掩膜板组件、显示装置的蒸镀方法及显示装置与流程

技术特征：
1.一种掩膜板组件，用于制备显示装置，其特征在于，显示装置具有透光区和环绕于所述透光区周侧的显示区，所述显示装置包括位于所述显示区内的多个像素开口；所述掩膜板组件包括：第一掩膜板，包括第一边框、位于所述第一边框内的第一遮挡部、连接所述第一边框和所述第一遮挡部的第一连接部、及由所述第一连接部围合形成的第一蒸镀开口，和/或由所述第一边框、所述第一遮挡部以及所述第一连接部共同围合形成的第一蒸镀开口，所述第一蒸镀开口对应于至少部分所述像素开口的位置，所述第一遮挡部对应于所述透光区的位置；第二掩膜板，与所述第一掩膜板配合使用，所述第二掩膜板包括第二边框、位于所述第二边框内的第二遮挡部、连接所述第二边框和所述第二遮挡部的第二连接部、及由所述第二连接部围合形成的第二蒸镀开口，和/或由所述第二边框、所述第二遮挡部以及所述第二连接部共同围合形成的第二蒸镀开口，所述第二蒸镀开口对应于至少两个所述像素开口之间的位置，所述第二遮挡部对应于所述透光区的位置。2.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一蒸镀开口与所述像素开口一一对应设置，且所述第一蒸镀开口的尺寸大于所述像素开口的尺寸。3.根据权利要求2所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第二蒸镀开口在第一方向上的延伸尺寸小于或等于在所述第一方向上相邻两个所述像素开口之间的最小距离，所述多个像素开口沿所述第一方向间隔设置；优选的，所述第二蒸镀开口在所述第一方向上的延伸长度大于对应所述第一连接部在所述第一方向上的延伸长度。4.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一蒸镀开口与多个所述像素开口对应设置；优选的，所述第一蒸镀开口与沿第一方向间隔设置的多列所述像素开口对应设置。5.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一连接部包括沿第一方向延伸的多条第一子段，以及沿第二方向延伸的多条第二子段，所述第一遮挡部通过所述第一子段连接于所述第一边框，多条所述第一子段沿所述第二方向间隔设置，所述第二子段连接于相邻所述第一子段，所述第一方向与所述二方向相交；和/或，所述第二连接部包括沿所述第一方向延伸的多条第三子段，以及沿所述第二方向延伸的多条第四子段，所述第二遮挡部通过所述第三子段连接于所述第二边框，所述多条第三子段沿所述第二方向间隔设置，所述第四子段连接相邻所述第三子段。6.根据权利要求5所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一掩膜板还包括第三蒸镀开口，所述第三蒸镀开口由所述第一子段、所述第一边框以及所述第一遮挡部共同围合形成，且位于所述第一遮挡部在所述第二方向上的至少一侧，第二掩膜板还包括第三遮挡部，所述第三遮挡部位于所述第二遮挡部在所述第二方向上的至少一侧，且与所述第三蒸镀开口对应设置；或者，所述第二掩膜板还包括第四蒸镀开口，所述第四蒸镀开口由所述第三子段、所述第二边框以及所述第二遮挡部共同围合形成，且位于所述第二遮挡部在所述第二方向的至少一侧，第一掩膜板还包括第四遮挡部，所述第四遮挡部位于所述第一遮挡部在所述第二方向上的至少一侧，且与所述第四蒸镀开口对应设置。
7.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第二掩膜板的厚度大于所述第一掩膜板的厚度。8.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一连接部的厚度在靠近所述第一蒸镀开口的方向上呈逐渐减小的趋势；优选的，所述第一连接部的厚度在靠近所述第一蒸镀开口的方向上呈梯度减小。9.一种显示装置的蒸镀方法，利用如权利要求1至8任一项所述的掩膜板组件蒸镀，其特征在于，所述蒸镀方法包括：提供第一基板；利用第一掩膜板在所述第一基板上形成第一图案部，所述第一图案部包括间隔设置的多个第一子部，所述第一子部位于所述透光区的外部且与至少一个所述像素开口对应设置；利用第二掩膜板在所述第一基板上形成第二图案部，所述第二图案部包括多个第二子部，所述第二子部位于所述透光区外部且位于至少两个像素开口之间，且与所述第一子部的至少部分边缘连接，以使所述第一图案部与所述第二图案部共同形成共通层。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的蒸镀方法制备形成的共通层。

技术总结
本申请提供了一种掩膜板组件、显示装置的蒸镀方法及显示装置，掩膜板组件包括第一掩膜板和第二掩膜板。第一掩膜板包括第一边框、位于第一边框内的第一遮挡部、连接第一边框和第一遮挡部的第一连接部、以及第一蒸镀开口，第一蒸镀开口对应于至少部分像素开口位置，第一遮挡部对应于透光区的位置；第二掩膜板与第一掩膜板配合使用，第二掩膜板包括第二边框、位于第二边框内的第二遮挡部、连接第二边框和第二遮挡部的第二连接部、以及第二蒸镀开口，第二蒸镀开口对应于至少两个像素开口之间位置，第二遮挡部对应于透光区的位置。本申请实施例实现对像素开口内和像素开口外的阴极材料的尺寸形状进行调节，从而满足不同的制备需要。从而满足不同的制备需要。从而满足不同的制备需要。


技术研发人员：赵成雨 王守坤 秦韶阳 孙增标
受保护的技术使用者：合肥维信诺科技有限公司
技术研发日：2021.12.21
技术公布日：2022/4/12