一种基于ADS的GaN射频功率放大器电路结构的制作方法

技术特征：
1.一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，包括：gan功率管，所述gan功率管的输入端同时连接有输入阻抗匹配电路和栅极偏置电路，所述gan功率管的一个输出端同时连接有输出阻抗匹配电路和漏极偏置电路；所述gan功率管的另一个输出端接地。2.根据权利要求1所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路包括电容c7，所述电容c7连接有微带线板材tl10，tl10连接有c8，c8连接有tl11，tl11连接有tl9，tl9连接有tl8，tl8连接有c9，c9连接有tl7，tl7连接有tl6；电容c8并联有r1，tl9和tl8之间设置有支路连接至c4，tl7和tl6之间设置有支路连接至c5。3.根据权利要求2所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述电容c4、c5、c7、c8和c9均为npo 0603封装射频微波电容；所述微带线tl6、tl7、tl8、tl9、tl10和tl11的板材材质均为ro4350b。4.根据权利要求1所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述输出阻抗匹配电路包括微带线板材tl21，tl21连接至tl23，tl23连接至tl22，tl22连接至电容c6，tl21和tl23之间设置有支路连接至c1，tl23和tl22之间设置有支路连接至c2，tl22和c6之间设置有支路连接至c3，c1、c2和c3的一端共同连接接地。5.根据权利要求4所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述电容c1、c2和c3均为npo 0603封装射频微波电容；所述t21的另一端连接至p3端口，p3端口连接信号输入端，所述c6连接至p4端口，p4端口连接至功率放大管输入端。6.根据权利要求1所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述栅极偏置电路包括微带线板材tl1，tl1的一端连接至p5，tl1的另一端连接至tl8，tl8连接至tl9，tl9连接至tl7，tl7连接至tl6，tl6连接至tl4，tl4连接至tl5，tl5连接至tl3，tl3连接至电阻r2，电阻r2连接至tl2，tl2连接至p6，p5端口和tl1之间设置有五个支路，每一个支路连接有一个电容。7.根据权利要求6所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述微带线板材tl1、tl2、tl3、tl4、tl5、tl6、tl7、tl8和tl9总长度的1/4波长为20.8mm。8.根据权利要求1所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述漏极偏置电路包括微带线板材tl1，tl1的一端连接至p7，tl1的另一端连接有弯曲微带线，弯曲微带线连接有tl2，tl2连接有p8；在p7和tl1的连接线路上设置有6个支路，每一个支路连接有一个电容。9.根据权利要求8所述的一种基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述微带线tl1、弯曲微带线和tl2的线宽为1mm。10.根据权利要求1
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8任意一项所述的基于ads的gan射频功率放大器电路结构，其特征在于，所述gan功率管选用cgh40010f。

技术总结
本实用新型公开了一种基于ADS的GaN射频功率放大器电路结构，该电路结构包括：GaN功率管，GaN功率管的输入端同时连接有输入阻抗匹配电路和栅极偏置电路，GaN功率管的一个输出端同时连接有输出阻抗匹配电路和漏极偏置电路；GaN功率管的另一个输出端接地。该电路结构经过优化的输入阻抗匹配电路和输出阻抗匹配电路，使得GaN功率放大管获得了良好的放大增益、最佳的输出功率和电源效率，以及最小的电路尺寸。栅极偏置电路用于给GaN功率放大管栅极提供直流通路，并隔离射频信号，使得功率放大管工作在最佳的静态工作点，漏极偏置电路用于给GaN功率放大管漏极提供直流通路，并隔离射频信号。射频信号。射频信号。


技术研发人员：庞辉 王一谨
受保护的技术使用者：西安思丹德信息技术有限公司
技术研发日：2021.02.23
技术公布日：2021/11/5