一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构的制作方法

技术特征：

1.一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，包括pcb封装基板(1)，所述pcb封装基板(1)上设置有键合区(2)，所述pcb封装基板(1)上依次设置有asic芯片(3)和mems芯片(4)，所述asic芯片(3)外侧覆盖有软胶保护层(5)，所述asic芯片(3)与所述mems芯片(4)之间及所述asic芯片(3)与所述pcb封装基板键合区(2)之间分别均通过镀钯金线(6)连接。

2.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述镀钯金线(6)内芯为纯金外层为钯镀层。

3.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述键合区(2)表面设置有双层金属薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述软胶保护层(5)为聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构，其特征在于，所述pcb封装基板(1)上设置有正极接口vdd、负极接口gnd及输出接口out，所述asic芯片(3)上设置有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口及第六端口，所述mems芯片(4)上设置有偏压接口bias和通信接口signal；

其中，所述正极接口vdd与所述第六端口连接，所述负极接口gnd与所述第二端口连接，所述输出接口out与所述第一端口连接；所述偏压接口bias与所述第五端口连接，所述通信接口signal与所述第四端口连接。

技术总结
本实用新型公开了一种用镀钯金线键合硅麦芯片的封装结构，包括PCB封装基板，PCB封装基板上设置有键合区、ASIC芯片和MEMS芯片，ASIC芯片外侧覆盖有软胶保护层，ASIC芯片与MEMS芯片之间及ASIC芯片与PCB封装基板键合区之间分别均通过镀钯金线键合连接。有益效果：镀钯金线键合结构具有更低的接触电阻从而减小声学腔体及声学通道的噪声，镀钯金线键合结构具有更高的抗疲劳强度进而提高硅麦芯片的使用寿命。

技术研发人员：陈贤明
受保护的技术使用者：罗定市英格半导体科技有限公司
技术研发日：2019.08.22
技术公布日：2020.07.14