技术特征：
1.生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱，其特征在于，包括Ti衬底（1），生长在Ti衬底（1）上的AlN缓冲层（2），生长在AlN缓冲层（2）上的InGaN纳米柱（3）。
2.根据权利要求1所述的生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱，其特征在于，所述Ti衬底为普通Ti金属。
3.根据权利要求1所述的生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为5~50 nm。
4.根据权利要求1所述的生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱，其特征在于，所述InGaN纳米柱的高度为60~2000 nm, 直径为15~500 nm。
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
