检测值修正系统、系数计算方法以及检测值修正方法与流程

1.本发明涉及一种对传感器的检测值进行修正的检测值修正系统、检测值修正方法、以及对被用于检测值的修正的系数进行计算的系数计算方法。


背景技术：

2.以往，已知有一种磁阻抗(magneto impedance，mi)传感器，包括非晶丝(amorphous wire)以及卷绕在非晶丝周围的线圈。而且，已知通过将mi传感器排列成一列的磁传感器阵列来检测磁的分布(例如参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本专利特开2002
‑
169614号公报


技术实现要素：

6.此外，在通过所述的mi传感器来检测磁分布的情况下，分布位置的分辨率是由mi传感器的邻接间距而决定。因而，为了提高分布位置的分辨率，考虑必须缩小mi传感器的邻接间距。但是若缩小mi传感器的邻接间距，则会因mi传感器的运行原理而产生如下所述的问题。
7.当使脉冲电流流经mi传感器的非晶丝时，通过因所述电流产生的磁场，非晶丝内的旋转(spin)的方向一致于与非晶丝正交的方向。若在此状态下电流变为零，而因电流产生的磁场消失，则各旋转的方向将朝向与外部磁场相应的方向。这样，旋转由与非晶丝正交的方向变化为与外部磁场相应的方向，由此会产生与外部磁场相应的强度的磁通。与所述磁通的变化相应地，在线圈中产生电动势。因而，mi传感器通过在线圈中产生与外部磁场相应的电动势，来检测外部磁场。
8.但是，伴随旋转的方向变化的磁通在一定程度上会朝周边扩展地产生。因此，若mi传感器的邻接间距小，则与某mi传感器的旋转的方向变化相应地产生的磁通会到达其周边的mi传感器，而被此mi传感器检测到。其结果，邻接的mi传感器中的磁场的检测精度有可能下降。
9.与mi传感器同样地，在mi传感器以外的传感器中，在由于将多个传感器予以排列而各传感器对其周边的其他传感器的检测值造成影响的情况下，若缩小传感器的邻接间距，则传感器的检测精度也有可能下降。
10.本发明的目的在于提供一种容易对配置成一列的各传感器的检测值进行修正的检测值修正系统、检测值修正方法、以及对被用于检测值的修正的系数进行计算的系数计算方法。
11.本发明的一例的检测值修正系统对配置成一列的、检测物理量的多个传感器的检测值进行修正，所述检测值修正系统包括：修正处理部，执行修正处理，所述修正处理是对于所述多个传感器中的、成为修正对象的传感器的关注传感器的检测值，至少基于与所述
关注传感器邻接的第一传感器的检测值来进行修正。
12.而且，本发明的一例的检测值修正方法对配置成一列的、检测物理量的多个传感器的检测值进行修正，其中，执行修正处理，所述修正处理是对于所述多个传感器中的、成为修正对象的传感器的关注传感器的检测值，至少基于与所述关注传感器邻接的第一传感器的检测值来进行修正。
13.而且，本发明的一例的系数计算方法是对于配置成一列的、检测物理量的多个传感器中的一个，算出第一系数k1与第二系数k2，所述第一系数k1表示与所述传感器邻接的第一传感器对所述传感器造成的影响，所述第二系数k2表示相对于所述第一传感器而在反向与所述一个传感器邻接的第二传感器对所述传感器造成的影响，所述系数计算方法包括下述步骤：(a)在对所述配置成一列的多个传感器不均匀地赋予有所述物理量的状态下，获取所述各传感器的检测值；(b)暂时对多个所述第一系数k1赋予互不相同的值，与被赋予有所述暂时的值的所述第一系数k1分别对应地，(b1)对所述多个传感器标注连续编号而设为传感器1～q，在传感器1～q中的任意的第x个传感器x的检测值为b
x
，与所述传感器x的其中一侧邻接的第x 1个传感器(x 1)的检测值为b
x 1
，与所述传感器x的另一侧邻接的第x
‑
1个传感器(x
‑
1)的检测值为b
x
‑1，相对于所述传感器(x 1)而在反向与所述传感器x邻接的第x 2个传感器(x 2)的检测值为b
x 2
，相对于所述传感器(x
‑
1)而在反向与所述传感器x邻接的第x
‑
2个传感器(x
‑
2)的检测值为b
x
‑2，所述第二系数为k2，且x为3～(q
‑
2)的情况，基于下述的式(2)来算出值d
x
，(b2)关于在所述(b1)工序中算出的值d(3)～d(q
‑
2)中的、作为4～(q
‑
2)的整数的n，探索相邻的传感器n以及传感器(n
‑
1)的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)，算出所述达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方为max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]，(b3)关于在所述(b1)工序中算出的值d(3)～d(q
‑
2)中的、作为4～(q
‑
2)的整数的m，探索相邻的传感器m以及传感器(m
‑
1)的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)，算出所述达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方为min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]，(b4)基于下述的式(3)，来算出与多个所述系数k1的值对应的多个评估值u(k1)；以及(c)探索所述多个评估值u(k1)中的最大的评估值u(k1)，确定与所述最大的评估值u(k1)对应的第一系数k1和根据所述第一系数k1而获得的第二系数k2，来作为用于在所述修正处理中使用的所述第一系数以及所述第二系数，
[0014]
d(x)＝k2b
x
‑2‑
k1b
x
‑1 b
x
‑
k1b
x 1
k2b
x 2
…
(2)
[0015]
u(k1)＝max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]
‑
min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]
…
(3)。
附图说明
[0016]
图1是概念性地表示使用本发明的一实施方式的检测值修正方法的磁测定装置的结构的一例的说明图。
[0017]
图2是表示图1所示的磁测定装置的运行的一例的流程图。
[0018]
图3是将系数k2、
‑
k1、1、
‑
k1、k2图表化的说明图。
[0019]
图4是将系数k2、
‑
k1、1、
‑
k1、k2图表化的说明图。
[0020]
图5是将系数k2、
‑
k1、1、
‑
k1、k2图表化的说明图。
[0021]
图6是将系数k2、
‑
k1、1、
‑
k1、k2图表化的说明图。
[0022]
图7是表示本发明的一实施方式的系数计算方法的一例的流程图。
[0023]
图8是表示本发明的一实施方式的系数计算方法的一例的流程图。
[0024]
图9是概念性地表示使用本发明的一实施方式的检测值修正方法的x射线测定装置的结构的一例的说明图。
[0025]
图10是概念性地表示可适用本发明的一实施方式的检测值修正方法的传感器的结构的一例的说明图。
具体实施方式
[0026]
以下，基于附图来说明本发明的实施方式。另外，各图中标注了同一符号的结构表示同一结构，并省略其说明。图1所示的磁测定装置1相当于本发明的检测值修正系统的一例。
[0027]
图1所示的磁测定装置1包括磁传感器阵列2、电源3、多个电压测定部4以及运算处理部5。磁传感器阵列2包括非晶丝21以及标注了1～10的传感器编号的多个传感器m1～m10(传感器)。以下，将传感器m1～m10总称作传感器m。传感器m是对磁场的强度进行检测的所谓的mi传感器(磁阻传感器)。
[0028]
非晶丝21例如是cofesib等线状的磁性导体。非晶丝21例如直径设为100μm以下。在非晶丝21的外周，例如形成有丙烯酸系树脂的绝缘体层。另外，也可取代非晶丝21，而采用在线状体上包覆有磁各向异性薄膜的丝、或者作为ni
‑
fe合金的坡莫合金(permalloy)等的丝。
[0029]
在非晶丝21上，多个线圈l相互各隔开预先设定的间隔d而卷绕成一列。由非晶丝21和卷绕在其外周的一个线圈l构成一个传感器m。图1中表示了在一根非晶丝21上卷绕有10个线圈l而构成10个传感器m1～m10的示例。另外，传感器m的数量也可不足10个，还可超过10个。
[0030]
在非晶丝21的两端部，连接有电源3。电源3根据来自运算处理部5的控制信号，对非晶丝21呈脉冲状地输出预先设定的电流值的电流。
[0031]
另外，未必限于在一根非晶丝21上卷绕多个线圈l而构成多个传感器m的示例。也可对应于每个传感器m而将非晶丝21分离。并且，也可对经分离的各非晶丝21分别从电源供给电流。但是，通过在一根非晶丝21上卷绕多个线圈l，流至各传感器m的电流相等。其结果，各传感器m的检测值的偏差得以降低，因此更优选在一根非晶丝21上卷绕多个线圈l的结构。
[0032]
电压测定部4例如是使用放大器、峰值保持(peak hold)电路以及模拟数字转换器等而构成。各电压测定部4对在传感器m1～m10的各线圈l中感应产生的电压进行测定，将表示所述测定结果的信号作为传感器m1～m10的检测值b1～b
10
而发送至运算处理部5。
[0033]
运算处理部5例如使用执行规定的运算处理的中央处理器(central processing unit，cpu)、暂时存储数据的随机存取存储器(random access memory，ram)、存储规定的控制程序等的硬盘驱动器(hard disk drive，hdd)和/或快闪存储器等存储部、以及它们的周边电路等而构成。而且，运算处理部5通过执行规定的控制程序等，从而作为检测处理部51、修正处理部52以及系数计算处理部53发挥功能。
[0034]
检测处理部51获取各电压测定部4的输出来作为传感器m1～m10的检测值b1～b
10
。
[0035]
修正处理部52执行修正处理，即，对于传感器m1～m10中的、成为修正对象的传感
器的关注传感器mn的检测值b
n
，至少基于与所述关注传感器mn邻接的第一传感器的检测值来进行修正。修正处理部52将传感器m1～m10依序作为关注传感器mn来执行修正处理，由此来修正传感器m1～m10的检测值b1～b
10
。修正处理部52修正检测值b1～b
10
而生成修正值c1～c
10
。
[0036]
系数计算处理部53基于通过实验而检测出的检测值b1～b
10
，来算出后述的系数k1、k2。
[0037]
另外，检测值修正系统未必限于多个传感器与修正处理部52以及系数计算处理部53构成为单个装置的示例。例如，磁测定装置也可不包括修正处理部52以及系数计算处理部53。并且，也可由独立于磁测定装置的例如个人计算机等计算机，构成包括修正处理部52以及系数计算处理部53的修正装置。并且，也可为利用修正装置对由磁测定装置所检测的检测值b1～b
10
进行修正的结构。此时，由磁测定装置与修正装置构成检测值修正系统。
[0038]
而且，检测值修正系统未必需要包括多个传感器。检测值修正系统也可为包括修正处理部52以及系数计算处理部53的修正装置。而且，检测值修正系统也可包含包括修正处理部52的修正处理装置与包括系数计算处理部53的系数计算处理装置。
[0039]
而且，磁测定装置1也可构成为还包括检查部的检查装置，所述检查部基于由修正处理部52所生成的修正值c1～c
10
来进行测定对象物的检查。例如，磁测定装置1也可为如下所述的检查装置，即，检查部通过对例如预先存储在存储部中的基准值与修正值c1～c
10
进行比较，从而判定检查对象物的良否，或者检测具有磁性的异物的混入。更具体而言，磁测定装置1也可构成为如下所述的检查装置，即，通过利用磁传感器阵列2来检测电池表面的磁场，从而检测混入至电池的金属异物。
[0040]
接下来，对像上述那样构成的磁测定装置1的运行进行说明。首先，用户使磁传感器阵列2与想要测定磁场的测定对象物靠近相向，或者使磁传感器阵列2配置在想要测定磁场的场所。随后，使磁测定装置1开始运行。
[0041]
参照图2，首先，检测处理部51通过电源3，使预先设定的电流值的电流呈脉冲状地流至非晶丝21(步骤s1)。
[0042]
由电流产生的磁通是在非晶丝21的周围呈同心圆状地产生。由于线圈l被卷绕在非晶丝21的外周，因此由电流所产生的磁通与线圈l的绕线的方向为大致同一方向。在线圈l中，当与绕线交叉的磁通发生变化时，因电磁感应而产生电压。但是，由电流所产生的磁通并不与线圈l的绕线交叉，因此相对于流经非晶丝21的电流，线圈l中不会产生电压。
[0043]
另一方面，当电流流经非晶丝21时，在所述电流流动的期间，通过由所述电流所产生的磁场，非晶丝21内的旋转的方向一致于与非晶丝21正交的方向。随后，当脉冲下降而电流变为零，由电流所产生的磁场消失时，非晶丝21的各旋转的方向朝向与外部磁场相应的方向。这样，旋转由与非晶丝21正交的方向变化为与外部磁场相应的方向，由此，产生与外部磁场相应的强度的磁通。伴随所述旋转的方向变化的磁通包含与线圈l的绕线交叉的方向的成分，因此与伴随旋转的方向变化的磁通的变化相应地，在线圈l中产生电压。
[0044]
这样，在各线圈l中产生的电压表示了传感器m1～m10的各位置的外部磁场的强度。各电压测定部4分别测定在传感器m1～m10的线圈l中产生的峰值电压。各电压测定部4将表示所述测定电压的信号作为传感器m1～m10的检测值b1～b
10
而输出至运算处理部5。
[0045]
检测处理部51获取由各电压测定部4所测定的电压来作为检测值b1～b
10
(步骤
s2)。
[0046]
此处，传感器m1～m10的检测值b1～b
10
中包含因其他传感器m的影响所造成的误差。例如，传感器m5的线圈l除了因传感器m5的位置的非晶丝21中的旋转而产生的磁通以外，还会检测到因与传感器m5邻接的传感器m4、m6的位置的旋转而产生的磁通。而且，传感器m5的线圈l还有可能进一步检测到因与所述传感器m4、m6邻接的传感器m3、m7的位置的旋转而产生的磁通。因此，传感器m1～m10的检测值b1～b
10
中，包含因其他传感器m的影响所造成的误差。
[0047]
因此，修正处理部52执行对由检测处理部51所获取的检测值b1～b
10
进行修正的修正处理，以降低其他传感器m的影响所造成的误差。下述的步骤s3～s6相当于修正处理的一例。
[0048]
首先，修正处理部52将变量n初始化为1(步骤s3)。
[0049]
接下来，修正处理部52在设成为修正对象的关注传感器mn的检测值为b
n
，相当于与关注传感器mn的其中一侧邻接的第一传感器的、传感器m(n 1)的检测值为b
n 1
，相当于与关注传感器mn的另一侧邻接的第一传感器的、传感器m(n
‑
1)的检测值为b
n
‑1，相当于相对于传感器m(n 1)而在反向与关注传感器mn邻接的第二传感器的、传感器m(n 2)的检测值为b
n 2
，相当于相对于传感器m(n
‑
1)而在反向与关注传感器mn邻接的第二传感器的、传感器m(n
‑
2)的检测值为b
n
‑2时，基于下述的式(1)来算出关注传感器mn的检测值b
n
的修正值c
n
(步骤s4)。
[0050]
c
n
＝k2b
n
‑2‑
k1b
n
‑1 b
n
‑
k1b
n 1
k2b
n 2
…
(1)
[0051]
系数k1(第一系数)以及系数k2(第二系数)例如是通过后述的系数计算方法而预先算出，并存储在存储部中。
[0052]
修正处理部52在n＝1时设为b
n
‑1＝b
n
‑2＝0，在n＝2时设为b
n
‑2＝0，在n＝9时设为b
n 2
＝0，在n＝10时设为b
n 1
＝b
n 2
＝0，来执行式(1)的计算。
[0053]
根据式(1)，对关注传感器的检测值加上将第一传感器的检测值乘以第一系数所得的值，并减去将第二传感器的检测值乘以比第一系数小的第二系数所得的值，由此，能够修正作为关注传感器的传感器mn的检测值。
[0054]
接下来，修正处理部52对传感器m的数量10与变量n进行比较(步骤s5)。若变量n并非为10(步骤s5中为否)，修正处理部52将变量n加上1(步骤s6)，再次重复步骤s4、s5。
[0055]
另一方面，若变量n为10(步骤s5中为是)，则算出修正值c1～c
10
，由于已对所有的检测值修正完毕，因此修正处理部52结束修正处理。
[0056]
接下来说明可通过所述式(1)来修正检测值b1～b
10
以降低其他传感器m的影响所造成的误差的理由。
[0057]
当传感器mn的正确的检测值即传感器mn未受到其他传感器m的影响时的检测值为a
n
，将传感器mn从邻接的传感器m(n
‑
1)、m(n 1)受到的影响的程度数值化而表示的系数为k1，将传感器mn从与传感器m(n
‑
1)、m(n 1)进一步邻接的传感器m(n
‑
2)、m(n 2)受到的影响的程度数值化而表示的系数依据后述的式(4)而设为k2＝k
12
时，传感器mn的检测值b
n
以下述的式(a)来表示。
[0058]
b
n
＝k
12
a
n
‑2‑
k1a
n
‑1 a
n
‑
k1a
n 1
k
12
a
n 2
…
(a)
[0059]
因而，若通过所述式(1)而算出的修正值c
n
正确，则当将式(a)代入式(1)时，应为
修正值c
n
＝a
n
。
[0060]
因此，若将式(a)代入式(1)，则成为下述。其中，设k2＝k
12
、0.5＜k1＜1。
[0061]
c
n
＝k
12
b
n
‑2‑
k1b
n
‑1 b
n
‑
k1b
n 1
k
12
b
n 2
[0062]
＝k
12
(k
12
a
n
‑4 k1a
n
‑3 a
n
‑2 k1a
n
‑1 k
12
a
n
)
[0063]
‑
k1(k
12
a
n
‑3 k1a
n
‑2 a
n
‑1 k1a
n
k
12
a
n 1
)
[0064]
k
12
a
n
‑2 k1a
n
‑1 a
n
k1a
n 1
k
12
a
n 2
[0065]
‑
k1(k
12
a
n
‑1 k1a
n
a
n 1
k1a
n 2
k
12
a
n 3
)
[0066]
k
12
(k
12
a
n
k1a
n 1
a
n 2
k1a
n 3
k
12
a
n 4
)
[0067]
此处，由于0.5＜k1＜1，因此k
13
≒k
14
非常小。
[0068]
因此，若近似为k
13
＝k
14
＝0，则
[0069]
c
n
＝k
12
a
n
‑2[0070]
‑
k
12
(a
n
‑2 a
n
)
‑
k1a
n
‑1[0071]
k
12
a
n
‑2 k1a
n
‑1 a
n
k1a
n 1
k
12
a
n 2
[0072]
‑
k
12
(a
n
a
n 2
)
‑
k1a
n 1
[0073]
k
12
a
n 2
[0074]
＝k
12
(a
n
‑2‑
2a
n
a
n 2
)
[0075]
k1(
‑
a
n
‑1 a
n
‑1 a
n 1
‑
a
n 1
)
[0076]
a
n
[0077]
此处，(
‑
a
n
‑1 a
n
‑1 a
n 1
‑
a
n 1
)为零，因此
[0078]
c
n
＝k
12
(a
n
‑2‑
2a
n
a
n 2
) a
n
…
(b)。
[0079]
进而，本发明的检测值修正系统以及检测值修正方法的目的在于解决下述问题，即：若缩小传感器的邻接间距，则传感器的检测精度有可能下降。因此，相对于磁场等检测对象的物理量的空间上的扩展范围，传感器的邻接间距充分小。其结果，传感器的邻接间距被设定为，在彼此邻接的传感器mn、m(n 1)或传感器mn、m(n
‑
1)的配置位置，检测对象的物理量之差成为传感器mn的位置处的物理量a
n
例如为1％以下。
[0080]
这样，a
n 2
以及a
n
‑2为传感器mn的相邻的相邻的传感器位置处的磁场强度(物理量)，因此传感器mn的位置处的磁场强度(物理量)之差为1％ 1％＝2％左右。因而，由于可近似为a
n
≒a
n
‑2≒a
n 2
，因此可近似为(a
n
‑2‑
2a
n
a
n 2
)≒0。除此以外，由于0.5＜k1＜1，因此k
12
(a
n
‑2‑
2a
n
a
n 2
)进一步接近零，可近似为k
12
(a
n
‑2‑
2a
n
a
n 2
)≒0，因此所述式(b)可近似为c
n
≒a
n
。
[0081]
因而可知的是，通过所述的式(1)而算出的修正值c
n
可近似为传感器mn未受到其他传感器m的影响时的正确的检测值a
n
。
[0082]
因而，通过式(1)而算出的修正值c
n
可近似为传感器mn未受到其他传感器m的影响时的正确的检测值a
n
，因此通过步骤s1～s6的处理，对所有的检测值b1～b
10
进行修正而获得修正值c1～c
10
。因而，容易修正配置成一列的各传感器m的检测值。
[0083]
接下来说明系数k1、k2。系数k1、k2根据因传感器m的制造偏差等引起的灵敏度的差异、各传感器m的间隔、从磁传感器阵列2直至测定对象物为止的距离等而变化。因而，例如优选的是，在磁传感器阵列2的制造后算出所述磁传感器阵列2的系数k1、k2并存储至运算处理部5的存储部中，或者将磁传感器阵列2安装至磁测定装置1后，算出所述磁传感器阵列2
的系数k1、k2并存储至运算处理部5的存储部中。
[0084]
所述式(1)中，b
n
‑2、b
n
‑1、b
n
、b
n 1
、b
n 2
的系数也包括符号在内为k2、
‑
k1、1、
‑
k1、k2，所述系数作为一种滤子(filter)发挥功能。由于关注传感器mn从其左右的传感器m受到的影响度大致相等，因此系数以检测值b
n
为中心而左右对称地配置。
[0085]
图3表示k1＝0.6、k2＝0.1的情况，图4表示k1＝0.7、k2＝0.2的情况。
[0086]
系数k1是将作为第一传感器的传感器m(n 1)、m(n
‑
1)对关注传感器mn造成的影响的程度数值化而表示。系数k2是将作为第二传感器的传感器m(n 2)、m(n
‑
2)对关注传感器mn造成的影响的程度数值化而表示。传感器m(n 2)、m(n
‑
2)较传感器m(n 1)、m(n
‑
1)远离关注传感器mn，因此传感器m(n 2)、m(n
‑
2)对关注传感器mn造成的影响小于传感器m(n 1)、m(n
‑
1)对关注传感器mn造成的影响。因而，系数k2所表示的影响小于系数k1所表示的影响，因此k1＞k2。
[0087]
所谓影响，不外乎是能量。例如，在某传感器m对其他传感器m造成了影响的情况下，能量将向从给予影响的传感器受到影响的传感器移动。
[0088]
因而，图3、图4的表示系数的条可视为将从他者收到的能量设为正，将对他者给予的能量设为负，而表示能量的交换。尽管存在此种能量的交换，但由于能量的总量不变，因此k2、
‑
k1、1、
‑
k1、k2的合计大致为零。即，将对系数k2的合计加1的值减去系数k1的合计所得的值大致为零。
[0089]
其结果，图3、图4中的正值的合计与负值的合计相等。因而，根据正的系数k2、1、k2与负的系数k1、k1，获得下述的式(5)。
[0090]
k2 1 k2＝k1 k1＝2k1[0091]
2k2 1＝2k1[0092]
2k2＝2k1‑1[0093]
k2＝k1‑
1/2
…
(5)
[0094]
图5表示系数k1为1的情况。
[0095]
当系数k1超过1时，邻接的两侧的传感器m所接受的能量大于从关注传感器mn发出的能量而产生矛盾。因而，k1＜1。
[0096]
图6表示系数k1为0.5的情况。在系数k1为0.5的情况下，根据式(5)，系数k2变为0，系数k2消失。因而，系数k1的范围为0.5＜k1＜1。
[0097]
另外，系数k1与系数k2的关系未必限于式(5)所表示的示例。系数k1与系数k2的关系式是根据所使用的传感器的特性来适当设定。例如，在具有下述特性的传感器的情况下，适用下述的式(4)的关系式，所述特性是：随着远离关注传感器，所述远离的传感器对关注传感器造成的影响急遽变小。
[0098]
k2＝k
12
…
(4)
[0099]
而且，例如在具有下述特性的传感器的情况下，适用下述的式(6)的关系式，所述特性是：与从关注传感器计起的距离的平方成反比而影响变小。
[0100]
k2＝k1/4
…
(6)
[0101]
接下来，参照图7、图8来说明本发明的一实施方式的系数计算方法。首先，例如用户将磁铁配置在q个传感器m1～mq的一部分例如传感器m5附近。由此，对传感器m1～mq施加不均匀的磁场(步骤s101)。图1所示的示例中，q＝10。优选的是，对传感器m1～mq施加的磁
场相对于传感器m1～mq的各位置的变化大，以使得由各传感器m所检测的检测值的差尽可能大。传感器m1～mq相当于传感器1～q。
[0102]
在对传感器m1～mq施加有不均匀的磁场的状态下，系数计算处理部53获取传感器m1～mq的检测值b1～b
q
(步骤s102：工序(a))。
[0103]
接下来，系数计算处理部53暂时设系数k1＝0.51(步骤s103)。接下来，系数计算处理部53将传感器编号x设为3以作为初始值(步骤s104)。接下来，系数计算处理部53设传感器mx的检测值为b
x
，与传感器mx的其中一侧邻接的传感器m(x 1)的检测值为b
x 1
，与传感器mx的另一侧邻接的传感器m(x
‑
1)的检测值为b
x
‑1，相对于传感器m(x 1)而在反向与传感器mx邻接的传感器m(x 2)的检测值为b
x 2
，相对于传感器m(x
‑
1)而在反向与传感器mx邻接的传感器m(x
‑
2)的检测值为b
x
‑2，基于下述的式(2)以及所述的式(5)来算出值d(x)(步骤s105：工序(b1))。
[0104]
d(x)＝k2b
x
‑2‑
k1b
x
‑1 b
x
‑
k1b
x 1
k2b
x 2
…
(2)
[0105]
另外，在步骤s105中，为了求出系数k1至系数k2，也可取代式(5)而使用式(4)，还可使用式(6)。或者，例如也可使用通过实验而求出的式(4)～(6)以外的关系式，来求出系数k1至系数k2。
[0106]
接下来，系数计算处理部53对传感器编号x与q
‑
2进行比较(步骤s106)。若传感器编号x不等于q
‑
2(步骤s106中为否)，则系数计算处理部53将传感器编号x加1(步骤s107)，再次重复步骤s105、s106。
[0107]
另一方面，若传感器编号x等于q
‑
2(步骤s106中为是)，则由于已对值d(3)～d(q
‑
2)计算完毕，因此系数计算处理部53将处理移转至步骤s108。
[0108]
步骤s108中，系数计算处理部53探索值d(3)～d(q
‑
2)中的、相邻的传感器mn以及传感器m(n
‑
1)的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)，算出所述达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方作为max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2](步骤s108：工序(b2))。n为4～(q
‑
2)的整数。
[0109]
根据步骤s108，将会找出相邻的传感器m相互间的检测值b之差为最大的传感器mn与传感器m(n
‑
1)。
[0110]
接下来，系数计算处理部53探索值d(3)～d(q
‑
2)中的、相邻的传感器mm以及传感器m(m
‑
1)的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)，算出所述达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方作为min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2](步骤s109：工序(b3))。m为4～(q
‑
2)的整数。
[0111]
根据步骤s109，将会找出相邻的传感器m相互间的检测值b之差为最小的传感器mm与传感器m(m
‑
1)。
[0112]
接下来，系数计算处理部53基于下述的式(3)来算出评估值u(k1)(步骤s110：工序(b4))。
[0113]
u(k1)＝max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]
‑
min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]
…
(3)
[0114]
评估值u(k1)是在步骤s103或s112中设定的系数k1时，关于相邻的传感器m相互间的检测值b之差为最大的传感器mn与传感器m(n
‑
1)而将各自的检测值b以式(1)进行修正所得的值之差的平方即max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]、与关于相邻的传感器m相互间的检测值b之差为最小的传感器mm与传感器m(m
‑
1)而将各自的检测值b以式(1)进行修正所得的值之差的
平方即min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]之差。
[0115]
换言之，评估值u(k1)表示相对于对磁传感器阵列2施加的不均匀的磁场，在暂时的系数k1时，在邻接的传感器m间检测值b的修正值之差达到最大的所述修正值之差、与在邻接的传感器m间检测值b的修正值之差达到最小的所述修正值之差的差。
[0116]
即，评估值u(k1)越大，则表示在所述系数k1时所得的修正值可获得在相对于位置的变化大的部分与相对于位置的变化小的部分差变得越大的值。
[0117]
对于评估值u(k1)而言，系数k1将传感器m对邻接的其他传感器m造成的影响表示得越正确，则对磁传感器阵列2施加的磁场的不均匀性越正确地体现在评估值u(k1)中，结果，评估值u(k1)成为越大的值。另一方面，系数k1与传感器m对邻接的其他传感器m造成的影响越背离，则对磁传感器阵列2施加的磁场的不均匀性越是扩散，从而评估值u(k1)成为越小的值。
[0118]
因而，步骤s103～s123所记载的处理是：一边使系数k1发生变化，一边算出评估值u(k1)，并获取得到最大的评估值u(k1)时的系数k1来作为最准确地表示了传感器m对邻接的其他传感器m造成的影响的系数k1即正确的系数k1。
[0119]
接下来，系数计算处理部53对系数k1与0.99进行比较。若系数k1与0.99不相等(步骤s111中为否)，则系数计算处理部53将系数k1加0.01并再次重复步骤s104～s111。另一方面，若系数k1与0.99相等(步骤s111中为是)，则由于已对多个评估值u(0.51)、u(0.52)、u(0.53)、
…
、u(0.99)计算完毕，因此移转至步骤s121。
[0120]
另外，步骤s112只要可对多个系数k1设定互不相同的值即可，未必需要设为逐个相差0.01的值。在步骤s112中加上的值即相差的值越小，则求出系数k1的精度越提高，另一方面，运算处理量越增大。因而，在步骤s112中加上的值只要斟酌精度与处理量来适当设定即可。
[0121]
步骤s121中，系数计算处理部53从评估值u(0.51)～u(0.99)中探索最大的评估值u(k1)(步骤s121)。接下来，系数计算处理部53获取与最大的评估值u(k1)对应的系数k1来作为修正处理用的系数k1(步骤s122)。例如，若评估值u(0.77)为最大，则可推定0.77为正确的系数k1，因此系数计算处理部53设修正处理用的系数k1＝0.77。所述系数k1被用在所述的步骤s4中。
[0122]
接下来，系数计算处理部53使用与在步骤s105中所用的关系式相同的关系式例如式(5)，根据与最大的评估值u(k1)对应的系数k1来算出修正处理用的系数k2(步骤s123)。例如，在系数k1＝0.77的情况下，若将系数k1＝0.77代入式(5)，则系数k2＝0.27。
[0123]
以上，通过步骤s101～s123的处理，能够算出系数k1、k2。
[0124]
另外，系数k1、k2未必限于通过所述的系数计算方法而算出的示例。由于系数k1、k2是表示其他传感器对关注传感器造成的影响的值，因此例如也可通过实验，测定出关注传感器独自而未受到其他传感器影响的状态下的检测值a，并仅通过关注传感器与第一传感器来测定出未受到第二传感器影响的状态下的关注传感器的检测值b以及第一传感器的检测值c，进而，以与实际使用的结构相同的方式，测定出通过关注传感器、第一传感器以及第二传感器而检测出的检测值d、e、f，基于检测值a～f来求出系数k1、k2。
[0125]
即，也可将检测值d作为检测值b
n
，将检测值e作为检测值b
n 1
、b
n
‑1，将检测值f作为检测值b
n 2
、b
n
‑2而代入式(1)，以获得与检测值a大致相等的修正值c
n
的方式来求出系数k1、
k2。
[0126]
为了像这样在不受其他传感器影响的状态下进行测定，例如只要利用对应于每个传感器而分离的非晶丝来构成图1所示的传感器m1～m10，使用像这样经分离的传感器来进行所述的实验性的测定即可。在后述的图9所示的传感器e1～e10的情况下，只要对应于每个传感器来分离闪烁体(scintillator)sc，仅配置必要的传感器来进行所述的实验性的测定即可。在后述的图10所示的传感器f1～fq的情况下，只要仅将必要的传感器配置在流体内来进行所述的实验性的测定即可。
[0127]
但是，系数k1、k2会受到各传感器间的距离、各传感器的特性偏差等的影响。因此，由于实际用于测定的传感器的装配精度造成的距离变化或传感器特性的偏差，当在像上述那样使各传感器分散的状态下通过实验性的测定来获得系数k1、k2时，系数的精度有可能下降。
[0128]
另一方面，根据所述的系数计算方法，能够在用于实际测定的传感器已装配好的状态下算出系数k1、k2，因此容易提高系数k1、k2的精度。因而，更优选的是，使用系数计算方法来算出系数k1、k2。
[0129]
图9所示的x射线测定装置1a与图1所示的磁测定装置1的不同之处在于，取代传感器m1～m10而包括传感器e1～e10。x射线测定装置1a在其他方面与磁测定装置1同样地构成，因此省略其说明，以下对x射线测定装置1a的特征点进行说明。
[0130]
x射线测定装置1a包括：多个光电二极管pd，排列成一列；作为荧光板的闪烁体sc，通过x射线而发光。多个光电二极管pd是相对于闪烁体sc而相向配置。并且，由各光电二极管pd和闪烁体sc的与各光电二极管pd相向的部分构成传感器e1～e10。由像这样排列成一列的传感器e1～e10构成x射线传感器阵列2a。
[0131]
当作为测定对象的x射线照射到闪烁体sc时，闪烁体sc以与所述x射线强度相应的发光量而发光。闪烁体sc的发光由配置在与所述发光位置对应的位置处的光电二极管pd予以检测，从所述光电二极管pd输出与所述发光量相应的电压。
[0132]
例如当图9所示的x射线100照射到传感器e5的闪烁体sc而闪烁体sc发光时，所述光不仅被传感器e5的光电二极管pd检测到，还有可能被其周边的传感器e4、e6等检测到。即，传感器e1～e10相当于在检测x射线(物理量)时，对传感器e1～e10周边的其他传感器的检测值b造成影响的传感器的一例。
[0133]
各电压测定部4测定传感器e1～e10中的各光电二极管pd的输出电压，并将表示所述测定结果的信号作为传感器e1～e10的检测值b1～b
10
而发送至运算处理部5。
[0134]
运算处理部5基于传感器e1～e10的检测值b1～b
10
而与图1所示的运算处理部5同样地运行。具体而言，除了在步骤s101中对传感器e1～e10照射不均匀的x射线以外，执行与所述同样的系数计算方法。而且，执行除了步骤s1以外的检测值修正方法。由此，容易对各传感器e1～e10的检测值b1～b
10
进行修正。
[0135]
图10是概念性地表示可适用本发明的一实施方式的检测值修正方法的传感器的结构的一例的说明图。图10所示的q个传感器f1～fq是对流体的流量或流速进行测定的流量传感器。传感器f1～fq例如也可为作为电磁式流量计、卡门涡旋式流量计、叶轮式流量计、浮子式流量计、热式流量计、膜片式流量计、超声波式流量计、科氏流量计等已知的各种流量计。
[0136]
图10所示的示例中，在河流r中，以列沿着相对于作为流体的河流的水的流动方向而交叉的方向延伸的方式，将传感器f1～fq配置成一列。以下，将传感器f1～fq总称作传感器f。
[0137]
在河流r的河岸，运算处理部5被收容并设置在例如省略图示的框体中。传感器f1～fq对各传感器的设置位置的流量或流速进行测定，使用省略图示的有线或无线通信电路将其检测值b1～b
10
发送至运算处理部5。
[0138]
运算处理部5基于传感器f1～fq的检测值b1～b
q
而与图1所示的运算处理部5同样地运行。具体而言，除了在步骤s101中使不均匀的水量流经传感器f1～fq以外，执行与所述同样的系数计算方法。而且，执行了除了步骤s1以外的检测值修正方法。由此，容易对各传感器f1～fq的检测值b1～b
q
进行修正。由传感器f1～fq以及运算处理部5构成作为检测值修正系统的一例的流量测定系统1b。
[0139]
当河流r的流动碰到传感器f1～fq时，如图10中的箭头所示，其流动被扰乱。河流流动的扰乱对由邻接的传感器f所测定的流动也会造成影响。即，传感器f1～fq在检测流体的流量或流速(物理量)时，会对各传感器f周边的其他传感器f的检测值b造成影响。运算处理部5能够容易地修正此种传感器f的检测值b。
[0140]
另外，表示了基于式(1)来对作为关注传感器的传感器mn的检测值进行修正的示例，但未必限于使用式(1)的示例。
[0141]
而且，修正处理只要根据所要求的修正精度，基于第一以及第二传感器的检测值与第一以及第二系数来修正关注传感器的检测值即可，例如也可进一步考虑第一以及第二传感器的检测值、第一以及第二系数以外的参数来进行修正。
[0142]
修正处理只要至少基于第一传感器的检测值来进行修正即可，既可根据所要求的修正精度而仅基于例如第一传感器的检测值来进行修正，也可仅基于第一传感器的检测值与第一系数来进行修正，也可仅基于第一以及第二传感器的检测值与第一系数来进行修正，还可仅基于第一以及第二传感器的检测值与第二系数来进行修正。
[0143]
而且，表示了在关注传感器的两侧设有两个第一传感器，且进而在其外侧两侧设有两个第二传感器的示例，但也可为第一以及第二传感器在关注传感器的单侧各设有一个的结构。即便是第一以及第二传感器在关注传感器的单侧各设有一个的结构，也可获得一定程度的修正效果。
[0144]
即，本发明的一例的检测值修正系统对配置成一列的、检测物理量的多个传感器的检测值进行修正，所述检测值修正系统包括：修正处理部，执行修正处理，所述修正处理是对于所述多个传感器中的、成为修正对象的传感器的关注传感器的检测值，至少基于与所述关注传感器邻接的第一传感器的检测值来进行修正。
[0145]
而且，本发明的一例的检测值修正方法对配置成一列的、检测物理量的多个传感器的检测值进行修正，其中，执行修正处理，所述修正处理是对于所述多个传感器中的、成为修正对象的传感器的关注传感器的检测值，至少基于与所述关注传感器邻接的第一传感器的检测值来进行修正。
[0146]
根据此结构，在多个传感器配置成一列的情况下，成为修正对象的传感器的关注传感器的检测值是基于与所述关注传感器邻接的第一传感器的检测值而得到修正，因此能够进行修正，以降低第一传感器对关注传感器造成的影响。因而，容易对配置成一列的各传
感器的检测值进行修正。
[0147]
而且，优选的是，所述修正处理进而基于第一系数来修正所述关注传感器的检测值，所述第一系数表示所述第一传感器对所述关注传感器造成的影响。
[0148]
根据此结构，基于第一传感器的检测值与表示第一传感器对关注传感器造成的影响的第一系数来对关注传感器的检测值进行修正，因此容易提高修正精度。
[0149]
而且，优选的是，所述修正处理进而基于第二传感器的检测值来修正所述关注传感器的检测值，所述第二传感器相对于所述第一传感器而在反向与所述关注传感器邻接。
[0150]
根据此结构，能够对关注传感器的检测值进行修正，以使得不仅降低第一传感器对关注传感器造成的影响，还降低第二传感器对关注传感器造成的影响。
[0151]
而且，理想的是，所述修正处理进而基于第二系数来修正所述关注传感器的检测值，所述第二系数表示所述第二传感器对所述关注传感器造成的影响，且所述第二系数小于所述第一系数。
[0152]
根据此结构，进而考虑到表示第二传感器对关注传感器造成的影响的第二系数来修正关注传感器的检测值，因此容易提高修正精度。
[0153]
而且，优选的是，当所述关注传感器的检测值为b
n
，与所述关注传感器的其中一侧邻接的第一传感器的检测值为b
n 1
，与所述关注传感器的另一侧邻接的第一传感器的检测值为b
n
‑1，相对于与所述关注传感器的其中一侧邻接的第一传感器而在反向与所述关注传感器邻接的第二传感器的检测值为b
n 2
，相对于与所述关注传感器的另一侧邻接的第一传感器而在反向与所述关注传感器邻接的第二传感器的检测值为b
n
‑2，所述第一系数为k1，且所述第二系数为k2时，所述修正处理是基于下述的式(1)来计算所述关注传感器的检测值的修正值c
n
的处理。
[0154]
c
n
＝k2b
n
‑2‑
k1b
n
‑1 b
n
‑
k1b
n 1
k2b
n 2
…
(1)
[0155]
根据此结构，通过使用式(1)的数值运算，能够修正关注传感器的检测值。
[0156]
而且，优选的是，还包括系数计算处理部，所述系数计算处理部执行下述工序：(a)在对所述配置成一列的多个传感器赋予有所述物理量的状态下，获取所述各传感器的检测值；(b)暂时对多个所述第一系数k1赋予互不相同的值，与被赋予有所述暂时的值的所述第一系数k1分别对应地，(b1)对所述多个传感器标注连续编号而设为传感器1～q，在传感器1～q中的任意的第x个传感器x的检测值为b
x
，与所述传感器x的其中一侧邻接的第x 1个传感器(x 1)的检测值为b
x 1
，与所述传感器x的另一侧邻接的第x
‑
1个传感器(x
‑
1)的检测值为b
x
‑1，相对于所述传感器(x 1)而在反向与所述传感器x邻接的第x 2个传感器(x 2)的检测值为b
x 2
，相对于所述传感器(x
‑
1)而在反向与所述传感器x邻接的第x
‑
2个传感器(x
‑
2)的检测值为b
x
‑2，所述第二系数为k2，且x为3～(q
‑
2)的情况，基于下述的式(2)来算出值d
x
，(b2)关于在所述(b1)工序中算出的值d(3)～d(q
‑
2)中的、作为4～(q
‑
2)的整数的n，探索相邻的传感器n以及传感器(n
‑
1)的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)，算出所述达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方为max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]，(b3)关于在所述(b1)工序中算出的值d(3)～d(q
‑
2)中的、作为4～(q
‑
2)的整数的m，探索相邻的传感器m以及传感器(m
‑
1)的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)，算出所述达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方为min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]，(b4)基于下述的式(3)，来算出与多个所述第一系数k1的值对应的多个评估值u(k1)；以及
(c)探索所述多个评估值u(k1)中的最大的评估值u(k1)，确定与所述最大的评估值u(k1)对应的第一系数k1和根据所述第一系数k1而获得的第二系数k2，来作为用于在所述修正处理中使用的所述第一系数以及所述第二系数。
[0157]
d(x)＝k2b
x
‑2‑
k1b
x
‑1 b
x
‑
k1b
x 1
k2b
x 2
…
(2)
[0158]
u(k1)＝max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]
‑
min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]
…
(3)
[0159]
根据此结构，能够算出适合于所述修正处理的第一系数k1与第二系数k2。
[0160]
而且，优选的是，所述第二系数k2是基于下述的式(4)而获得。
[0161]
k2＝k
12
…
(4)
[0162]
根据此结构，能够获得适合于下述情况的第二系数k2，即，随着远离关注传感器，所述远离的传感器对关注传感器造成的影响急遽变小。
[0163]
而且，所述第二系数k2也可基于下述的式(5)而获得。
[0164]
k2＝k1‑
1/2
…
(5)
[0165]
第一系数k1与第二系数k2表示传感器间的影响，所谓影响，不外乎是能量的交换。根据此结构，可获得适合于下述情况的第二系数k2，即，在关注传感器、第一传感器以及第二传感器相互间进行能量的交换，且这些传感器整体的能量为固定。
[0166]
而且，所述第二系数k2也可基于下述的式(6)而获得。
[0167]
k2＝k1/4
…
(6)
[0168]
根据此结构，可获得适合于下述情况的第二系数k2，即，与从关注传感器计起的距离的平方成反比而影响变小。
[0169]
而且，优选的是，所述第一系数k1大于0.5且小于1。
[0170]
根据此结构，容易将第一系数k1设为适当的值。
[0171]
而且，也可为，所述各传感器在检测所述物理量时，对所述各传感器周边的其他传感器的检测值造成影响。
[0172]
根据所述修正处理，容易对此种传感器的检测值进行修正。
[0173]
而且，也可为，所述物理量为磁场，所述各传感器为mi传感器。
[0174]
根据所述修正处理，容易对此种mi传感器的检测值进行修正。
[0175]
而且，也可为，所述物理量为x射线，所述各传感器是包括荧光板和光传感器的x射线传感器，所述荧光板通过所述x射线而发光，所述光传感器检测所述荧光板的发光。
[0176]
根据所述修正处理，容易对此种x射线传感器的检测值进行修正。
[0177]
而且，也可为，所述物理量为流体的流量或流速，所述各传感器以所述列沿着相对于所述流体的流动方向而交叉的方向延伸的方式来配置。
[0178]
根据所述修正处理，容易对此种传感器的检测值进行修正。
[0179]
而且，优选的是还包括所述多个传感器。
[0180]
根据此结构，所述检测值修正系统能够进行所述物理量的检测与修正。
[0181]
而且，本发明的一例的系数计算方法对于配置成一列的、检测物理量的多个传感器中的一个，算出第一系数k1与第二系数k2，所述第一系数k1表示与所述传感器邻接的第一传感器对所述传感器造成的影响，所述第二系数k2表示相对于所述第一传感器而在反向与所述一个传感器邻接的第二传感器对所述传感器造成的影响，所述系数计算方法包括下述步骤：(a)在对所述配置成一列的多个传感器不均匀地赋予有所述物理量的状态下，获取所
述各传感器的检测值；(b)暂时对多个所述第一系数k1赋予互不相同的值，与被赋予有所述暂时的值的所述第一系数k1分别对应地，(b1)对所述多个传感器标注连续编号而设为传感器1～q，在传感器1～q中的任意的第x个传感器x的检测值为b
x
，与所述传感器x的其中一侧邻接的第x 1个传感器(x 1)的检测值为b
x 1
，与所述传感器x的另一侧邻接的第x
‑
1个传感器(x
‑
1)的检测值为b
x
‑1，相对于所述传感器(x 1)而在反向与所述传感器x邻接的第x 2个传感器(x 2)的检测值为b
x 2
，相对于所述传感器(x
‑
1)而在反向与所述传感器x邻接的第x
‑
2个传感器(x
‑
2)的检测值为b
x
‑2，所述第二系数为k2，且x为3～(q
‑
2)的情况，基于下述的式(2)来算出值d
x
，(b2)关于在所述(b1)工序中算出的值d(3)～d(q
‑
2)中的、作为4～(q
‑
2)的整数的n，探索相邻的传感器n以及传感器(n
‑
1)的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)，算出所述达到最大的值d(n)以及值d(n
‑
1)之差的平方为max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]，(b3)关于在所述(b1)工序中算出的值d(3)～d(q
‑
2)中的、作为4～(q
‑
2)的整数的m，探索相邻的传感器m以及传感器(m
‑
1)的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)，算出所述达到最小的值d(m)以及值d(m
‑
1)之差的平方为min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]，(b4)基于下述的式(3)，来算出与多个所述系数k1的值对应的多个评估值u(k1)；以及(c)探索所述多个评估值u(k1)中的最大的评估值u(k1)，确定与所述最大的评估值u(k1)对应的第一系数k1和根据所述第一系数k1而获得的第二系数k2，来作为用于在所述修正处理中使用的所述第一系数以及所述第二系数。
[0182]
d(x)＝k2b
x
‑2‑
k1b
x
‑1 b
x
‑
k1b
x 1
k2b
x 2
…
(2)
[0183]
u(k1)＝max[{d(n)
‑
d(n
‑
1)}2]
‑
min[{d(m)
‑
d(m
‑
1)}2]
…
(3)
[0184]
根据此结构，能够算出适合于所述修正处理的第一系数k1和第二系数k2。
[0185]
而且，在所述的检测值修正方法中，优选的是，所述修正处理进而基于相对于所述第一传感器而在反向与所述关注传感器邻接的第二传感器的检测值和表示所述第二传感器对所述关注传感器造成的影响的第二系数，当所述关注传感器的检测值为b
n
，与所述关注传感器的其中一侧邻接的第一传感器的检测值为b
n 1
，与所述关注传感器的另一侧邻接的第一传感器的检测值为b
n
‑1，相对于与所述关注传感器的其中一侧邻接的第一传感器而在反向与所述关注传感器邻接的第二传感器的检测值为b
n 2
，相对于与所述关注传感器的另一侧邻接的第一传感器而在反向与所述关注传感器邻接的第二传感器的检测值为b
n
‑2，所述第一系数为k1，所述第二系数为k2时，基于下述的式(1)来算出所述关注传感器的检测值的修正值c
n
。
[0186]
c
n
＝k2b
n
‑2‑
k1b
n
‑1 b
n
‑
k1b
n 1
k2b
n 2
…
(1)
[0187]
根据此结构，能够通过使用式(1)的数值运算来修正关注传感器的检测值。
[0188]
此种检测值修正系统以及检测值修正方法即使在多个传感器配置成一列的情况下，也容易修正各传感器的检测值。而且，此种系数计算方法能够算出适合于所述检测值修正系统以及检测值修正方法中的修正处理的系数。
[0189]
本技术是以2019年3月13日提出申请的日本专利申请特愿2019
‑
045780为基础，其内容包含在本技术中。另外，在具体实施方式一项中所作的具体的实施方式或实施例不过是为了明确本发明的技术内容，本发明不应仅受此种具体例限定而狭义地解释。
[0190]
符号的说明
[0191]
1：磁测定装置(检测值修正系统)
[0192]
1a：x射线测定装置(检测值修正系统)
[0193]
1b：流量测定系统(检测值修正系统)
[0194]
2：磁传感器阵列
[0195]
2a：x射线传感器阵列
[0196]
3：电源
[0197]
4：电压测定部
[0198]
5：运算处理部
[0199]
21：非晶丝
[0200]
51：检测处理部
[0201]
52：修正处理部
[0202]
53：系数计算处理部
[0203]
a、b、b1～b
10
、b
n
、b
q
：检测值
[0204]
c1～c
10
、c
n
：修正值
[0205]
e1～e10、f、f1～fq、m、m1～m10：传感器
[0206]
l：线圈
[0207]
pd：光电二极管
[0208]
r：河流
[0209]
sc：闪烁体
[0210]
u：评估值
[0211]
x：传感器编号
[0212]
d：间隔
[0213]
k1：系数(第一系数)
[0214]
k2：系数(第二系数)