一种柔性膜制作方法与流程

1.本发明涉及一种柔性膜制作方法，属于柔性膜制备领域。


背景技术：

2.随着电子信息技术发展，传统的家电领域也需要进行消费升级，智能家电作为新的生活方式，越来越受到消费者关注，个性化体验能够满足消费者对质感和美学的需求。特别是5g时代万物互联技术应用，智能家居产品对信号传输要求越来越高，金属材料质感较好，但金属材料对无线信号存在一定程度的屏蔽作用，同时金属材料加工周期长，成本高。同时，智能家居产品为打造差异化产品，需要对产品有一定的弧度，要求显示触控部分具有可绕曲能力，普通玻璃加工实现成本较高，工艺流程复杂。这样，就需要有一种具备柔性特质，拥有金属质感且电阻值≥2000mω的材料。


技术实现要素：

3.本发明针对现有技术中存在的不足，提供了一种柔性膜制作方法，以解决现有技术中存在的问题。
4.为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：一种柔性膜，包括pet膜，pet膜的非硬化面上从下到上依次设有无氧硅膜层、铟锡合金层以及二氧化硅层。
5.进一步的，pet膜的厚度为50
‑
200μm；进一步的，无氧硅膜层的厚度为1
‑
5nm；进一步的，铟锡合金层的厚度为30
‑
50nm；进一步的，二氧化硅层的厚度为5
‑
15nm。
6.一种柔性膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：（1）准备pet膜；（2）将pet膜安装在磁控溅射镀膜机的冷鼓上，pet膜的硬化面与冷鼓接触，向冷鼓内通入
‑
10℃~
‑
20℃冷冻液并进行循环，对pet膜材进行冷却，抽真空至真空度小于8
×
10
‑
4 pa，通入氩气，保持真空度为4
±1×
10
‑1pa；（3）采用阳极层离子源对pet膜的非硬化面进行轰击，保持真空度4
±1×
10
‑1pa，控制离子源电压500
‑
1500v，电流0.1
‑
1a；（4）将经过步骤（3）处理后的pet膜放入至磁控溅射仪器内，保持真空度4
±1×
10
‑1pa，中频电压400
‑
600v，在pet膜的非硬化面上采用中频溅射的方式镀制无氧硅膜层；（5）开启磁控溅射靶材，采用直流电源在经过步骤（4）处理后的无氧硅膜层上沉积铟锡合金层；（6）采用中频磁控溅射方式，在经过步骤（5）处理后的铟锡合金层上沉积二氧化硅层，得到pet仿金属质感柔性膜。
7.进一步的，步骤（5）中，铟锡合金层中铟和锡的质量比为3
‑
8:2
‑
7。
8.进一步的，步骤（5）中，直流电源的电流为3
‑
5a。
9.进一步的，步骤（6）中，中频电源的功率为8
‑
10kw。
10.进一步的，步骤（6）中，制备得到的pet仿金属质感柔性膜的电阻值≥2000mω。
11.由于采用了以上技术，本发明较现有技术相比，具有的有益效果如下：本发明制备得到的柔性膜，附着力好，可以达到5b；不易氧化，成膜质量高，针孔杂质点缺陷较少。
附图说明
12.图1是一种柔性膜的结构示意图；图中：1、pet膜，2、无氧硅膜层，3、铟锡合金层，4、二氧化硅层。
具体实施方式
13.下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明。
14.实施例1：一种柔性膜，包括pet膜1，pet膜1的非硬化面上从下到上依次设有无氧硅膜层2、铟锡合金层3以及二氧化硅层4。其中，pet膜1的厚度为125μm；无氧硅膜层2的厚度为1nm；铟锡合金层3的厚度为30nm；二氧化硅层4的厚度为10nm。
15.实施例2：一种柔性膜，包括pet膜1，pet膜1的非硬化面上从下到上依次设有无氧硅膜层2、铟锡合金层3以及二氧化硅层4。其中，pet膜1的厚度为188μm；无氧硅膜层2的厚度为2nm；铟锡合金层3的厚度为40nm；二氧化硅层4的厚度为10nm。
16.实施例3：一种柔性膜，包括pet膜1，pet膜1的非硬化面上从下到上依次设有无氧硅膜层2、铟锡合金层3以及二氧化硅层4。其中，pet膜1的厚度为188μm；无氧硅膜层2的厚度为1nm；铟锡合金层3的厚度为50nm；二氧化硅层4的厚度为10nm。
17.实施例4：实施例2得到的柔性膜，其制备方法，步骤如下：（1）准备pet膜1；（2）将pet膜1安装在磁控溅射镀膜机的冷鼓上，pet膜1的硬化面与冷鼓接触，向冷鼓内通入
‑
10℃冷冻液并进行循环，对pet膜1材进行冷却，抽真空至真空度小于8
×
10
‑
4 pa，通入氩气，保持真空度为4
×
10
‑1pa；（3）开启传送系统，走速1.0m/min，采用阳极层离子源对pet膜1的非硬化面进行轰击；保持真空度4
×
10
‑1pa，控制电流为0.2a，离子源电压为1500v；（4）将经过步骤（3）处理后的pet膜1放入至磁控溅射仪器内，保持真空度4
×
10
‑1pa，中频电压500v，在pet膜1的非硬化面上采用中频溅射的方式镀制无氧硅膜层2；（5）开启磁控溅射靶材，采用直流电源在经过步骤（4）处理后的无氧硅膜层2上沉积铟锡合金层3；铟锡合金层3中铟和锡的质量比为3:7；直流电源的电流为5a；（6）采用中频磁控溅射方式，在经过步骤（5）处理后的铟锡合金层3上沉积二氧化硅层4，控制中频电源的功率为10kw；得到pet仿金属质感柔性膜。
18.制备得到的pet仿金属质感柔性膜的电阻值≥2000mω。
19.实施例5：产品检验以及性能检验1、对实施例4中的柔性膜的各项性能进行检验，检验结果见表1。
20.表1 实施例4制备得到的柔性膜的检验结果
2、性能检验检验方法：分别检验实施例4得到的柔性膜的氧化率和成膜效率。
21.表2 实施例4制备得到的柔性膜的氧化情况和针孔
检验项目针孔氧化情况实施例40.3mm直径针孔小于10个/m2（2000lux照度条件下目视）80℃，80%湿度条件下100h无明显色差
本发明制备得到的柔性膜，附着力好，可以达到5b；不易氧化，成膜质量高，针孔杂质点缺陷较少。
22.上述实施例仅为本发明的优选技术方案，而不应视为对于本发明的限制，本发明的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围，即在此范围内的等同替换改进，也在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种柔性膜，其特征在于：包括pet膜，pet膜的非硬化面上从下到上依次设有无氧硅膜层、铟锡合金层以及二氧化硅层。2.根据权利要求1所述的一种柔性膜，其特征在于：pet膜的厚度为50
‑
200μm。3.根据权利要求1所述的一种柔性膜，其特征在于：无氧硅膜层的厚度为1
‑
5nm。4.根据权利要求1所述的一种柔性膜，其特征在于：铟锡合金层的厚度为30
‑
50nm。5.根据权利要求1所述的一种柔性膜，其特征在于：二氧化硅层的厚度为5
‑
15nm。6.一种用于制备权利要求1
‑
5所述柔性膜的方法，其特征在于，步骤如下：（1）准备pet膜；（2）将pet膜安装在磁控溅射镀膜机的冷鼓上，pet膜的硬化面与冷鼓接触，向冷鼓内通入
‑
10℃~
‑
20℃冷冻液并进行循环，对pet膜材进行冷却，抽真空至真空度小于8
×
10
‑
4 pa，通入氩气，保持真空度为4
±1×
10
‑1pa；（3）采用阳极层离子源对pet膜的非硬化面进行轰击，保持真空度4
±1×
10
‑1pa，控制离子源电压500
‑
1500v，电流0.1
‑
1a；（4）将经过步骤（3）处理后的pet膜放入至磁控溅射仪器内，保持真空度4
±1×
10
‑1pa，中频电压400
‑
600v，在pet膜的非硬化面上采用中频溅射的方式镀制无氧硅膜层；（5）开启磁控溅射靶材，采用直流电源在经过步骤（4）处理后的无氧硅膜层上沉积铟锡合金层；（6）采用中频磁控溅射方式，在经过步骤（5）处理后的铟锡合金层上沉积二氧化硅层，得到柔性膜。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤（5）中，铟锡合金层中铟和锡的质量比为3
‑
8:2
‑
7。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤（5）中，直流电源的电流为3
‑
5a。9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤（6）中，中频电源的功率为8
‑
10kw。10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤（6）中，制备得到的pet仿金属质感柔性膜的电阻值≥2000mω。

技术总结
本发明涉及一种柔性膜，包括PET膜，PET膜的非硬化面上从下到上依次设有无氧硅膜层、铟锡合金层以及二氧化硅层；PET膜的厚度为50


技术研发人员：朱磊 周健 张继凡
受保护的技术使用者：安徽立光电子材料股份有限公司
技术研发日：2021.06.18
技术公布日：2021/10/8