技术总结
本发明提供一种可提高活动空间内部的真空度,可降低制造成本以及制造装置的引入及维护成本的MEMS器件的制造方法及MEMS器件。所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆11及CAP晶圆12,所述MEMS器件晶圆在Si基板11a上形成有活动元件21,所述CAP晶圆12以形成活动空间13且覆盖所述MEMS器件晶圆11的方式而设置,所述活动元件21以可动的方式收纳于所述活动空间13中。CAP晶圆12为硅制,并具有以与活动空间13连通的方式形成的通气孔23。以将CAP晶圆12与MEMS器件晶圆11接合的状态,在氢气氛围中进行热处理,通过CAP晶圆12的硅的表面迁移来堵塞通气孔23,由此将活动空间13密封。由此将活动空间13密封。由此将活动空间13密封。
技术研发人员:铃木裕辉夫 田中秀治 塚本贵城
受保护的技术使用者:国立大学法人东北大学
技术研发日:2019.05.22
技术公布日:2021/1/30
本发明提供一种可提高活动空间内部的真空度,可降低制造成本以及制造装置的引入及维护成本的MEMS器件的制造方法及MEMS器件。所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆11及CAP晶圆12,所述MEMS器件晶圆在Si基板11a上形成有活动元件21,所述CAP晶圆12以形成活动空间13且覆盖所述MEMS器件晶圆11的方式而设置,所述活动元件21以可动的方式收纳于所述活动空间13中。CAP晶圆12为硅制,并具有以与活动空间13连通的方式形成的通气孔23。以将CAP晶圆12与MEMS器件晶圆11接合的状态,在氢气氛围中进行热处理,通过CAP晶圆12的硅的表面迁移来堵塞通气孔23,由此将活动空间13密封。由此将活动空间13密封。由此将活动空间13密封。
技术研发人员:铃木裕辉夫 田中秀治 塚本贵城
受保护的技术使用者:国立大学法人东北大学
技术研发日:2019.05.22
技术公布日:2021/1/30
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。