半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质与流程

2020-03-31 11:53:00 来源：中国专利 TAG：衬底介质装置记录方法

技术总结
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的目的在于，在制造使用了MEMS技术的悬臂结构传感器时，形成相对于可动电极具有湿法蚀刻的选择性的、高湿法蚀刻速率的牺牲膜。解决手段为提供下述技术：将具有控制电极、基座、对置电极的衬底搬入处理室，从第一气体供给管向所述处理室供给包含杂质及硅的非等离子体状态的第一处理气体，并且从第二气体供给管向所述处理室供给包含氧的等离子体状态的第二处理气体，从而在所述控制电极、所述基座、所述对置电极上形成包含所述杂质的牺牲膜。

技术研发人员：大桥直史;广濑义朗
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2019.07.22
技术公布日：2020.03.31

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