一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法与流程

技术总结
本发明涉及一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，(1)选用SOI材料(绝缘衬底上的硅)作为衬底材料；(2)制备出器件层；(3)形成图形化的金属层1#(04)；(4)采用深硅刻蚀(DRIE)工艺对顶层硅(03)进行刻蚀，得到最终的所需器件层图形；(5)得到中间氧化层(02)的结构图形；(6)得到释放后的器件层结构；(7)对一块新的硅片进行光刻，制备出所需光刻图形的阴影掩膜，再采用键合工艺，将阴影掩膜与器件层顶层键合，再次通过电子束蒸发工艺对器件层上表面未被阴影掩膜遮挡的区域进行金属化，形成所需要的金属层2#(05)；(8)再利用解键合工艺去除了阴影掩膜，获得硅微悬臂梁谐振器，可以达到低成本、高合格率的大批量生产的要求。高合格率的大批量生产的要求。高合格率的大批量生产的要求。


技术研发人员：屈怀泊 谢强 钟立志
受保护的技术使用者：北京微电子技术研究所
技术研发日：2020.10.20
技术公布日：2021/3/1