的实施例，所述led显示面板还包括：源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的表面上，且与所述有源层接触设置；第三导电结构，所述第三导电结构与所述第一栅极同层设置，其中，所述源极通过贯穿所述第二绝缘层的第八过孔与所述第三导电结构电连接，所述第三导电结构通过贯穿所述第一绝缘层的第九过孔与所述导电层电连接。
15.根据本发明的实施例，所述衬底基板包括玻璃基板和柔性基板，还包括：牺牲层，所述牺牲层设置在所述玻璃基板靠近所述柔性基板的表面上；绑定焊盘，所述绑定焊盘设置在所述牺牲层远离所述玻璃基板的表面上，其中，所述导电层通过第七过孔与所述绑定焊盘电连接。
16.在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备前面所述的led显示面板的方法。根据本发明的实施例，制备led显示面板的方法包括：在衬底基板的一侧形成导电层；在所述底基板的一侧形成第一绝缘层，且所述第一绝缘层覆盖所述导电层；在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第一栅极；在所述第一绝缘层远离衬底基板的一侧形成第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极；在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成有源层，其中，所述第一栅极用于屏蔽所述导电层产生的干扰电场。由此，在不增加额外电容、走线的情况下，可以利用led显示面板中tft本身结构中的第一栅极产生的电场屏蔽导电层产生的干扰电场，进而有效保证led显示面板亮度显示均匀；而且，该led显示面板可以实现无边框设计，提高显示装置的观感；另外，上述制备工艺成熟，流程简单，便于工业化生产。
17.根据本发明的实施例，制作led显示面板的方法还包括：在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第三绝缘层，且所述第三绝缘层覆盖所述有源层；在所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极，且所述第二栅极通过贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第一过孔与所述第一栅极电连接，其中，在所述有源层的沟道中电子迁移
的方向上，所述第一栅极的宽度大于所述第二栅极的宽度。
18.在本发明的又一方面，本发明提供了一种led显示装置。根据本发明的实施例，该led显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该led显示装置的亮度显示均匀，且可以实现无边框设计。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述的led显示面板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
附图说明
19.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
20.图1是本发明一个实施例中led显示面板的结构示意图；
21.图2是本发明另一个实施例中led显示面板的结构示意图；
22.图3是本发明另一个实施例中led显示面板的结构示意图；
23.图4是本发明又一个实施例中led显示面板中部分结构的平面示意图；
24.图5是本发明又一个实施例中led显示面板中部分结构的平面示意图。
具体实施方式
25.下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
26.在本发明的一方面，本发明提供了一种led显示面板。根据本发明的实施例，参照图1，该led显示面板包括：衬底基板10；导电层(fanout)20，导电层20设置在衬底基板10的一侧；第一绝缘层31，第一绝缘层31设置在所述底基板10的一侧，且覆盖导电层20；第一栅极41，第一栅极41设置在第一绝缘层31远离衬底基板10的一侧；第二绝缘层32，第二绝缘层32设置在第一绝缘层31远离衬底基板10的一侧，且覆盖第一栅极41；有源层50，有源层50设置在第二绝缘层32远离衬底基板10的一侧，其中，所述第一栅极用于屏蔽所述导电层产生的干扰电场。由此，在不增加额外电容、走线的情况下，可以利用led显示面板中tft本身结构中的第一栅极产生的电场屏蔽导电层产生的干扰电场，进而有效保证led显示面板亮度显示均匀；而且，该led显示面板可以实现无边框设计，提高显示装置的观感。
27.根据本发明的实施例，led显示面板为双栅结构，参照图2，led显示面板还进一步包括：第三绝缘层33，第三绝缘层33设置在第二绝缘层32远离衬底基板10的一侧，且覆盖有源层50；第二栅极42，第二栅极42设置在第三绝缘层33远离衬底基板10的一侧，且第二栅极42通过贯穿第二绝缘层32和第三绝缘层33的第一过孔323与第一栅极41电连接，其中，在有源层50的沟道中电子迁移的方向上，第一栅极41的宽度d1大于第二栅极42的宽度d2。由此，通过第一栅极的设置，且第一栅极的宽度大于所述第二栅极的宽度，第一栅极与第二栅极共用栅极电位，在不增加额外电容、走线的情况下，可以利用led显示面板中tft本身的电场屏蔽导电层产生的干扰电场，进而有效保证led显示面板亮度显示均匀；而且，该led显示面板可以实现无边框设计，提高显示装置的观感。
28.需要说明的是，第二栅极42通过贯穿第二绝缘层32和第三绝缘层33的第一过孔323与第一栅极41电连接，其中，第一过孔323并不贯穿有源层50，图2中仅仅是为了将电连
接第一栅极41和第二栅极42的第一过孔323示出。另外，本领域技术人员可以理解，第一栅极和第二栅极在衬底基板上的正投影均覆盖有源层中沟道区在衬底基板上的正投影。
29.导电层(fanout)为扇形信号线，可以包括goa信号线、vdd、vss走线、data线、mux线等中的一部分，以上信号线在led显示面板的背面bonding后，会在led显示面板首行接入显示区，进行信号传输，在信号传输过程中，导电层内电场不可避免的会影响到像素电路。为了屏蔽导电层20产生的干扰电场，也可以在衬底基板与有源层之间(即像素电路的底部，比如第一绝缘层靠近衬底基板的表面上)设置大面积的金属层，并对该金属层连接额外电位，但是发明人意外发现，该结构的显示面板的负载增加(相当于增加了一个巨大的电容基板)，导致断路风险增加。所以，本技术的显示面板的结构中，屏蔽层(即第二栅极)走线精简，且可以减小显示面板的负载。
30.根据本发明的实施例，参照图2所示，在有源层50的沟道中电子迁移的方向上，第一栅极41的单边宽度大于第二栅极42的单边宽度。由此，可以有效屏蔽导电层20产生的干扰电场，以免其对像素电路tft的影响。本领域技术人员可以理解，上述“单边宽度”是指，第一栅极的宽度不仅大于第二栅极的宽度，而且在第一栅极的宽度方向上(或者说在有源层50的沟道中电子迁移的方向上)的两侧，第一栅极的侧边缘均位于第二栅极的侧边缘的外侧(外侧即是指在第一栅极的宽度方向上远离沟道区的一侧)。
31.根据本发明的实施例，参照图2所示，在有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极41的单边宽度与所述第二栅极42的单边宽度的差值
△
d(
△
d＝(d1-d2)/2)大于等于1.5微米，比如
△
d为1.5微米、1.8微米、2微米、2.3微米、2.5微米、3微米、3.2微米、3.5微米、3.8微米、4.0微米、4.5微米、4.8微米或5微米。由此，可以更进一步的保证第二栅极可以有效屏蔽导电层20产生的干扰电场，以免其对像素电路tft的影响。进一步的，本领域技术人员可以理解，当第一栅极和第二栅极两侧的单边宽度的差值
△
d相等时，
△
d＝(d1-d2)/2。
32.根据本发明的实施例，在有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极41的单边宽度比所述第二栅极42的单边宽度的差值
△
d小于等于5微米。由此，可以避免产生寄生电容，以免影响像素电路tft的电信号。
33.根据本发明的实施例，第一绝缘层可以为缓冲层，第二绝缘层可以为第一栅绝缘层，第三绝缘层可以为第二栅绝缘层，其中，形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的材料没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，比如可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或有机绝缘材料等。
34.根据本发明的实施例，参照图3，led显示面板还包括：第四绝缘层34，第四绝缘层34设置在第三绝缘层33远离衬底基板10的一侧，且覆盖第二栅极42；源极75和漏极76，源极75和漏极76设置在第四绝缘层34远离衬底基板10的一侧，漏极76通过第二过孔761与有源层50电连接，源极75通过第三过孔751与有源层50电连接，且源极75通过通孔与导电层20电连接。其中，第四绝缘层可以为钝化层，形成第四绝缘层的材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或有机绝缘材料等。
35.根据本发明的实施例，led显示面板为双栅结构时，第一栅极41、第二栅极42、源极75、漏极76以及有源层50等结构的平面俯视图可参照图4所示，其中，第一栅极41和第二栅极42通过第一过孔232电连接，由此可见，第一过孔323并不贯穿有源层50。
36.根据本发明的实施例，参照图3，led显示面板还包括：第一导电结构73，第一导电结构73与第一栅极41同层设置；第二导电结构74，第二导电结构74与第二栅极42同层设置，其中，源极75通过贯穿第四绝缘层34的第四过孔752与第二导电结构74电连接，第二导电结构74通过贯穿第二绝缘层32和第三绝缘层33的第五过孔741与第一导电结构73电连接，第一导电结构73通过贯穿第一绝缘层31的第六过孔731与导电层20电连接。由此，通过第一导电结构和第二导电结构实现源极与导电层的电连接，可以有效降低源极与导电层之间的阻抗，而且，由于源极与导电层之间的绝缘层数量较多，所以在制作时难以使得使源极与导电层直接通过通孔实现电连接。需要说明的是，若显示面板还包括设置在导电层20靠近衬底基板的一侧的阻隔层64，则第六过孔731需进一步贯穿阻隔层64，如图3所示。
37.根据本发明的实施例，参照图3，led显示面板还包括：存储电容的第一电极板71和第二电极板72，其中，第一电极板71与第一栅极41同层设置，即第一电极板71与第一栅极41通过同一工艺步骤制作得到，第二电极板72与第二栅极42同层设置，即第二电极板72与第二栅极42通过同一工艺步骤制作得到。由此，可以简化工艺流程。
38.根据本发明的实施例，led显示面板为单删结构，如图1所示，led显示面板还包括：源极75和漏极76，源极75和漏极76设置在第二绝缘层32远离衬底基板10的表面上，且与有源层50接触设置；第三导电结构77，第三导电结构77与第一栅极41同层设置，其中，源极75通过贯穿第二绝缘层32的第八过孔753与第三导电结构77电连接，第三导电结构77通过贯穿第一绝缘层31的第九过孔771与导电层20电连接。由此，通过第三导电结构实现源极与导电层的电连接，可以有效降低源极与导电层之间的阻抗，而且，由于源极与导电层之间的绝缘层数量较多，所以在制作时难以使得使源极与导电层直接通过通孔实现电连接。需要说明的是，若显示面板还包括设置在导电层20靠近衬底基板的一侧的阻隔层64，则第九过孔771需进一步贯穿阻隔层64，如图1所示。进一步的，第一栅极41、源极75、漏极76以及有源层50等结构的平面俯视图可参照图5所示。
39.进一步的，led显示面板为单删结构时，如图1所示，存储电容的第一电极板71依然与第一栅极41同层设置，即第一电极板71与第一栅极41通过同一工艺步骤制作得到，而第二电极板72与源极75和漏极76同层设置，即第二电极板72与源极75和漏极76通过同一工艺步骤制作得到。
40.根据本发明的实施例，如图3和图1所示，衬底基板10包括玻璃基板11和柔性基板12，led显示面板还包括：牺牲层61，牺牲层61设置在所述玻璃基板11靠近柔性基板12的表面上；绑定焊盘62，绑定焊盘62设置在所述牺牲层61远离所述玻璃基板11的表面上，其中，导电层20通过第七过孔201与绑定焊盘61电连接。其中，绑定焊盘的数量没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际需求灵活设计，图1和图3中仅仅示出了一个绑定焊盘的示意图。
41.进一步的，如图3和图1所示，led显示面板还可以进一步包括以下结构中的至少之一：钝化层63，钝化层63设置在柔性基板12与导电层20之间；阻隔层(barrier)64，阻隔层64设置在钝化层63远离柔性基板的一侧，且覆盖导电层20；孔填料80，孔填料填充在第三绝缘层33内的孔内，其表面与第三绝缘层33远离柔性基板的表面齐平。
42.根据本发明的实施例，形成有源层的具体材料没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，形成有源层的材料可以为多晶硅或igzo、
znon、izto等氧化物，而且，发明人发现，当有源层的材料为igzo、znon、izto等氧化物时，第一栅极可以更好的屏蔽所述导电层产生的干扰电场，进而更好的改善显示亮度的均匀性。
43.在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备前面所述的led显示面板的方法。根据本发明的实施例，制备led显示面板的方法包括：
44.s100：在衬底基板10的一侧形成导电层20。
45.s200：在衬底基板10的一侧形成第一绝缘层31，且第一绝缘层31覆盖导电层20；
46.s300：在第一绝缘层31远离衬底基板10的一侧形成第一栅极41；
47.s400：在第一绝缘层31远离衬底基板10的一侧形成第二绝缘层32，且第二绝缘层32覆盖第一栅极41；
48.s500：在第二绝缘层32远离衬底基板10的一侧形成有源层50，其中，所述第一栅极用于屏蔽所述导电层产生的干扰电场。通过上述方法制备的led显示面板的结构示意图可参照图1。
49.根据本发明的实施例，通过上述s100-s500制作方法步骤，在不增加额外电容、走线的情况下，可以利用led显示面板中tft本身结构中的第一栅极产生的电场屏蔽导电层产生的干扰电场，进而有效保证led显示面板亮度显示均匀；而且，该led显示面板可以实现无边框设计，提高显示装置的观感；另外，上述制备工艺成熟，流程简单，便于工业化生产。
50.根据本发明的实施例，led显示面板为单删结构，如图1所示，制作led显示面板的方法还包括：形成源极75和漏极76，源极75和漏极76形成在第二绝缘层32远离衬底基板10的表面上，且与有源层50接触设置；形成第三导电结构77，第三导电结构77与第一栅极41同层设置，其中，源极75通过贯穿第二绝缘层32的第八过孔753与第三导电结构77电连接，第三导电结构77通过贯穿第一绝缘层31的第九过孔771与导电层20电连接。由此，通过第三导电结构实现源极与导电层的电连接，可以有效降低源极与导电层之间的阻抗，而且，由于源极与导电层之间的绝缘层数量较多，所以在制作时难以使得使源极与导电层直接通过通孔实现电连接。需要说明的是，若显示面板还包括形成在导电层20靠近衬底基板的一侧的阻隔层64，则第九过孔771需进一步贯穿阻隔层64，如图1所示。进一步的，第一栅极41、源极75、漏极76以及有源层50等结构的平面俯视图可参照图5所示。
51.进一步的，led显示面板为单删结构时，如图1所示，存储电容的第一电极板71依然与第一栅极41同层设置，即第一电极板71与第一栅极41通过同一工艺步骤制作得到，而第二电极板72与源极75和漏极76同层设置，即第二电极板72与源极75和漏极76通过同一工艺步骤制作得到。
52.根据本发明的实施例，制作led显示面板的方法还包括：
53.s600：在第二绝缘层32远离衬底基板10的一侧形成第三绝缘层33，且第三绝缘层33覆盖有源层50；
54.s700：在第三绝缘层33远离衬底基板10的一侧形成第二栅极42，且第二栅极42通过贯穿第二绝缘层32和第三绝缘层33的第一过孔323与第一栅极41电连接，其中，在有源层的沟道中电子迁移的方向上，第一栅极41的宽度d1大于第二栅极42的宽度d2，结构示意图可参照图2。
55.根据本发明的实施例，通过上述s100-s700制作方法步骤，在上述制备方法中，通过第一栅极的设置，且第一栅极的宽度大于所述第二栅极的宽度，第一栅极与第二栅极共
用栅极电位，在不增加额外电容、走线的情况下，可以利用led显示面板中tft本身的电场屏蔽导电层产生的干扰电场，保证led显示面板亮度显示均匀；而且，该led显示面板可以实现无边框设计，提高显示装置的观感；另外，上述制备工艺成熟，流程简单，便于工业化生产。
56.根据本发明的实施例，参照图2所示，在有源层50的沟道中电子迁移的方向上，第一栅极41的单边宽度大于第二栅极42的单边宽度。由此，可以有效屏蔽导电层20产生的干扰电场，以免其对像素电路tft的影响。参照图2所示，在有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极41的单边宽度与所述第二栅极42的单边宽度的差值
△
d(
△
d＝(d1-d2)/2)大于等于1.5微米，比如
△
d为1.5微米、1.8微米、2微米、2.3微米、2.5微米、3微米、3.2微米、3.5微米、3.8微米、4.0微米、4.5微米、4.8微米或5微米。由此，可以更进一步的保证第二栅极可以有效屏蔽导电层20产生的干扰电场，以免其对像素电路tft的影响。进一步的，本领域技术人员可以理解，当第一栅极和第二栅极两侧的单边宽度的差值
△
d相等时，
△
d＝(d1-d2)/2。在一些实施例中，在有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极41的单边宽度比所述第二栅极42的单边宽度的差值
△
d小于等于5微米。由此，可以避免产生寄生电容，以免影响像素电路tft的电信号。
57.根据本发明的实施例，制作led显示面板的方法还包括：形成存储电容的第一电极板71和第二电极板72的步骤，其中，第一电极板71与第一栅极41通过同一工艺步骤形成，第二电极板72与第二栅极42通过同一工艺步骤形成，结构示意图可参照图3。由此，第一电极板71可以与第一栅极通过同一工艺步骤进行制作，简化工艺流程。
58.根据本发明的实施例，制作led显示面板的方法还包括：形成第四绝缘层34，第四绝缘层34形成在第三绝缘层33远离衬底基板10的一侧，且覆盖第二栅极42；形成源极75和漏极76，源极75和漏极76形成在第四绝缘层34远离衬底基板10的一侧，漏极76通过第二过孔761与有源层50电连接，源极75通过第三过孔751与有源层50电连接，且源极75通过通孔与导电层20电连接，结构示意图可参照图3。其中，第四绝缘层可以为钝化层，形成第四绝缘层的材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或有机绝缘材料等。
59.根据本发明的实施例，制作led显示面板的方法还包括：形成第一导电结构73，第一导电结构73与第一栅极41通过同一工艺步骤形成；形成第二导电结构74，第二导电结构74与第二栅极42通过同一工艺步骤形成，其中，源极75通过贯穿第四绝缘层34的第四过孔752与第二导电结构74电连接，第二导电结构74通过贯穿第二绝缘层32和第三绝缘层33的第五过孔741与第一导电结构73电连接，第一导电结构73通过贯穿第一绝缘层31的第六过孔731与导电层20电连接，结构示意图可参照图3。由此。通过第一导电结构和第二导电结构实现源极与导电层的电连接，可以有效降低源极与导电层之间的阻抗，而且，由于源极与导电层之间的绝缘层数量较多，所以在制作时难以使得使源极与导电层直接通过通孔实现电连接。
60.根据本发明的实施例，如图3和图1所示，衬底基板10包括玻璃基板11和柔性基板12，制作led显示面板的方法还包括：形成牺牲层61，牺牲层61形成在所述玻璃基板11靠近柔性基板12的表面上；形成绑定焊盘62，绑定焊盘62形成在所述牺牲层61远离所述玻璃基板11的表面上，其中，导电层20通过第七过孔201与绑定焊盘61电连接。其中，绑定焊盘的数量没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际需求灵活设计，图1和图3中仅仅示出了一个绑定焊盘的示意图。
61.在本发明的又一方面，本发明提供了一种led显示装置。根据本发明的实施例，该led显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该led显示装置的亮度显示均匀，且可以实现无边框设计。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述的led显示面板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
62.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
63.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。