一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法与流程

技术特征：
1.一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟30
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50份、四氧化锡20
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40份、有机盐20
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50份、成膜剂2
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8份、稳定剂2
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6份。2.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；s2：然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；s3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；s4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ito薄膜；s5：将基板上的ito薄膜取出进行干燥处理；s6：最后对ito薄膜进行退火处理。3.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，所述二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。4.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，s1步骤中二乙基已酸铟的容器温度为250
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300摄氏度，四氧化锡的容器温度为300
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350摄氏度，有机盐的容器温度为220
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280摄氏度。5.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，s3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380
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420摄氏度。6.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，s4步骤中成膜剂配比为1
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4:2
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5:4
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8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2
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6:1
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7:3
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9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。7.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，s5步骤中的干燥温度为180
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280摄氏度，干燥处理时间为1.5
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3小时。8.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，其特征在于，s6步骤中的退火处理的温度为260
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320摄氏度，退火处理的时间为8
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10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。

技术总结
本发明公开了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟30


技术研发人员：黄瑜佳 钟伟斌 唐林 杨欢欢
受保护的技术使用者：广西中沛光电科技有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2021/11/2