DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备与流程

dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
技术领域
1.本发明涉及dram芯片测试领域，尤其涉及一种dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。


背景技术：

2.动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)，是当代计算机系统不可或缺的组成部件，分平台可有应用于个人电脑或服务器的双倍速率同步动态随机存储器(double data rate，ddr)模组以及应用于嵌入式arm架构的低功耗内存(low power double data rate，lpddr)芯片。
3.lpddr的基本存储单元为cell，计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写。
4.另外，由于当前dram为了高效的存取速率采用的是突发读写方式，即读写操作在一个存储阵列中是以突发长度(burst length，bl)为单位进行的，一次操作多位(如8位、16位或32位)列地址的读写，并对每个突发长度里访问由0和1组成的数据。例如定位的地址是0行，突发长度为8bit，那么在0行0列至0行7列这一段空间每一位写入1bit数据，共8bit，第二个突发长度由0行8列至15列，以此类推。当一行的存储位置全部写完时，内存控制器(memory controller，mc)定位下一行的地址，继续同样的操作。
5.对存储单元写入与周围单元不同的电平的值，比如对某单元写入1，其周围单元所存储的值为0，那么这会造成电势差致使存储单元的漏电加快，若存储单元存在缺陷，那么这种漏电会造成该单元所存储的值发生跳变，如0跳变至1或1跳变至0。另外内存控制器在对存储单元访问时是依照先激活(active，act)行(row)，对某列进行访问后，对该行进行预充电(precharge，pre)，进行这一系列完整操作后才能进行下一行的访问。某些存在缺陷的row经过多次上述act
‑
pre的过程后，会出现存储内容的丢失。


技术实现要素：

6.本发明所要解决的技术问题是：提供了一种dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，能够提高测试dram时故障的覆盖率。
7.为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：
8.一种dram测试方法，包括步骤：
9.对待测试的dram进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
10.所述测试包括：
11.对所述待测试的dram写入预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据；
12.以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
13.对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数
据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
14.第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
15.根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的dram的测试结果。
16.为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：
17.一种dram测试装置，包括：
18.数据读写模块，用于对待测试的dram进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
19.所述测试包括：
20.对所述待测试的dram写入预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据；
21.以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
22.对于遍历到的目标预设测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标预设测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
23.第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
24.测试模块，用于根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的dram的测试结果。
25.为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：
26.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述dram测试方法中的各个步骤。
27.为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：
28.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述dram测试方法中的各个步骤。
29.本发明的有益效果在于：
30.通过对待测试的dram进行两轮测试，以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元，对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，由于存在缺陷的存储单元经过多次act
‑
pre操作后，会出现存储内容的丢失，从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元，实现了首尾地址跳变访问，能够模拟先激活行，对某列进行访问后，再对行进行预充电的act
‑
pre操作，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。
附图说明
31.图1为本发明实施例的一种dram测试方法的步骤流程图；
32.图2为本发明实施例的一种dram测试装置的结构示意图；
33.图3为本发明实施例的一种电子设备的结构示意图；
34.图4为本发明实施例的dram测试方法中预设测试数据以及预设测试数据的反数示
意图；
35.图5为本发明实施例的dram测试方法中的测试流程图；
36.图6为本发明实施例的dram测试方法中预设测试单元包括两个预设操作位的第一轮测试示意图；
37.图7为本发明实施例的dram测试方法中预设测试单元包括两个预设操作位的第二轮测试示意图；
38.图8为本发明实施例的dram测试方法中预设测试单元包括四个预设操作位的第一轮测试示意图；
39.图9为本发明实施例的dram测试方法中预设测试单元包括四个预设操作位的第二轮测试示意图。
具体实施方式
40.为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
41.请参照图1，本发明实施例提供了一种dram测试方法，包括步骤：
42.对待测试的dram进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
43.所述测试包括：
44.对所述待测试的dram写入预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据；
45.以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
46.对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
47.第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
48.根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的dram的测试结果。
49.从上述描述可知，本发明的有益效果在于：通过对待测试的dram进行两轮测试，以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元，对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，由于存在缺陷的存储单元经过多次act
‑
pre操作后，会出现存储内容的丢失，从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元，实现了首尾地址跳变访问，能够模拟先激活行，对某列进行访问后，再对行进行预充电的act
‑
pre操作，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。
50.进一步地，所述对所述待测试的dram写入预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据包括：
51.以预设突发长度为单位从所述待测试的dram的每一预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据。
52.由上述描述可知，通过以突发长度为单位对待测试的dram写入预设测试数据，能够提高数据写入速度，且时间复杂度低，适用于量产测试。
53.进一步地，所述以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元包括：
54.从所述待测试的dram中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元，再跳转至所述待测试的dram中未遍历的存储区域的末位地址，从所述末位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元；
55.返回执行从所述待测试的dram中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元步骤，直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元。
56.由上述描述可知，从待测试的dram中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个预设测试单元，再从末位地址往中间遍历一个预设测试单元，实现了首尾地址跳变访问，模拟了act
‑
pre操作，能够覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，使多存储单元故障得到激发，提高了故障覆盖率。
57.进一步地，依次执行两次所述以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
58.所述预设测试单元包括多个预设操作单元；
59.所述对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较包括：
60.对于第一次遍历中遍历到的第一目标测试单元，读取所述第一目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；
61.对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的奇数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数；
62.对于第二次遍历中遍历到的第二目标测试单元，读取所述第二目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；
63.对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的偶数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数。
64.由上述描述可知，对dram进行两次遍历，由于对存储单元写入与周围单元不同的电平的值，会造成电势差，对于第一次遍历中的目标测试单元，读取每一预设操作单元的数据并将预设测试数据的反数写入处于奇数位置的预设操作单元，对于第二次遍历中的目标测试单元，读取每一预设操作单元的数据并将预设测试数据的反数写入处于偶数位置的预设操作单元，能够很好地模拟这种电势差，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，保证了测试的可靠性和准确性。
65.进一步地，所述第二轮测试还包括步骤：
66.读取所述待测试的dram的所有预设测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较。
67.由上述描述可知，最后读取待测试的dram的所有预设测试单元的数据，能够再一次检测经过测试之后的存储单元中的数据是否符合预期，提高了测试的准确性，增强了测
试结果的可靠性。
68.进一步地，所述预设读写单元包括行或列。
69.由上述描述可知，测试人员能够根据需要设置第一预设读写单元为行或列，灵活性高。
70.进一步地，所述根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的dram的测试结果包括：
71.若所述第一比较结果与所述第二比较结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。
72.由上述描述可知，通过由两轮测试分别得到第一比较结果和第二比较结果，能够检测出较难发现的芯片缺陷，提高了测试时的故障覆盖率，并保证了测试的可靠性。
73.请参照图2，本发明另一实施例提供了一种dram测试装置，包括：
74.数据读写模块，用于对待测试的dram进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
75.所述测试包括：
76.对所述待测试的dram写入预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据；
77.以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
78.对于遍历到的目标预设测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标预设测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
79.第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
80.测试模块，用于根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的dram的测试结果。
81.本发明另一实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述dram测试方法中的各个步骤。
82.请参照图3，本发明另一实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述dram测试方法中的各个步骤。
83.本发明上述dram测试方法，装置、计算机可读存储介质及电子设备能够适用于任何类型的dram的测试中，比如ddr以及lpddr各代产品，以下通过具体实施方式进行说明：
84.实施例一
85.请参照图1，本实施例的一种dram测试方法，包括步骤：
86.s1、对待测试的dram进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
87.所述测试包括：
88.s11、对所述待测试的dram写入预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据；
89.具体的，以预设突发长度为单位从所述待测试的dram的每一预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据；
90.其中，所述预设读写单元可以根据实际情况需要进行灵活设置，比如可以设置为
列或行；
91.突发长度(burst length，bl)是由jedec标准确定的，也可以自由设置，即一次操作多位(比如8位或16位)进行对应的读写，比如，在进行基于行的写数据时，如果定位的地址是0行，突发长度为8bit，则在0行0列这个位置开始同时写入要写入的数据的前8位数值，接着第二个突发长度写入要写入的数据的9
‑
16位，一直连续写入直至将0行的存储位置全部写完，接着重新定位下一行的地址，继续上一行的操作，直到全盘写入数据，读数据也是类似的操作；
92.本实施例中，所述预设读写单元为行，如图6(a)所示；
93.比如，从第一行的第一列开始写入预设测试数据，写完第一行后，从第二行的第一列开始写入预设测试数据，以此类推，直至待测试的dram的每一行均写入数据；
94.s12、以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
95.具体的，从所述待测试的dram中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元，再跳转至所述待测试的dram中未遍历的存储区域的末位地址，从所述末位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元；
96.返回执行从所述待测试的dram中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元步骤，直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
97.依次执行两次所述以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
98.所述预设测试单元包括多个预设操作单元；
99.其中，多个预设操作单元可以为2个以上的预设操作单元，本实施例中，预设测试单元包括2个预设操作单元；
100.比如，存储阵列存在4行4列，从待测试的dram中未遍历的存储区域的第0行的第0列开始往中间遍历一个预设测试单元，再从第3行的第3列开始往中间遍历一个预设测试单元，如果一个预设测试单元包括2个预设操作单元，就再从待测试的dram中的第0行的第2列开始往中间遍历一个预设测试单元，接着从第3行的第1列开始往中间遍历一个预设测试单元，如果一个预设测试单元包括3个预设操作单元，就再从待测试的dram中的第0行的第3列开始往中间遍历一个预设测试单元，接着从第3行的第0列开始往中间遍历一个预设测试单元，依此类推，直至遍历完待测试的dram的所有存储单元；
101.将上述对待测试的dram的遍历执行两次；
102.s13、对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
103.具体的，对于第一次遍历中遍历到的第一目标测试单元，读取所述第一目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；
104.对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的奇数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数；
105.其中，若所述预设操作单元处于所述预设测试单元的偶数位置，则不对所述预设操作单元进行写操作；
106.比如，如果一个预设测试单元包括2个预设操作单元，那么对于第一次遍历中遍历到的目标测试单元，读取其中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较，然后再向预设测试单元中的第一个预设操作单元写入预设测试数据的反数，对其的第二个预设操作位不进行写操作；
107.如果一个预设测试单元包括4个预设操作单元，那么对于第一次遍历中遍历到的目标测试单元，读取其中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较，然后再向预设测试单元中的第一个预设操作单元和第三个预设操作单元写入预设测试数据的反数，对其的第二个以及第四个预设操作位不进行写操作；
108.对于第二次遍历中遍历到的第二目标测试单元，读取所述第二目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；
109.对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的偶数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数；
110.其中，若所述预设操作单元处于所述预设测试单元的奇数位置，则不对所述预设操作单元进行写操作；
111.比如，如果一个预设测试单元包括2个预设操作单元，那么对于第一次遍历中遍历到的目标测试单元，读取其中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较，然后再向预设测试单元中的第二个预设操作单元写入预设测试数据的反数，对其的第一个预设操作位不进行写操作；
112.如果一个预设测试单元包括5个预设操作单元，那么对于第一次遍历中遍历到的目标测试单元，读取其中的5个预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较，然后再向预设测试单元中的第二个预设操作单元和第四个预设操作单元写入预设测试数据的反数，对其的第一个、第三个以及第五个预设操作位不进行写操作；
113.在进行完第一轮测试后，进行第二轮测试，第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
114.其中，所述第二轮测试还包括步骤：
115.读取所述待测试的dram的所有预设测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；
116.比如，存储阵列存在4行4列，一个预设测试单元包括2个预设操作单元，那么存储阵列中存在8个预设测试单元，读取这8个预设测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；
117.s2、根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的dram的测试结果；
118.若所述第一比较结果与所述第二比较结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。
119.本实施例中，具体的参照图4
‑
7，首先，对所述待测试dram进行第一轮测试：
120.如图4、5所示，定义写入的测试数据为/d＝10101010
……
1010，其反数为d＝01010101
……
0101，假设预设突发长度为bl＝8bit，则/d＝10101010，d＝01010101；
121.s1、定位的地址是第0行第0列，从第0行第0列对应的存储单元按bl开始写入测试数据/d，写完第0行后，从第1行第0列开始写入测试数据/d，以此类推，直至整个存储阵列均
写入数据，如图6(a)所示；
122.写入数据之后，待测试的dram的数据如图6(d)所示；
123.进行第一次遍历，如图6(b)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r0，c0)上的预设操作单元写入d；
124.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r3，c3)上的预设操作单元写入d；
125.从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c2)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r0，c2)上的预设操作单元写入d；
126.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c1)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r3，c1)上的预设操作单元写入d；
127.依此类推，即按照图6(b)中的序号(1)～(16)进行遍历，直至遍历完待测试的dram的所有存储单元；
128.第一次遍历结束后，待测试的dram的数据如图6(e)所示；
129.进行第二次遍历，如图6(c)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r0，c0)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r0，c1)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r0，c1)上的预设操作单元写入d；
130.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r3，c3)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r3，c2)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r3，c2)上的预设操作单元写入d；
131.从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c2)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r0，c2)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r0，c3)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r0，c3)上的预设操作单元写入d；
132.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c1)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r3，c1)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r3，c0)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r3，c0)上的预设操作单元写入d；
133.依此类推，即按照图6(c)中的序号(1)～(16)进行遍历，直至遍历完待测试的dram的所有存储单元；
134.第二次遍历结束后，待测试的dram的数据如图6(f)所示；
135.获得第一比较结果；
136.第二轮测试中，定义写入的测试数据d＝10101010，其反数/d＝01010101：
137.进行第一次遍历，如图7(a)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往
中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r0，c0)上的预设操作单元写入/d；
138.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r3，c3)上的预设操作单元写入/d；
139.从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c2)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r0，c2)上的预设操作单元写入/d；
140.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c1)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r3，c1)上的预设操作单元写入/d；
141.依此类推，即按照图7(a)中的序号(1)～(16)进行遍历，直至遍历完待测试的dram的所有存储单元；
142.第一次遍历结束后，待测试的dram的数据如图7(d)所示；
143.进行第二次遍历，如图7(b)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r0，c0)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r0，c1)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r0，c1)上的预设操作单元写入/d；
144.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r3，c3)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r3，c2)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r3，c2)上的预设操作单元写入/d；
145.从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c2)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r0，c2)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r0，c3)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r0，c3)上的预设操作单元写入/d；
146.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c1)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的2个预设操作单元的数据，将(r3，c1)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r3，c0)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r3，c0)上的预设操作单元写入/d；
147.依此类推，即按照图7(b)中的序号(1)～(16)进行遍历，直至遍历完待测试的dram的所有存储单元；
148.第二次遍历结束后，待测试的dram的数据如图7(e)所示；
149.读取所有预设测试单元的数据，将读取到的数据与/d比较，如图7(c)所示；
150.获得第二比较结果；
151.若第一比较结果与第二比较结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。
152.实施例二
153.请参照图8
‑
9，本实施例与实施例一的区别在于预设读写单元为列，预设测试单元
包括4个预设操作单元，具体为：
154.如图8(a)所示，定位的地址是第0列第0行，从第0列第0行对应的存储单元按bl开始写入测试数据/d，即第0列第0行至第3列第0行写入测试数据/d，写完后，从第0列第1行开始写入测试数据/d，写完第0列至第3列所有行，此时整个存储阵列均写入数据；
155.写入数据之后，待测试的dram的数据如图8(d)所示；
156.进行第一次遍历，如图8(b)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r0，c0)以及(r0，c2)上的预设操作单元写入d；
157.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r3，c3)以及(r3，c1)上的预设操作单元写入d；
158.从未遍历的存储区域的首位地址(r1，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r1，c0)以及(r1，c2)上的预设操作单元写入d；
159.从未遍历的存储区域的末位地址(r2，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与/d进行比较，然后向(r2，c3)以及(r2，c1)上的预设操作单元写入d；
160.第一次遍历结束后，待测试的dram的数据如图8(e)所示；
161.进行第二次遍历，如图8(c)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r0，c0)以及(r0，c2)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r0，c1)以及(r0，c3)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r0，c1)以及(r0，c3)上的预设操作单元写入d；
162.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r3，c3)以及(r3，c1)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r3，c2)以及(r3，c0)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r3，c2)以及(r3，c0)上的预设操作单元写入d；
163.从未遍历的存储区域的首位地址(r1，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r1，c0)以及(r1，c2)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r1，c1)以及(r1，c3)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r1，c1)以及(r1，c3)上的预设操作单元写入d；
164.从未遍历的存储区域的末位地址(r2，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r2，c3)以及(r2，c1)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，将(r2，c2)以及(r2，c0)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，然后向(r2，c2)以及(r2，c0)上的预设操作单元写入d；
165.第二次遍历结束后，待测试的dram的数据如图8(f)所示；
166.获得第一比较结果；
167.第二轮测试中，定义写入的测试数据d＝10101010，其反数/d＝01010101：
168.进行第一次遍历，如图9(a)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往
中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r0，c0)以及(r0，c2)上的预设操作单元写入/d；
169.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r3，c3)以及(r3，c1)上的预设操作单元写入/d；
170.从未遍历的存储区域的首位地址(r1，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r1，c0)以及(r1，c2)上的预设操作单元写入/d；
171.从未遍历的存储区域的末位地址(r2，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将读取到的数据与d进行比较，然后向(r2，c3)以及(r2，c1)上的预设操作单元写入/d；
172.第一次遍历结束后，待测试的dram的数据如图9(d)所示；
173.进行第二次遍历，如图9(b)所示，从未遍历的存储区域的首位地址(r0，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r0，c0)以及(r0，c2)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r0，c1)以及(r0，c3)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r0，c1)以及(r0，c3)上的预设操作单元写入/d；
174.从未遍历的存储区域的末位地址(r3，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r3，c3)以及(r3，c1)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r3，c2)以及(r3，c0)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r3，c2)以及(r3，c0)上的预设操作单元写入/d；
175.从未遍历的存储区域的首位地址(r1，c0)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r1，c0)以及(r1，c2)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r1，c1)以及(r1，c3)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r1，c1)以及(r1，c3)上的预设操作单元写入/d；
176.从未遍历的存储区域的末位地址(r2，c3)开始往中间遍历一个预设测试单元，读取该预设测试单元中的4个预设操作单元的数据，将(r2，c3)以及(r2，c1)上的预设操作单元读取到的数据与/d进行比较，将(r2，c2)以及(r2，c0)上的预设操作单元读取到的数据与d进行比较，然后向(r2，c2)以及(r2，c0)上的预设操作单元写入/d；
177.第二次遍历结束后，待测试的dram的数据如图9(e)所示；
178.读取所有预设测试单元的数据，将读取到的数据与/d比较，如图9(c)所示；
179.获得第二比较结果；
180.若第一比较结果与第二比较结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。
181.实施例三
182.请参照图2，一种dram测试装置，包括：
183.数据读写模块，用于对待测试的dram进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
184.所述测试包括：
185.对所述待测试的dram写入预设测试数据直至所述待测试的dram的所有存储单元均写入数据；
186.以预设测试单元为单位从所述待测试的dram的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元；
187.对于遍历到的目标预设测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标预设测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
188.第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
189.测试模块，用于根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的dram的测试结果。
190.实施例四
191.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现实施例一或实施例二中dram测试方法的各个步骤。
192.实施例五
193.请参照图3，一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现实施例一或实施例二中dram测试方法的各个步骤。
194.综上所述，本发明提供的一种dram检测方法、装置、可读存储介质及电子设备，对待检测的dram进行两轮测试，在对待测试的dram写入预设测试数据的过程中，以预设突发长度为单位进行写入，能够提高数据写入速度，且时间复杂度低，便于量产测试，从待测试的dram中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个预设测试单元，再从末位地址往中间遍历一个预设测试单元，返回执行该操作直至遍历完所述待测试的dram的所有存储单元，实现了首尾地址跳变访问，模拟了act
‑
pre操作，依次执行两次上述遍历，由于对存储单元写入与周围单元不同的电平的值，会造成电势差，对于第一次遍历中的目标测试单元，读取每一预设操作单元的数据并将预设测试数据的反数写入处于奇数位置的预设操作单元，对于第二次遍历中的目标测试单元，读取每一预设操作单元的数据并将预设测试数据的反数写入处于偶数位置的预设操作单元，能够很好地模拟这种电势差，第二轮测试中，还读取所述待测试的dram的所有预设测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较，能够再一次检测经过测试之后的存储单元中的数据是否符合预期，提高了测试的可靠性与准确性，通过对待测试的dram实现首尾地址跳变访问，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。
195.在本申请所提供的上述实施例中，应该理解到，所揭露的方法、装置、计算机可读存储介质以及电子设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个组件或模块可以结合或者可以集成到另一个装置，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或组件或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
196.所述作为分离部件说明的组件可以是或者也可以不是物理上分开的，作为组件显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个
网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部组件来实现本实施例方案的目的。
197.另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个组件单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。
198.所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read
‑
only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
199.需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简便描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定都是本发明所必须的。
200.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
201.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。