一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法与流程

一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法
技术领域
1.本发明涉及ito薄膜技术领域，尤其涉及一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法。


背景技术：

2.ito薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。
3.现有的ito薄膜的制作方法有多种，分别为磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾分解法、凝胶法和水热法，当ito薄膜采用化学气相沉积法时，ito薄膜的成膜效果差，因此，我们提出一种大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，用于解决上述问题。


技术实现要素：

4.基于背景技术存在ito薄膜采用化学气相沉积法时，ito薄膜的成膜效果差的技术问题，本发明提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法。
5.本发明提出的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟30
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50份、四氧化锡20
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40份、有机盐20
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50份、成膜剂2
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8份、稳定剂2
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6份。
6.优选地，包括以下步骤：s1：先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；s2：然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；s3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；s4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ito薄膜；s5：将基板上的ito薄膜取出进行干燥处理；s6：最后对ito薄膜进行退火处理。
7.优选地，所述二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。
8.优选地，s1步骤中二乙基已酸铟的容器温度为250
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300摄氏度，四氧化锡的容器温度为300
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350摄氏度，有机盐的容器温度为220
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280摄氏度。
9.优选地，s3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380
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420摄氏度。
10.优选地，s4步骤中成膜剂配比为1
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4:2
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5:4
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8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2
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6:1
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7:3
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9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。
11.优选地，s5步骤中的干燥温度为180
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280摄氏度，干燥处理时间为1.5
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3小时。
12.优选地，s6步骤中的退火处理的温度为260
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320摄氏度，退火处理的时间为8
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10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
13.本发明的有益效果：
1、成膜剂可有效的提高ito薄膜和基板的黏附性以及感光层的光化学反应速度，有利于ito薄膜在基板上形成固着的膜层；2、通过添加稳定剂，稳定剂可有效的减慢反应,保持化学平衡,降低表面张力,防止光、热分解或氧化分解等作用；本发明通过在现有化学气相沉积法的基础上添加成膜剂和稳定剂，可与有效的提高使用化学气相沉积法生产出ito薄膜的成膜性和稳定性。
附图说明
14.图1为本发明提出的的工作流程图。
具体实施方式
15.下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
16.实施例一本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟35份、四氧化锡26份、有机盐30份、成膜剂6份、稳定剂4份。
17.包括以下步骤：s1：先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基已酸铟的容器温度为280摄氏度，四氧化锡的容器温度为320摄氏度，有机盐的容器温度为260摄氏度；s2：然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；s3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380
‑
420摄氏度；s4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ito薄膜，成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为4:5:6的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；s5：将基板上的ito薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为200摄氏度，干燥处理时间为2小时；s6：最后对ito薄膜进行退火处理，退火处理的温度为270摄氏度，退火处理的时间为9分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
18.实施例二本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟40份、四氧化锡35份、有机盐28份、成膜剂6份、稳定剂7份。
19.包括以下步骤：s1：先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基已酸铟的容器温度为270摄氏度，四氧化锡的容器温度为340摄氏度，有机盐的容器温度为260摄氏度；s2：然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；s3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为400摄氏度；
s4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ito薄膜，成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为5:6:7的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；s5：将基板上的ito薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为260摄氏度，干燥处理时间为2.5小时；s6：最后对ito薄膜进行退火处理，退火处理的温度为280摄氏度，退火处理的时间为10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
20.实施例三本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟30份、四氧化锡23份、有机盐32份、成膜剂6份、稳定剂5份。
21.包括以下步骤：s1：先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基已酸铟的容器温度为260摄氏度，四氧化锡的容器温度为320摄氏度，有机盐的容器温度为260摄氏度；s2：然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；s3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为410摄氏度；s4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ito薄膜，成膜剂配比为2:5:7的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为5:3:6的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；s5：将基板上的ito薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为240摄氏度，干燥处理时间为2小时；s6：最后对ito薄膜进行退火处理，退火处理的温度为300摄氏度，退火处理的时间为8分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
22.实施例四本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟45份、四氧化锡34份、有机盐35份、成膜剂3份、稳定剂4份。
23.包括以下步骤：s1：先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基已酸铟的容器温度为260摄氏度，四氧化锡的容器温度为300
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350摄氏度，有机盐的容器温度为240摄氏度；s2：然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；s3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为185摄氏度；s4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ito薄膜，成膜剂配比为2:2:4的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为6:5:8的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；s5：将基板上的ito薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为260摄氏度，干燥处理时间为2.5小时；
s6：最后对ito薄膜进行退火处理，退火处理的温度为300摄氏度，退火处理的时间为8分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
24.实施例五本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基已酸铟45份、四氧化锡35份、有机盐30份、成膜剂6份、稳定剂4份。
25.包括以下步骤：s1：先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基已酸铟的容器温度为270摄氏度，四氧化锡的容器温度为320摄氏度，有机盐的容器温度为270摄氏度；s2：然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；s3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为410摄氏度；s4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ito薄膜，成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2
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6:1
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7:3
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9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；s5：将基板上的ito薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为190摄氏度，干燥处理时间为1.5小时；s6：最后对ito薄膜进行退火处理，退火处理的温度为300摄氏度，退火处理的时间为9分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
26.对比常规的ito薄膜与实施例一至五制得的ito薄膜，实施例一至五制得的ito薄膜如下表：实施例一二三四五成膜率99.2�.9�.5�.4�.6%透光率93.4�.2�.8�.4�.2%由上述表格可知，本发明提出的一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法具有明显提高，且实施五为最佳实施例。
27.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。