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一种屏蔽液、触控屏蔽膜的制备方法和显示器与流程

2021-11-03 20:59:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种屏蔽液,其特征在于,包括以下原料:一维导电纳米材料和/或二维导电纳米材料、第一助剂和第一溶剂。2.如权利要求1所述的屏蔽液,其特征在于,所述一维导电纳米材料包括纳米金线、纳米银线、纳米铜线、单层纳米碳管和多层纳米碳管中的至少一种;和/或,所述二维导电纳米材料包括单层石墨烯、多层石墨烯、单层氧化石墨烯、多层氧化石墨烯、单层还原氧化石墨烯、多层还原氧化石墨烯、mxene、纳米金片、纳米银片和纳米铜片中的至少一种;和/或,所述第一助剂包括第一消泡剂、第一流平剂、第一分散剂、第一润湿剂和第一增稠剂中的至少一种;和/或,所述第一溶剂包括水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、丙酮、丁酮、甲基异丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酸丁酯、丁酸乙酯、乙二醇、丙三醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙腈、二甲基甲酰胺、甲苯、二甲苯、三甲苯、石油醚、环己烷和环己酮中的至少一种。3.如权利要求1所述的屏蔽液,其特征在于,若所述屏蔽液包括一维导电纳米材料或二维导电纳米材料,所述一维导电纳米材料或二维导电纳米材料、所述第一助剂和所述第一溶剂的质量比为(0.01~20):(0.01~5):(75~99.8);若所述屏蔽液包括一维导电纳米材料和二维导电纳米材料,所述一维导电纳米材料或二维导电纳米材料、所述第一助剂和所述第一溶剂的质量比为(0.01~10): (0.01~10):(0.01~5):(75~99.8)。4.一种触控屏蔽膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基材;在所述基材的一侧面制备触控电路;在所述基材的另一侧面涂布如权利要求1~3任一所述的屏蔽液制备得到屏蔽层。5.如权利要求4所述的触控屏蔽膜的制备方法,其特征在于,在制备得到屏蔽层后还包括:在所述屏蔽层涂布保护液制备得到保护层,所述保护液为热固化型保护液或光固化型保护液。6.如权利要求5所述的触控屏蔽膜的制备方法,其特征在于,所述热固化型保护液包括以下原料:热固性树脂、固化剂、第二助剂和第二溶剂,其中,所述热固性树脂包括环氧树脂、聚酯树脂、乙烯基树脂、聚酰亚胺树脂和丙烯酸树脂中的至少一种;所述固化剂包括氨基树脂、聚异氰酸树脂、封端异氰酸树脂和碳化亚二胺树脂中的至少一种;所述第二助剂包括第二消泡剂、第二流平剂、第二分散剂、第二润湿剂和第二增稠剂中的至少一种;所述第二溶剂包括水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、丙酮、丁酮、甲基异丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酸丁酯、丁酸乙酯、乙二醇、丙三醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙腈、二甲基甲酰胺、甲苯、二甲苯、三甲苯、石油醚、环己烷和环己酮中的的至少一种。7.如权利要求5所述的触控屏蔽膜的制备方法,其特征在于,所述光固化型保护液包括以下原料:光固化树脂和/或单体、光引发剂、第三助剂和第三溶剂,其中,所述光固化树脂包括环氧丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、聚氨酯丙烯酸树脂、聚醚丙烯酸树脂和超支化树脂
中的至少一种;所述光引发剂包括裂解型自由基光引发剂、夺氢型自由基光引发剂和阳离子光引发剂中的至少一种;所述第三助剂包括第三消泡剂、第三流平剂、第三分散剂、第三润湿剂和第三增稠剂中的至少一种;所述第三溶剂包括水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、丙酮、丁酮、甲基异丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酸丁酯、丁酸乙酯、乙二醇、丙三醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙腈、二甲基甲酰胺、甲苯、二甲苯、三甲苯、石油醚、环己烷和环己酮中的至少一种。8.如权利要求6所述的触控屏蔽膜的制备方法,其特征在于,所述热固性树脂、所述固化剂、所述第二助剂和所述第二溶剂的质量比为(15~80):(1.5~40):(0.01~5):(0.5~82)。9.如权利要求7所述的触控屏蔽膜的制备方法,其特征在于,若所述光固化型保护液包括光固化树脂或单体,所述光固化树脂或单体、所述光引发剂、所述第三助剂和所述第三溶剂的质量比为(0.01~90):(0.1~20):(0.01~5):(0.05~88);若所述光固化型保护液包括光固化树脂和单体,所述光固化树脂、所述单体、所述光引发剂、所述第三助剂和所述第三溶剂的质量比为(0.01~90) :(0.01~90):(0.1~20):(0.01~5):(0.05~88)。10.一种显示器,其特征在于,包括如权利要求4~9任一所述的制备方法制备得到的触控屏蔽膜。

技术总结
本发明提供了一种屏蔽液、触控屏蔽膜的制备方法和显示器,该屏蔽液,包括以下原料:一维导电纳米材料和/或二维导电纳米材料、第一助剂和第一溶剂。本发明的屏蔽液,通过加入一维导电纳米材料和二维导电纳米材料,可以在少损失光学性能的情况下,提供更好的电磁屏蔽效果,在光学性能几乎没有影响的情况下,达到了无误触控的效果。无误触控的效果。


技术研发人员:许玮昶 孟祥浩
受保护的技术使用者:苏州思尔维纳米科技有限公司
技术研发日:2021.06.25
技术公布日:2021/11/2
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