本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种器件结构及一种器件封装方法，一种具有该器件结构的滤波器，以及一种具有该滤波器或器件结构的电子设备。
背景技术：
现有的声学器件多为微机电系统(mems,micro-electro-mechanicalsystem)器件，例如包括薄膜体声波谐振器(fbar，filmbulkacousticresonator)。现有的声学器件封装结构利用密封圈将盖层(封装基底)和衬底(器件基底)装配一起，形成内部空腔或封装空间，内部空腔对器件的性能提升和可靠性工作提供帮助。但现有密封圈在工艺波动时会在密封圈材料界面或密封圈内部形成空洞，从而导致密封失效。
现有的声学器件的封装结构100如图1所示。衬底1、盖层4、第一密封圈材料2和第二密封圈材料3包围生成内部空腔6，声学器件5制作在衬底1或盖层4的主表面并位于内部空腔6中。当第一密封圈材料2和第二密封圈材料3之间的黏附性及结合性不佳时，将出现位于第一密封圈材料2和第二密封圈材料3的界面上的空洞7。此外，第一密封圈材料或第二密封圈材料内部也可能有空洞、缺陷等，这些空洞/缺陷在长期使用时会发展变大。上述空洞/缺陷的存在显著降低了密封圈的质量，从而可能造成密封失效。
图2是实际密封效果不良的封装结构截面的扫描电镜照片，可以看出密封圈两种材料界面出现了大量空洞(箭头所示)，并形成贯穿通道，因此密封失效，起不到隔离环境水汽的作用。
另外，由于现有结构中盖层和衬底之间除内部空腔以外的所有空间在封装时被塑封材料所填充或覆盖，因此其散热能力较差。
技术实现要素：
为了解决或者缓解现有技术中的技术问题的至少一个方面，例如提高对于mems器件的封装效果，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种器件结构，包括：
第一基底和第二基底，彼此对置的间隔开布置；
封装层，设置在对置的第一基底与第二基底之间，以限定在第一基底与第二基底之间的封装空间，封装空间具有封装高度；
mems器件，设置于第一基底和/或第二基底，且位于封装空间之内，
其中：
所述封装层包括内密封层和外密封层，所述内密封层的外侧设置有在第一基底和第二基底之间的环形槽，所述环形槽对外侧开口，所述外密封层为金属层，其覆盖所述内密封层的整个外侧，所述环形槽的开口侧在厚度方向上的距离不小于封装高度；且
所述外密封层仅包括位于所述环形槽内的槽内部分，或者所述外密封层包括位于所述环形槽内的槽内部分以及仅仅覆盖第一基底和/或第二基底的侧面的一部分的侧面部分，所述第一基底或第二基底设置有与所述槽内部分电连接的导电部。
本发明的实施例还涉及一种器件结构的制造方法，包括步骤：
提供第一基底和第二基底，两个基底的相对侧设置有封装材料，至少一个基底设置有导电部，第一基底和/或第二基底设置有mems器件；
将第一基底与第二基底对置，对应的封装材料形成内密封层，所述内密封层与第一基底以及第二基底限定封装空间，所述mems器件位于所述封装空间内，所述内密封层的外侧设置有在两个基底之间的环形槽，所述环形槽对外侧开口，所述导电部具有通到所述环形槽的导电路径；和
将所述导电部通电，利用电镀工艺形成外密封层，所述外密封层仅包括位于所述环形槽内的槽内部分，或者所述外密封层包括位于所述环形槽内的槽内部分以及仅仅覆盖第一基底和/或第二基底的侧面的一部分的侧面部分。
本发明的实施例也涉及一种滤波器，包括至少一个上述器件结构。
本发明的实施例还涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者器件结构。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为已知声学器件的封装结构的截面示意图，图1中的右侧为图1中的左侧部分中的圆圈部分的放大示意图；
图2为密封不良产品的密封部分的放大示意图；
图3为根据本发明的一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图4为根据本发明的另一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图5为根据本发明的又一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图6为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图7为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图8为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图9为根据本发明的还一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图10为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图11为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图12为根据本发明的还一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图；
图13为示例性示出根据本发明的一个示例性实施例的封装mems器件的流程图；
图14-23为示例性示出根据本发明的一个示例性实施例的封装mems器件的工艺过程图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照附图3-12示例性说明根据本发明的mems器件的封装结构。
在图3-12中，附图标记示例性说明如下：
1：器件基底，可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等，器件基底可以设置有声学器件，设置有导电通孔11(部分附图中未示出)。
2：第一密封圈材料或第一密封圈，包含至少一层材料，材料不仅限于导电金属(如金，铜，铝等)，还可包含其他非导电材料(树脂，塑料等)。
3：第二密封圈材料或第二密封圈，包含至少一层材料，材料不仅限于导电金属(如金，铜，铝等)，还可包含其他非导电材料(树脂，塑料等)。第一密封圈材料和第二密封圈材料的结合性或覆盖性要良好，两种材料可以相同也可以不同。第一密封圈材料和第二密封圈材料共同形成内密封圈或内密封层。
4：盖层或者封装基底，可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等，其上可制作有声学器件(未画出)，封装基底可以设置有导电通孔(未示出)。
5：声学器件，可选为saw(声表面波)型或baw(体波)型等声学器件，可为谐振器，滤波器，双工器，多工器等，声学器件可以包括体波谐振器或者声表面波谐振器。
6：内部空腔，由衬底1，盖层4，第一密封圈材料2和第二密封圈材料3包围而成，其形成封装空间。
8：外密封圈或外密封层，可由电镀工艺实现，可为单层或多层，外密封圈覆盖住整个内密封圈的外侧。要求致密且与周围材料结合紧密无缝隙，其材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
9：器件基底1或封装基底4的外边缘，在多颗器件同时制作时，划片分离单颗器件时形成。
h1:器件基底1到封装基底4的距离，即内部空腔6的高度，也是第一密封圈和第二密封圈材料的厚度和(第一密封圈和第二密封圈在厚度方向上叠置)。
g：环形槽，在内密封圈的外侧位于器件基底1和封装基底4之间。环形槽g对外侧开口。
h2：环形槽g在外侧开口的距离。
2’：电镀种子层，其材料可选铜，铝，金，银等或其合金。
10：电镀种子层，其材料可选铜，铝，金，银等或其合金。
11：导电通孔，可选材料为金属材料，如钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
12：导电焊盘，其材料可选当前常用的键合材料体系，如铜，铝,金,银等以及这些金属的复合材料或合金材料等。
13：焊球。
14：基板，其材料可选fr-4，ltcc，htcc等，其可包含两层以上的导电层，以及两层导电层之间的介电层等。
15：导电引线，材料可选铜，铝，金，银等或其合金。
16：底胶，为绝缘材料，可以为塑料或环氧树脂等。
17：封装材料，可选陶瓷，塑料，环氧树脂等，或其组合。
18：导线，材料可选铜，铝，金，银等或其合金。
图3为根据本发明的一个示例性实施例的mems器件的封装结构的截面示意图，与图1不同之处在于在图1所示的密封圈外围还电镀有一层外密封圈8，该外密封圈8可为一层或多层。根据电镀时间的控制，外密封圈8的厚度d可在较大范围内变化，即可在衬底1或者盖层4的外边9的内侧或外侧。电镀的外密封圈8的电极需要与器件的某一导电部电连接，图3未示出。
在图3中，环形槽g的开口侧在厚度方向上的距离h2等于封装高度h1。
如图3所示，外密封圈仅包括位于环形槽g内的槽内部分且并未填充满整个环形槽。不过，本发明不限于此，例如外密封圈的位于环形槽内的部分可以填充整个环形槽g，而没有与基底的侧面有接触或者不存在爬壁现象。在本发明中，“外密封圈仅包括位于环形槽g内的槽内部分”包含了外密封圈仅仅位于环形槽内(包括了部分填充和完全填平)的情形，也包含了外密封层存在从环形槽凸出的部分且该部分没有与基底的侧面有接触或者不存在爬壁现象的情形。在本发明中，外密封圈还可以包括位于环形槽g内的槽内部分以及仅仅覆盖(及存在爬壁现象)器件基底和/或封装基底的侧面的一部分的侧面部分，如后面提及的附图12所示。
在图3中，虽然没有示出，器件基底或封装基底设置的导电通孔作为导电部，与外密封圈的所述槽内部分电连接。
图4为根据本发明的另一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图4与图3不同之处在于在其封装基底4做了刻蚀，这样在原有密封圈外部封装基底4与器件基底1之间在厚度方向上的距离h2(即环形槽在外侧开口的距离)加大，如图4所示，h2大于h1。当图3中h1较小时，由于划片工艺可能导致器件基底1与封装基底4之间的间隙被残渣堵塞，造成电镀金属无法正常填充。图4所示的实施例中，将环形槽的外侧开口的距离h2加大，结合后面提到的用刻蚀液去除残渣工艺，有利于防止或减少器件基底1与封装基底4之间的间隙被残渣堵塞。
图5为根据本发明的又一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图5所示的实施例与图4不同之处在于在其器件基底1也做了刻蚀，这样在原有密封圈外部，环形槽在外侧开口的距离h2加大，即h2大于h1。图5所示的实施例中，将环形槽的外侧开口的距离h2进一步加大，结合后面提到的用刻蚀液去除残渣工艺，有利于防止或减少器件基底1与封装基底4之间的间隙被残渣堵塞。
图6为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图6与图5不同之处在于，在图6中，在器件基底1和封装基底4的刻蚀部分为斜面，这样提高了电镀层的覆盖性以及结合面积，有利于提高外密封圈8与器件基底1和封装基底4之间的结合质量。
图7为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图7与图6不同之处在于在其器件基底1和封装基底4的刻蚀部分为多斜面台阶形，这样也可以提高了电镀层的覆盖性以及结合面积，有利于提高外密封圈8与器件基底1和封装基底4之间的结合质量。
需要指出的是，也可以与图6或7不同，仅仅是在一侧的基底上刻蚀出斜面或者台阶面。
本发明对于器件基底1和封装基底4的刻蚀部分形状不作限定，只要能满足h2大于h1即可，这有利于电镀金属覆盖和结合能力的最大化。
图8为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图8所示的实施例与图7中不同之处在于在封装基底4上的第二密封圈材料3为绝缘材料，此时需要在封装基底4的刻蚀台阶上制作一电镀种子层10。如果没有电镀种子层10，则电镀外密封圈8时，可能在封装基底4与外密封圈8之间出现空洞造成密封失效。
如图8所示，器件基底1上的第一密封圈材料2为金属材料，但在基底刻蚀台阶上也制作一电镀种子层2’作为第一密封圈材料2的延伸。
图8所示的实施例充分利用了绝缘材料如树脂等的延展性，降低了对密封圈材料和工艺的苛刻需求。
需要指出的是，也可以不设置电镀种子层2’，此外，在设置电镀种子层2’的情况下，电镀种子层2’也可以与第一圈密封材料2不相接。
在更进一步的实施例中，也可以不设置电镀种子层10，此时，在电镀时间较长的情况下，填充的电镀金属可以将环形槽填充。
图9为根据本发明的还一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图9所示实施例与图8中不同之处在于在封装基底4上的第二密封圈材料3为绝缘材料，其与器件基底1上的第一密封圈材料2不是叠层放置，而是水平放置，且其高度不同，两者高度差为h3，h3的大小也可能为0，但不应很大，一般在0-10μm的范围内，以免需要较长时间电镀金属填充。
第二密封圈材料3的作用是为了初步密封内部空腔6，而利用电镀可将封装基底4上的电镀种子层10和第二密封圈材料3之间的空隙完全填充。图9所示实施例也是为了最大化利用绝缘材料如树脂等的延展性，降低了对密封圈材料和工艺的苛刻需求。
图10为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图10是在例如图8所示的结构的基础上，示出了与器件基底1电连接的基板14，基板14内设置有导电引线15，器件基底1的下侧的导电焊盘12通过焊球13与导电引线15电连接。在图10所示的实施例中，底胶16填充在器件基底1与基板14之间。图10中示出了电镀的电连接线路，即从导电引线15，到焊球13，到导电焊盘12，到导电通孔11，到导线18，到导电材料制成的第一密封圈材料2。在图10中，电连接到第一密封圈材料2的导电通孔11设置在环形槽的内侧或者位于内部空腔6内。导电通孔11还包括与器件起到电连接作用而不与密封圈电连接的其余导电通孔。
图11为根据本发明的再一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图11所示实施例与图10所示的结构的区别在于，在图11中，电连接到第一密封圈材料2的导电通孔11设置在环形槽的宽度范围内。
图12为根据本发明的还一个示例性实施例mems器件的封装结构的截面示意图。图12所示实施例与图10所示的结构的区别在于，在图12中，电连接到第一密封圈材料2的导电通孔11设置在环形槽的外缘，即导电通孔11在图12中为露出的半孔状态。与密封圈电连接的导电通孔的数目并不限于1个，也可以有多个，且可以是上述多种导电通孔情况的组合。
图3-12仅仅示出了在内侧的两种密封圈水平并列放置的情况以及在厚度方向上叠置的情形，但是本发明不限于此，如本领域技术人员能够理解的，设置内侧密封圈的结构也可以是纵向叠置与水平并置的结合，这些均在本发明的保护范围之内。
此外，在本发明中，对于环形槽的槽壁，其存在台阶的情况下，可以是斜面台阶，也可以是垂直台阶，还可以是台阶与斜面的组合，这些均在本发明的保护范围之内。
在图10-12所示的实施例中，声学组件采用倒装(flip-chip)的方式装配在基板14之上，但是本发明不限于此，声学组件也可以采用打线的方式(wirebonding)或者通过键合线装配在基板14上，这些均在本发明的保护范围之内。
在本发明中，对于密封圈，在两个基底的第一密封圈与第二密封圈彼此对置的情况下(参见图3-8等)，(1)若该两个密封圈均为非导电材料，则至少一个密封圈所在的基底那一侧的环形槽的壁需要设置电镀种子层，电镀引线(例如包括导电通孔等)则需要跟其中一个电镀种子层电连接；(2)若一个密封圈为非导电材料，另一个密封圈为导电材料，该非导电密封圈一侧的环形槽的壁可以设置也可以不设置电镀种子层(在设置的情况下，进一步的实施例中，该电镀种子层还与该非导电密封圈相接)，而导电密封圈一侧的环形槽的壁则未必需要设置对应的电镀种子层，电镀引线可以与该导电密封层电连接和/或可以与设置的电镀种子层电连接，该电连接在设置有电镀种子层时还可以经由电镀种子层连接到导电密封层；(3)在两个密封层均为导电密封层的情况下，可以都不设置电镀种子层，电镀引线可以仅与一个导电密封层电连接，在设置了电镀种子层的情况下，可以与对应的电镀种子层电连接。
在本发明中，若是横向方向上并置非导电材料的内侧密封圈以及导电材料的外侧密封圈，则在外侧密封圈连接和密封两个基底表面的情况下，可以不设置电镀种子层，而在外侧密封圈与一个基底例如封装基底存在距离的情况下，可以在在环形槽的对应壁(例如图中上壁)设置电镀种子层(在可选的实施例中，也可以不设置)，更进一步的，在设置的情况下，该电镀种子层经由该缝隙连接到内密封圈，环形槽的另一壁(例如图中下壁)则可选的设置电镀种子层。
在本发明中，没有设置电镀种子层的情况下，电镀引线连接到导电的密封圈(该导电的密封圈限定环形槽的内侧壁)；在设置有电镀种子层的情况下，电镀引线连接到电镀种子层和导电的密封圈之一即可。
下面参照附图13-23示例性说明封装mems器件的方法。图13为示例性示出根据本发明的一个示例性实施例的封装mems器件的流程图；图14-23为示例性示出根据本发明的一个示例性实施例的封装mems器件的工艺过程图。
图13示出了加工步骤，基本工步与常规器件制作类似，除了步骤907器件装配与残渣去除和步骤909电镀，其中残渣去除是可选工艺。步骤908填充底胶也为可选工艺，且其与步骤909电镀的工艺顺序是更换的。
下面以图8所示的结构为例，来具体描述本发明的加工步骤。该实施例中，用于与声学器件和外密封圈电连接的导电通孔可以设置在器件基底中，也可以设置在封装基底中，不同的引出方式都应该包含在本发明中。
图14为步骤901衬底制作(即器件基底制作)的实施例，如图14所示，声学器件5及第一密封圈材料2等均已制作在器件基底1上，且盲孔11也制作在器件基底1上。
图15为步骤902盖层制作(即封装基底制作)的实施例，如图15所示，第二密封圈材料3及电镀种子层10已制作在封装基底4上。
图16为步骤903晶片键合(即两个基底对置键合)的实施例，将封装基底4对准倒扣在器件基底1上，第一密封圈材料与第二密封圈材料对准而形成密封圈或密封层。如图16所示，内部空腔或封装空间6形成。
图17为步骤904晶片减薄及焊盘制作的实施例，该减薄通过cmp(化学机械抛光工艺)实现，盲孔通过cmp暴露出来形成导电通孔11并与导电焊盘12电连接。
图18为步骤905划片的实施例，在该步骤中，将裸器件分离出来。
图19为步骤907为器件装配与残渣去除的实施例，在步骤907中，多颗图18中的裸器件利用焊球13装配到基板14上。此时用于外密封圈的电镀种子层利用通孔11、器件基底1的导电焊盘12、焊球13以及基板14中的导电引线15连接到一起，这样通过在基板14的导电引线15上加电，即可实现外密封圈的定向电镀作业。
图20为步骤908填充底胶的实施例，基板14的表面以及焊球13等均被填充底胶16所保护而免于被电镀或被电镀液侵蚀。由于该工步是可选的，因此如果没有该工步或该工步与电镀909步骤顺序调换，则可能对基板14的表面焊盘、焊球13以及器件基底1下表面的导电焊盘12进行电镀。
图21为步骤909电镀的实施例，外密封圈8电镀完成，通过控制电镀时间，外密封圈8的填充量可以控制，其可能延伸出基底的划片边沿，图21所示为未延伸出去的情况。
图22为步骤910塑封的实施例，在该步骤中，整个器件被封装材料17所保护。
图23为步骤911单颗器件分离的实施例，在步骤911中，单个器件从整个基板上分离而为图23所示的结构。
在本发明中，直接对密封圈进行精确电镀加固，且还可以在器件装配后再进行电镀作业，可操作性强，工艺简单，成本低廉。
利用本发明的电镀密封圈的结构，可以在现有结构密封圈的外围再电镀填充一层或多层金属，起到对现有密封圈的加固作用，并能获得金属替换塑封材料带来的散热能力和功率容量提升方面的优点。
需要指出的是，在本发明中，各个数值范围，除了明确指出不包含端点值之外，除了可以为端点值，还可以为各个数值范围的中值，这些均在本发明的保护范围之内。
使用了上述的封装结构的结构器件可以用于滤波器，也可以用于含有各种电子器件，如滤波器、双工器、多工器等的电子设备。这里的电子设备，还可包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、wifi、无人机等终端产品。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种器件结构，包括：
第一基底和第二基底，彼此对置的间隔开布置；
封装层，设置在对置的第一基底与第二基底之间，以限定在第一基底与第二基底之间的封装空间，封装空间具有封装高度；
mems器件，设置于第一基底和/或第二基底，且位于封装空间之内，
其中：
所述封装层包括内密封层和外密封层，所述内密封层的外侧设置有在第一基底和第二基底之间的环形槽，所述环形槽对外侧开口，所述外密封层为金属层，其覆盖所述内密封层的整个外侧，所述环形槽的开口侧在厚度方向上的距离不小于封装高度；且
所述外密封层仅包括位于所述环形槽内的槽内部分，或者所述外密封层包括位于所述环形槽内的槽内部分以及仅仅覆盖第一基底和/或第二基底的侧面的一部分的侧面部分，所述第一基底或第二基底设置有与所述槽内部分电连接的导电部。
2、根据1所述的器件结构，其中：
所述环形槽的开口侧在厚度方向上的距离大于所述封装高度。
3、根据2所述的器件结构，其中：
所述环形槽为从所述内密封层的外侧朝向第一基底和第二基底的外侧边界的扩口形环形槽，所述环形槽的在所述厚度方向上的至少一侧设置为斜面或台阶斜面。
4、根据1所述的器件结构，其中：
所述mems器件包括体声波谐振器。
5、根据1所述的器件结构，其中：
所述环形槽的开口侧在厚度方向上的距离在2-200μm的范围内，且封装高度在1-50μm的范围内。
6、根据1所述的器件结构，其中：
所述导电部包括设置在对应基底内的导电通孔；或者
所述导电部包括外露于其所在基底的侧面的导电引线，所述外密封层包括覆盖所述导电引线的外侧部分。
7、根据6所述的器件结构，其中：
所述导电通孔设置在内密封层的外侧而与所述外密封层的槽内部分电连接；或者
所述导电通孔设置在内密封层的内侧，所述内密封层具有限定所述环形槽的内侧边界而与所述槽内部分电连接的导电部分，所述导电通孔与所述内密封层的所述导电部分电连接；或者
所述导电通孔的设置位置在器件结构的厚度方向上与内密封层存在重叠，且所述内密封层具有限定所述环形槽的内侧边界而与所述槽内部分电连接的导电部分，所述导电通孔与所述内密封层的所述导电部分电连接。
8、根据1所述的器件结构，其中：所述环形槽的由第一基底限定的槽壁设置有第一电镀种子层，和/或所述环形槽的由第二基底限定的槽壁设置有第二电镀种子层。
9、根据8所述的器件结构，其中：
所述导电部电连接到对应的电镀种子层；和/或
所述内密封层包括限定所述环形槽的内侧壁的导电密封部，所述导电部与所述导电密封部电连接；和/或
所述内密封层包括限定所述环形槽的内侧壁的导电密封部，所述导电部与一个电镀种子层电连接，与所述导电部电连接的电镀种子层与对应的导电密封部连接或者不连接。
10、根据8所述的器件结构，其中：
所述内密封层包括设置在第一基底从第一基底朝向第二基底延伸的第一密封层，以及设置在第二基底从第二基底朝向第一基底延伸的第二密封层，第一密封层和第二密封层彼此对置。
11、根据10所述的器件结构，其中：
第一密封层和第二密封层中的至少一个为非导电密封层；且
所述非导电密封层所对应的基底限定的环形槽的槽壁设置有电镀种子层，所述电镀种子层连接到非导电密封层或者被非导电密封层覆盖一部分。
12、根据8所述的器件结构，其中：
所述内密封层包括在横向方向上并置相接设置的内侧密封层和外侧密封层。
13、根据12所述的器件结构，其中：
内侧密封层和外侧密封层均为非导电密封层；
所述环形槽的由第一基底限定的槽壁设置有第一电镀种子层，和/或所述环形槽的由第二基底限定的槽壁设置有第二电镀种子层；
所述电镀种子层连接到外侧密封层或者被外侧密封层覆盖一部分。
14、根据12所述的器件结构，其中：
内侧密封层为非导电密封层，外侧密封层为导电密封层，且外侧密封层与一侧的基底之间存在间隙；
所述环形槽的所述间隙所在的一侧由对应基底限定的槽壁设置有电镀种子层，其穿过间隙连接到内侧密封层或者被内侧密封层覆盖一部分。
15、根据14所述的器件结构，其中：
所述间隙在器件结构的厚度方向上的高度不大于10μm。
16、根据1所述的器件结构，其中：
所述内密封层包括限定所述环形槽的内侧壁的导电密封部，所述导电密封部与所述导电部电连接。17、根据1-16中任一项所述的器件结构，还包括：
封装基板，所述封装基板内设置有基板引线，所述器件结构的导电部与对应的基板引线电连接。
18、根据17所述的器件结构，其中：
所述第一基底或第二基底与所述封装基底之间以焊球电连接；
所述器件封装组件还包括填充所述第一基底或第二基底与所述封装基底之间的空隙的绝缘层。
19、一种器件结构的制造方法，包括步骤：
提供第一基底和第二基底，两个基底的相对侧设置有封装材料，至少一个基底设置有导电部，第一基底和/或第二基底设置有mems器件；
将第一基底与第二基底对置，对应的封装材料形成内密封层，所述内密封层与第一基底以及第二基底限定封装空间，所述mems器件位于所述封装空间内，所述内密封层的外侧设置有在两个基底之间的环形槽，所述环形槽对外侧开口，所述导电部具有通到所述环形槽的导电路径；和
将所述导电部通电，利用电镀工艺形成外密封层，所述外密封层仅包括位于所述环形槽内的槽内部分，或者所述外密封层包括位于所述环形槽内的槽内部分以及仅仅覆盖第一基底和/或第二基底的侧面的一部分的侧面部分。
20、根据19所述的方法，其中：
在提供第一基底和第二基底的步骤中，在第一基底和/或第二基底的用于限定环形槽的基底部分上设置电镀种子层。
21、根据19所述的方法，其中：
在“将所述导电部通电，利用电镀工艺形成外密封层”之前，所述方法还包括步骤：
提供封装基板，所述封装基板内设置有基板引线；
将设置在所述第一基底或第二基底的导电部与对应的基板引线电连接，
其中：“将所述导电部通电”的步骤包括向所述对应的基板引线通电。
22、根据19所述的方法，其中：
在“将所述导电部通电，利用电镀工艺形成外密封层”之前，所述方法还包括步骤：去除环形槽内的残渣。
23、一种滤波器，包括：至少一个根据1-18中任一项所述的器件结构。
24、一种电子设备，包括根据23所述的滤波器或者根据1-18中任一项所述的器件结构。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
