一种叠层背膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种叠层背膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将一面沉积有氧化铝层的硅片置于反应器中抽真空，通入第一气体对氧化铝层进行预沉积，得到第一半成品；所述第一气体为含氧气体；(2)通入第二气体，在步骤(1)所述预处理产品的氧化铝层上沉积氧化硅层，得到第二半成品；(3)通入第三气体，在步骤(2)所述第二半成品的氧化硅层上沉积氮氧化硅层，得到第三半成品；(4)通入第四气体，在步骤(3)所述第三半成品的氮氧化硅层上沉积氮化硅层，得到所述叠层背膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述置于反应器中的方法包括：将一面沉积有氧化铝层的硅片装入石墨舟，再将石墨舟置于反应器中；优选地，步骤(1)所述一面沉积有氧化铝层的硅片的氧化铝层厚度为3
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4μm；优选地，步骤(1)所述一面沉积有氧化铝层的硅片中设置有pn结。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述第一气体包括笑气；优选地，步骤(1)所述第一气体的流量为2000
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5000sccm；优选地，步骤(1)所述预沉积的温度为350
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400℃；优选地，步骤(1)所述预沉积的射频功率为4000
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8000w；优选地，步骤(1)所述预沉积的占空比为1：(10
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30)；优选地，步骤(1)所述预沉积的反应器压力为200
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250pa。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二气体包括笑气和硅烷；优选地，所述第二气体中，笑气流量为4000
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7000sccm，硅烷流量为500
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1000sccm；优选地，步骤(2)所述沉积的温度为450
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550℃；优选地，步骤(2)所述沉积的射频功率为5000
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8000w；优选地，步骤(2)所述沉积的占空比为1：(10
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30)；优选地，步骤(2)所述沉积的反应器压力为200
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250pa；优选地，步骤(2)所述沉积得到的氧化硅层厚度为5
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10μm。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述第三气体包括笑气、硅烷和氨气；优选地，所述第三气体中，笑气流量为1500
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4000sccm，硅烷流量为400
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1500sccm，氨气流量为4000
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10000sccm；优选地，步骤(3)所述沉积的温度为450
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550℃；优选地，步骤(3)所述沉积的射频功率为5000
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12000w；优选地，步骤(3)所述沉积的占空比为1：(10
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30)；优选地，步骤(3)所述沉积的反应器压力为200
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250pa；优选地，步骤(3)所述沉积得到的氮氧化硅层厚度为60
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90μm；优选地，步骤(3)所述沉积得到的氮氧化硅层折射率为1.85
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2.0。6.根据权利要求1
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5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述第四气体包括硅烷和氨气；
优选地，所述第四气体中，硅烷流量为500
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1500sccm，氨气流量为5000
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10000sccm；优选地，步骤(4)所述沉积的温度为450
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550℃；优选地，步骤(4)所述沉积的射频功率为9000
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13000w；优选地，步骤(4)所述沉积的占空比为1：(5
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20)；优选地，步骤(4)所述沉积的反应器压力为200
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250pa；优选地，步骤(4)所述沉积得到的氮化硅层厚度为50
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80μm；优选地，步骤(4)所述沉积得到的氮化硅层的折射率为2.0
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2.1。7.根据权利要求1
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6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：沉积氮化硅层之后，反复进行抽真空和通入保护性气体的操作，之后取出产品；优选地，所述保护性气体包括氮气和/或氩气。8.根据权利要求1
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7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将一面沉积有氧化铝层的硅片装入石墨舟，再将石墨舟置于反应器中，抽真空，通入第一气体对氧化铝层进行预沉积，得到第一半成品；所述第一气体为含氧气体；所述第一气体包括笑气，笑气的流量为2000
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5000sccm；预沉积的温度为350
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400℃；预沉积的射频功率为4000
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8000w；预沉积的占空比为1：(10
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30)；预沉积的反应器压力为200
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250pa；(2)通入第二气体，在步骤(1)所述预处理产品的氧化铝层上沉积氧化硅层，得到第二半成品；所述第二气体包括笑气和硅烷，笑气流量为4000
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7000sccm，硅烷流量为500
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1000sccm；步骤(2)所述沉积的温度为450
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550℃，沉积的射频功率为5000
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8000w，沉积的占空比为1：(10
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30)，沉积的反应器压力为200
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250pa；(3)通入第三气体，在步骤(2)所述第二半成品的氧化硅层上沉积氮氧化硅层，得到第三半成品；述第三气体包括笑气、硅烷和氨气，笑气流量为1500
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4000sccm，硅烷流量为400
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1500sccm，氨气流量为4000
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10000sccm；步骤(3)所述沉积的温度为450
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550℃，所述沉积的射频功率为5000
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12000w，所述沉积的占空比为1：(10
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30)，所述沉积的反应器压力为200
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250pa；(4)通入第四气体，在步骤(3)所述第三半成品的氮氧化硅层上沉积氮化硅层，之后反复进行抽真空和通入保护性气体的操作，取出石墨舟，得到所述叠层背膜；所述第四气体包括硅烷和氨气，硅烷流量为500
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1500sccm，氨气流量为5000
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10000sccm；步骤(4)所述沉积的温度为450
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550℃，所述沉积的射频功率为9000
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13000w，所述沉积的占空比为1：(5
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20)，所述沉积的反应器压力为200
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250pa。9.一种如权利要求1
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8任一项所述的方法制备得到的叠层背膜。10.根据权利要求9所述的叠层背膜，其特征在于，所述叠层背膜的硅片背面依次层叠有氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层和氮化硅层；优选地，所述叠层背膜的硅片中设置有pn结。

技术总结
本发明提供了一种叠层背膜及其制备方法。所述制备方法包括：1)将一面沉积有氧化铝层的硅片置于反应器中抽真空，通入第一气体对氧化铝层进行预沉积，得到第一半成品；所述第一气体为含氧气体；2)通入第二气体，在预处理产品的氧化铝层上沉积氧化硅层，得到第二半成品；3)通入第三气体，在第二半成品的氧化硅层上沉积氮氧化硅层，得到第三半成品；4)通入第四气体，在第三半成品的氮氧化硅层上沉积氮化硅层，得到所述叠层背膜。通过采用含O气体的对氧化铝表面进行预处理，可增强表面负电荷密度，增强钝化效果。通过用背面氧化硅层、氮氧化硅层叠加氮化硅层来代替现有技术中的单层氮化硅膜层，改善了电池片的LeTID现象。改善了电池片的LeTID现象。改善了电池片的LeTID现象。


技术研发人员：厉文斌 赵颖 何悦 任勇
受保护的技术使用者：横店集团东磁股份有限公司
技术研发日：2021.08.03
技术公布日：2021/11/8