技术特征：
1.一种微机电系统的硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤s1，于所述硅片的接触面上形成复数个凸块，以减少所述硅片的接触面的接触面积。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s1包括：
步骤s11，于所述接触面上覆盖一图形化的掩膜以打开一工艺窗口；
步骤s12，通过所述工艺窗口执行一离子注入工艺以形成复数个离子掺杂区；
步骤s13，去除所述掩膜；
步骤s14，对所述接触面执行一刻蚀工艺，以使所述接触面上形成复数个所述凸块。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
步骤s2，于复数个所述凸块的表面覆盖一层抗粘结保护膜。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述抗粘结保护膜为六甲基二硅胺。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤s12中，所述离子注入工艺注入的离子为砷离子。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤s12中，每个所述离子掺杂区的掺杂浓度为1*1016/cm3。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凸块高度为172埃。
8.一种微机电系统的硅片，其特征在于，包括：
复数个凸块，设置于所述硅片的接触面上。
9.根据权利要求8所述的硅片，其特征在于，复数个所述凸块的表面覆盖一抗粘结保护膜。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，复数个所述凸块的高度相同和/或复数个所述凸块的相同和/或复数个所述凸块之间的间隔相同。
技术总结
本发明涉及硅片制造技术领域，尤其涉及一种微机电系统的硅片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤S1，于硅片的接触面上形成复数个凸块，以减少硅片的接触面的接触面积。本发明技术方案的有益效果在于：提供一种微机电系统的硅片及其制备方法，通过在硅片的接触面植入凸块，减少硅片的接触面积，从而有效地降低硅片的静态阻力。
技术研发人员：戴维·兰姆·马克斯
受保护的技术使用者：上海矽睿科技有限公司
技术研发日：2019.12.20
技术公布日：2020.04.10
再多了解一些
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