量子处理系统的制作方法

技术特征：
1.一种量子处理系统，包括：定位在硅晶体衬底中的多个施主原子，每个施主原子定位在施主位点处；多个导电控制电极，所述多个导电控制电极布置在所述施主原子周围，以将所述施主原子作为量子比特操作；其中，所述多个施主原子中的至少两对最近的相邻施主原子沿着所述硅晶体衬底的[110]方向布置，并且被配置为作为量子比特操作。2.根据权利要求1所述的量子处理系统，其中，每对最近的相邻施主原子具有交换耦合值，并且其中，施主原子对之间的所述交换耦合值的最大变化小于预定因子。3.根据权利要求2所述的量子计算装置，其中，所述预定因子为10。4.根据权利要求1至3中任一项所述的量子处理系统，其中，所述硅晶体衬底包括沿着所述[110]方向布置的多个施主位点，每个位点包括多个位置，并且其中，第一施主原子位于第一施主位点处的所述多个位置中的第一位置处，并且第二施主原子位于第二施主位点处的所述多个位置中的第二位置处，并且其中，所述第一位置不同于所述第二位置。5.根据权利要求4所述的量子处理系统，其中，所述施主位点包括六个位置。6.根据权利要求1至5中任一项所述的量子处理系统，其中，一对施主原子中的施主原子之间的距离至少为10nm。7.根据权利要求1至6中任一项所述的量子处理系统，其中，一对施主原子中的施主原子之间的距离在10nm与25nm之间。8.根据权利要求4所述的量子处理系统，其中，当所述第一施主原子位于所述第一施主位点处的所述多个位置中的任何位置处并且所述第二施主原子位于所述第二施主位点处的所述多个位置中的任何位置处时，对所述交换耦合j提供二维保护以防止谷干涉。9.根据权利要求1至8中任一项所述的量子处理系统，还包括多个控制栅极，所述多个控制栅极布置在所述施主原子周围以创建失谐场，以将至少90％的所述施主原子对之间的所述交换耦合值增大到特定交换耦合值。10.一种量子处理系统，包括：定位在硅晶体衬底中的施主位点处的多个施主原子；多个导电控制电极，所述多个导电控制电极布置在所述施主原子周围，以将所述施主原子作为量子比特操作；其中，至少一对最近的相邻施主原子沿着所述硅晶体衬底的[110]方向布置在多个可能的彼此不等效施主
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施主位置中的一个位置中，其中，每个不等效施主
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施主位置与归一化交换耦合值相关联，并且所述归一化交换耦合值关于所有所述多个可能的不等效施主
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施主位置的变化小于预定因子。11.根据权利要求10所述的量子处理系统，其中，所述多个不等效施主
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施主位置包括10个位置。12.根据权利要求10或权利要求11中任一项所述的量子处理系统，其中，当所述至少一对最近的相邻施主原子布置在所述多个可能的不等效施主
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施主位置中的任一个中时，对所述交换耦合j提供二维保护以防止谷干涉。13.根据权利要求10至12中任一项所述的量子处理系统，其中，所述预定因子为10。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的量子处理系统，其中，一对施主原子中的施主原子之间的距离至少为10nm。15.根据权利要求10至14中任一项所述的量子处理系统，其中，一对施主原子中的施主原子之间的距离在10nm与25nm之间。16.根据权利要求10至15中任一项所述的量子处理系统，还包括多个控制栅极，所述多个控制栅极布置在所述多个施主原子周围以创建失谐场，以将至少90％的所述施主原子对之间的所述交换耦合值增大到特定交换耦合值。17.一种量子处理系统，包括：多个量子比特，所述多个量子比特是通过在硅晶体衬底中沿着[110]方向定位施主原子以使得施主原子对之间的交换耦合的量值差小于预定因子而创建的；以及多个控制栅极，所述多个控制栅极布置在所述施主原子周围以创建失谐场，以将至少90％的所述施主原子对之间的所述交换耦合值增大到特定交换耦合值。18.根据权利要求17所述的量子处理系统，其中，所述多个控制栅极中的一对控制栅极被布置为控制一对量子比特以创建失谐电场。19.根据权利要求17或权利要求18中任一项所述的量子处理系统，其中，所述一对量子比特相距至少10nm。20.根据权利要求17至19中任一项所述的量子处理系统，其中，所述预定因子为10。21.根据权利要求17至20中任一项所述的量子处理系统，还包括多个导电控制电极，所述多个导电控制电极布置在所述施主原子周围，以将所述施主原子作为量子比特操作。22.一种用于量子处理系统中的结构，所述结构包括：硅晶体衬底，所述硅晶体衬底包括沿着所述硅晶体衬底的[110]方向布置的多个施主原子位点，每个施主原子位点包括用于定位施主原子的多个可能位置；多个施主原子，每个施主原子在所述多个可能位置中的任一个中定位在所述多个施主原子位点的对应施主原子位点中；其中，在所述[110]方向中彼此最近的施主原子彼此相互作用，并且每对最近的相邻施主原子具有交换耦合值，并且其中，多对最近的相邻施主原子之间的所述交换耦合值的最大变化小于预定因子。