一种纳米晶软磁传感器加工方法与流程

技术特征：
1.一种纳米晶软磁传感器加工方法，其具体步骤为：1)使用成分为：fe为83.5～85.5wt％，si为7～9wt％，b为1.4～2.1wt％，cu为1.2～1.5wt％，p为0.1～0.7wt％，nb为2.5～4wt％，v为1～2wt％的配料，在高温炉中加热后熔炼，在将熔炼融态的合金喷射到高速旋转的铜辊上，制成非晶合金的铁基纳米晶带材；2)筛选均衡的铁基纳米晶带材，制作为磁芯的形状尺寸，并将其放入高温炉中晶化退火，得到高磁导性的磁芯；3)在磁芯上绕制线包并接好引线；4)放入集成电器中完成制作。2.如权利要求1所述的纳米晶软磁传感器加工方法，其特征在于：所述晶化的具体步骤为：2.1)将铁基纳米晶带材放入高温炉中，并通入氩气作为保护气体；2.2)在温度390～430℃下，恒温30～50min；2.3)在降温速率为100℃/min速率下降温至200～260℃温度后冷却至室温。3.如权利要求1所述的纳米晶软磁传感器加工方法，其特征在于：所述磁芯上绕制线包的方法为：将磁芯划分为第一绕制区域和第二绕制区域，所述第一绕制区域和所述第二绕制区域首尾相接，所述第一绕制区域的一端设有第一信号极点，所述第二绕制区域的一端设有第二信号极点；使用多芯绝缘导线或漆包线自第一信号极点向第一绕制区域的另一端均匀缠绕一定的圈数，然后以相同的绕制圈数自第一绕制区域的另一端绕回至第一绕制区域的一端；将所述第一绕制区域一端的所述多芯绝缘导线或漆包线自第二绕制区域的一端向第二绕制区域的另一端均匀缠绕一定的圈数，然后以相同的绕制圈数自第二绕制区域的另一端绕回至所述第二信号极点。4.如权利要求3所述的纳米晶软磁传感器加工方法，其特征在于：所述第一信号极点和所述第二信号极点外接绝缘屏蔽双绞线，其中：线圈套接在变压器或母线接地线上，耦合生成的行波信号由于所述第一信号极点和第二信号极点输出。5.如权利要求3所述的纳米晶软磁传感器加工方法，其特征在于：所述多芯绝缘导线或漆包线在所述第一绕制区域和在所述第二绕制区域上缠绕匝数的总和为4的倍数。6.如权利要求3所述的纳米晶软磁传感器加工方法，其特征在于：所述多芯绝缘导线或漆包线的直径取值在0.5mm
‑
1.5mm之间。7.如权利要求3所述的纳米晶软磁传感器加工方法，其特征在于：所述行波传感器的磁芯的使用频率大于500千赫。

技术总结
一种纳米晶软磁传感器加工方法，使用成分为：Fe为83.5～85.5wt％，Si为7～9wt％，B为1.4～2.1wt％，Cu为1.2～1.5wt％，P为0.1～0.7wt％，Nb为2.5～4wt％，V为1～2wt％的配料，在高温炉中加热后熔炼，在将熔炼融态的合金喷射到高速旋转的铜辊上，制成非晶合金的铁基纳米晶带材，将铁基纳米晶带材放入高温炉中晶化成型后，绕制线包并将引线与基础电器连接，通过使用铁基纳米晶磁性满足了高的初始磁导辛同又减少励磁电流，并且有很强的工作磁密，减少了外界杂散磁场的干扰，同时增加了传感器的磁增益系数，使得传感器输出的灵敏度得到了很大的提高，而且使得测量精度得以大大提高。而且使得测量精度得以大大提高。


技术研发人员：唐书辉
受保护的技术使用者：贵州鑫湄纳米科技有限公司
技术研发日：2021.06.30
技术公布日：2021/10/8