一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法与流程

技术特征：
1.一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，其特征在于步骤如下：(1)选用soi材料作为衬底材料；从上到下依次包括：底层硅(01)、中间氧化层(02)和顶层硅(03)；(2)在顶层硅(03)的上表面经过磷硅玻璃淀积与掺杂工艺得到磷硅玻璃层、再经过氩气氛围退火之后，利用湿法工艺去除该磷硅玻璃层，便制备出了器件层；(3)按照光刻图形要求，利用第一光刻版，记为padmetal光刻版，对器件层进行光刻，露出待加工区域，通过电子束蒸发工艺对器件层整个上表面进行金属化，形成金属层，按照光刻图形要求，通过剥离工艺对该金属层进行剥离，保留下所需要的金属层，形成图形化的金属层1#(04)；(4)根据光刻图形要求，利用第二光刻版，记为soi光刻版，对步骤(3)剥离后露出的器件层进行光刻，露出待刻蚀的顶层硅(03)区域，采用深硅刻蚀工艺对顶层硅(03)进行刻蚀，得到最终的所需器件层图形；(5)利用光刻胶在对器件层正面即上表面保护的情况下，根据光刻图形要求，利用第三光刻版，记为trench光刻版，对底层硅(01)从其下表面进行光刻，通过反应离子刻蚀工艺、深硅刻蚀工艺，将底层硅(01)刻蚀露出中间氧化层(02)的待刻蚀区域，同时得到底层硅(01)的结构图形；再经过湿法腐蚀工艺对露出的中间氧化层(02)的待刻蚀区域进行腐蚀，得到中间氧化层(02)的结构图形；(6)利用干法刻蚀工艺去除器件层正面保护，利用氟化氢刻蚀工艺对通过顶层硅(03)刻蚀后裸露出的中间氧化层(02)进行刻蚀，来释放器件层，得到释放后的器件层结构；(7)利用第四光刻版，记为blanketmetal光刻版，通过阴影掩膜工艺，对一块新的硅片进行光刻，制备出所需光刻图形的阴影掩膜，再采用键合工艺，将阴影掩膜与器件层顶层键合，再次通过电子束蒸发工艺对器件层上表面未被阴影掩膜遮挡的区域进行金属化，形成所需要的金属层2#(05)；(8)再利用解键合工艺去除了阴影掩膜，获得硅微悬臂梁谐振器。2.根据权利要求1所述的一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，其特征在于：金属层1#具体要求为：电子束蒸发的金属为铬(cr)和金(au)，厚度分别为和3.根据权利要求1所述的一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，其特征在于：对一块新的硅片进行光刻，制备出所需光刻图形的阴影掩膜，再采用硅-硅键合工艺，将阴影掩膜与器件层顶层键合，用来阻挡部分电子束蒸发的金属。4.根据权利要求1所述的一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，其特征在于：金属层2#具体要求为：电子束蒸发的金属为铬(cr)和金(au)，厚度分别为和5.根据权利要求1所述的一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，其特征在于：soi材料为绝缘衬底上的硅。6.根据权利要求1所述的一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，其特征在于：步骤(3)露出待加工区域为露出顶层硅的上表面。