一种半导体耐高温压力温度传感器芯片及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种半导体耐高温压力温度传感器芯片，其特征在于：包括有压力传感器芯片和铂电阻，所述铂电阻由多条薄膜电阻条组成，铂电阻与压力传感器芯片的硅衬板之间设有sno2过渡层；铂电阻、sno2过渡层和所述压力传感器芯片为一体化结构。

2.根据权利要求1所述的一种半导体耐高温压力温度传感器芯片，其特征在于：所述压力传感器芯片包括有硅衬板和电极，硅衬板的正面安装有所述的电机，硅衬板的背面设有杯型的空腔。

3.一种半导体耐高温压力温度传感器芯片的制备方法，用于制备如权利要求1和2所述的半导体耐高温压力温度传感器芯片的制备方法其特征在于，包括有以下步骤：

第一步：在硅片的正面使用光刻技术注入四根电极，再在硅片的背面刻蚀出杯型空腔，制得薄片；

第二步：在薄片的正面施加光刻胶并空出计划制作铂电阻的区域；

第三步：在制作铂电阻的区域真空喷溅一层sn，喷溅时间8~12分钟后加热至450~500℃，在有氧情况下自然冷却至120±5℃，生成sno2过渡层；

第四步：在sno2过渡层上真空喷溅一层pt层，采用激光刻线方法在pt层上刻出预设的电阻值。

4.根据权利要求3所述的一种半导体耐高温压力温度传感器芯片的制备方法，其特征在于：还包括有测试步骤：将步骤四制得的产品硅片加热到150摄氏度后立即快速放置到0摄氏度的环境，进行温度冲击，分析观察有没有薄膜脱落现象，记录0摄氏度下测量电阻值，筛选出符合条件的产品。

5.根据权利要求4述的一种半导体耐高温压力温度传感器芯片的制备方法，其特征在于：还包括有封装引线测试步骤。

技术总结
本发明公开了一种半导体耐高温压力温度传感器芯片，其采用了半导体工艺制作的Pt热敏电阻作为补偿电阻，实现宽范围内的温度补偿，实现在更加高温度要求的场合的使用，同时，制备方法可解决Pt薄膜与Si02直接黏贴的效果不好及容易掉落的问题。同时，本发明整个制备方法操作简单，能够大量生产。

技术研发人员：汪民;许玉方;李朗
受保护的技术使用者：广州德芯半导体科技有限公司
技术研发日：2020.11.19
技术公布日：2021.03.16