一种兼容MEMS工艺的背部悬膜气体传感器制备方法与流程

技术特征：
1.一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选取经过双面热氧化和氮化处理的硅片；2)在硅片正面sio2‑
si3n4双层复合薄膜上，采用pecvd方法制备sio2和si3n4，并进行退火；3)在退火得到的硅片正面采用光刻工艺处理，得到敏感材料图形；4)在步骤3)得到的硅片表面溅射敏感材料；5)采用剥离工艺剥离敏感材料，并进行退火处理；6)在经退火得到的硅片正面采用光刻工艺处理，得到加热丝及引线盘、测试电极及引线盘图形；7)将步骤6)得到的硅片正面进行电子束蒸镀cr粘接层，然后在cr粘接层上蒸镀au层；8)采用剥离工艺剥离cr粘接层和au层，并进行热处理；9)将经热处理得到的硅片表面匀涂epg535光刻胶，并烘干；10)在步骤1)处理后的硅片背面匀涂az4620光刻胶，并烘干；11)将步骤10)得到的硅片表面进行曝光、显影、烘干；12)将经曝光、显影、烘干后得到的硅片表面进行氧等离子体轰击；13)将步骤12)得到的硅片表面通过干法刻蚀去掉si3n4层，然后通过boe标准溶液去除sio2层；14)通过干法刻蚀去掉si，得到背面绝热槽，去胶划片即完成背部悬膜气体传感器的制备。2.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，经过双面热氧化制备的sio2层为400nm
‑
600nm，经过双面氮化制备的si3n4层为100nm
‑
200nm。3.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，sio2层为400nm
‑
600nm，si3n4层为100nm
‑
200nm。4.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤10)中，在匀胶机的转速为500r/min
‑
600r/min下匀涂az4620光刻胶6s
‑
10s；然后在转速为1000r/min
‑
1500r/min下匀涂az4620光刻胶50s
‑
60s，在90℃
‑
95℃温度下烘干3min
‑
5min。5.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤11)中，曝光时间为35s
‑
40s，使用5％
‑
10
‰
naoh溶液显影30
‑
50s，在130℃
‑
150℃温度下烘干30min
‑
60min。6.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤12)中，氧等离子体轰击功率为200w
‑
300w，轰击时间为30s
‑
40s。7.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤13)中，使用反应等离子体刻蚀工艺刻蚀si3n4层，刻蚀气体为sf6，刻蚀功率为120w
‑
160w，刻蚀时间为140s
‑
160s。8.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤13)中，所述标准boe溶液为49％hf水溶液和40％nh4f水溶液按照质量比为1:6的比例配制，将去掉si3n4层的硅片浸泡其中50s
‑
120s。
9.根据权利要求1所述的一种兼容mems工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，其特征在于，所述步骤14)中，使用反应耦合等离子体工艺刻蚀si，刻蚀功率为2kw
‑
2.5kw，刻蚀时间为1.2h
‑
2h。