技术特征:
技术总结
本发明公开了一种用于MEMS器件的封装应力隔离微结构。所述封装应力隔离微结构包括上极板和下极板;由下至上,MEMS器件包括基底层、走线层和结构层;上极板采用与基底层相同的材料制成;下极板采用与封装MEMS器件的封装管壳膨胀系数相近的材料制成;上极板与下极板通过锚点柱相连接。与现有技术相比,本发明具备如下优点:(1)通过保证材料与MEMS器件基底一致的方式完全消除粘接面上热膨胀系数失配带来的热应力;(2)微结构采用刻蚀、键合等常规MEMS工艺,加工方式简单,可大批量生产;(3)可适用各种基底的MEMS器件,实用性强。
技术研发人员:周斌;张嵘;邢博文;魏琦
受保护的技术使用者:清华大学
技术研发日:2019.05.07
技术公布日:2019.08.20
再多了解一些
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