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选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法与流程

2019-07-13 10:39:00 来源:中国专利 TAG:刻蚀 针尖 选择性 半导体 纳米

技术特征:

技术总结
本发明提供了一种选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤:在衬底上顺序形成第一材料层和第二材料层,其中第一材料层对第二材料层的各向同性刻蚀选择比大于10,第一材料层含有掺杂元素,沿第一材料层的厚度方向掺杂元素的浓度呈线性递增;对第一材料层进行选择性各向同性刻蚀,选择性各向同性刻蚀的刻蚀速率与掺杂元素的浓度具有正线性关系,以完成对第一材料层的外壁的刻蚀。本申请利用刻蚀工艺中刻蚀速率与待刻蚀材料中掺杂元素浓度之间的正线性关系,得到与浓度递增的方向相反的倾斜侧壁,从而采用上述选择性刻蚀方法,能够得到锐利度较高的纳米针尖结构,还能够灵活调节针尖结构的尺寸、形貌以及角度。

技术研发人员:李俊杰;王桂磊;李永亮;周娜;杨涛;傅剑宇;李俊峰;吴振华;殷华湘;朱慧珑;王文武
受保护的技术使用者:中国科学院微电子研究所
技术研发日:2019.04.04
技术公布日:2019.07.12
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